半導體濕制程工藝應用場景多元，從晶圓制造、芯片封裝到新材料研發(fā)、科研中試，不同場景對設備的低氧性能、潔凈等級、安全標準有著嚴苛且差異化的要求。華林科納CSE智凈低氧濕法工作站，專為高風險、高潔凈、強腐蝕工藝量身打造，一機覆蓋全流程高端需求。

? 先進晶圓濕法工藝
適配光刻清洗、RCA清洗、顆粒/有機物/金屬去除等核心工序，低氧密閉環(huán)境從源頭抑制晶圓表面氧化，顯著提升核心工藝良率。

? 高精度酸蝕與刻蝕
完美兼容硅基、SiC、GaN等第三代半導體材料酸蝕、刻蝕后清洗、選擇性刻蝕工藝，耐強腐蝕、無交叉污染，精準保障工藝精度。

? 先進封裝濕制程
適配倒裝芯片、扇出型、2.5D/3D封裝清洗、去膠、微蝕工藝，滿足超高潔凈度與低氧雙重嚴苛要求。

? 第三代半導體研發(fā)量產
針對寬禁帶半導體材料提供專屬惰化保護，有效防止敏感材料氧化變質，穩(wěn)定量產良率。

? 實驗室研發(fā)與中試線
適配高校、科研院所、IDM企業(yè)小批量中試生產，設備合規(guī)達標，運行數據全留痕、可追溯，滿足科研審計要求。

? 高?；瘜W品安全操作
實現HF、HCl、H?SO?、H?O?等強腐蝕試劑調配、使用、暫存全流程安全閉環(huán)，最大程度降低操作風險。

設備采用標準化尺寸與模塊化工位設計，標準規(guī)格適配8/12寸小試/中試線，酸槽、水槽、工作臺面可靈活組合，快速匹配不同工藝定制需求，為半導體產業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)，提供一站式高端濕制程解決方案。

審核編輯 黃宇