探索TPS59640EVM - 751:IMVP - 7電源系統(tǒng)的評估利器
在電子工程師的日常工作中,一款優(yōu)秀的評估模塊能夠極大地提升開發(fā)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。今天,我們就來深入了解一下德州儀器(TI)的TPS59640EVM - 751評估模塊,它為Intel? IMVP - 7 Serial VID(SVID)電源系統(tǒng)提供了完整的解決方案。
文件下載:TPS59640EVM-751.pdf
一、模塊概述
TPS59640EVM - 751評估模塊旨在使用9 - 20V的輸入總線,為IMVP - 7 SVID CPU/GPU電源系統(tǒng)產(chǎn)生六個穩(wěn)壓輸出。該模塊特別設(shè)計用于展示TPS59640的完整IMVP - 7移動特性,同時提供了GUI通信程序和多個測試點(diǎn),方便評估TPS59640的靜態(tài)和動態(tài)性能。
典型應(yīng)用
它適用于多種IMVP - 7 Vcore應(yīng)用,包括適配器、電池、NVDC或3V/5V/12V電源軌。
主要特性
- 完整解決方案:為9 - 20V輸入的Intel IMVP - 7 SVID電源系統(tǒng)提供完整的解決方案。
- GUI通信:通過GUI通信展示完整的IMVP - 7移動特性。
- 高輸出電流支持:三相CPU Vcore可支持高達(dá)94A的輸出電流,單相GPU Vcore可支持高達(dá)33A的輸出電流。
- 可選擇參數(shù):CPU和GPU電源具有八個可選的開關(guān)頻率、八個級別的可選電流限制以及八個級別的可選輸出過沖/欠沖減少(OSR/USR?)。
- 輸出使能控制:每個輸出都有開關(guān)或跳線用于使能控制。
- 板載動態(tài)負(fù)載:為CPU、GPU Vcore和VCCIO輸出提供板載動態(tài)負(fù)載。
- 高效高密度:使用TI功率塊MOSFET實(shí)現(xiàn)高效率和高密度。
- 方便測試:提供方便的測試點(diǎn),用于探測關(guān)鍵波形。
- 八層PCB:采用2盎司銅的八層PCB設(shè)計。
二、電氣性能規(guī)格
輸入特性
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 12VBAT輸入電壓范圍 | VBAT | 9 | 12 | 20 | V |
| 最大輸入電流 | VBAT = 12 V,全負(fù)載(三相CPU/單相GPU) | 16.2 | A | ||
| 無負(fù)載輸入電流 | VBAT = 12 V,無負(fù)載(三相CPU/單相GPU) | 0.1 | A | ||
| 5VIN輸入電壓范圍 | Vin = 5 V | 4.5 | 5 | 5.5 | V |
| 最大輸入電流 | VBAT = 12 V,全負(fù)載 | 0.3 | A | ||
| 無負(fù)載輸入電流 | VBAT = 12 V,無負(fù)載 | 0.1 | A |
輸出特性
CPU(TPS59640)
- 輸出電壓Vcore:SVID地址為00 CPU時,有效負(fù)載為1.05V。
- 輸出電壓調(diào)節(jié):線路調(diào)節(jié)為0.1%。
- 負(fù)載調(diào)節(jié)(下垂)負(fù)載線: - 1.9 mΩ。
- 輸出電壓紋波:VBAT = 12 V,1.05 V/90 A(三相),300 kHz時為25 mVpp。
- 輸出負(fù)載電流:三相CPU運(yùn)行時為0 - 94 A。
- 輸出過電流:每相可選,典型值為37 A。
- 開關(guān)頻率:可選,范圍為250 - 600 kHz。
- 滿載效率:VBAT = 12 V,1.05 V/94 A,300 kHz時為80.05%。
GPU(TPS59640)
- 輸出電壓Vcore:SVID地址為01 GPU時,有效負(fù)載為1.23V。
- 輸出電壓調(diào)節(jié):線路調(diào)節(jié)為0.1%。
- 負(fù)載調(diào)節(jié)(下垂)負(fù)載線: - 3.9 mΩ。
- 輸出電壓紋波:VBAT = 12 V,1.23 V/35 A,385 kHz時為30 mVpp。
- 輸出負(fù)載電流:三相CPU運(yùn)行時為0 - 35 A。
- 輸出過電流:每相可選,典型值為37 A。
- 開關(guān)頻率:可選,范圍為275 - 660 kHz。
- 滿載效率:VBAT = 12 V,1.23 V/35 A,385 kHz時為81.99%。
1.05 - V VCCIO(TPS51219)
- 輸出電壓:1.05V。
- 輸出電壓調(diào)節(jié):線路調(diào)節(jié)為0.1%,負(fù)載調(diào)節(jié)為0.1%。
- 輸出電壓紋波:VBAT = 12 V,1.05 V/15 A時為30 mVpp。
- 輸出負(fù)載電流:0 - 15 A。
- 輸出過電流:24 A。
- 開關(guān)頻率:可選,為500 kHz。
- 滿載效率:VBAT = 12 V,1.05 V/15 A時為89.27%。
DDR3L/DDR4 MEMORY RAIL(TPS51916)
- 輸出電壓:1.2V。
- 輸出電壓調(diào)節(jié):線路調(diào)節(jié)為0.1%,負(fù)載調(diào)節(jié)為0.1%。
- 輸出電壓紋波:VBAT = 12 V,1.2 V/15 A時為30 mVpp。
- 輸出負(fù)載電流:0 - 15 A。
- 輸出過電流:24 A。
- 開關(guān)頻率:可選,為500 kHz。
- 滿載效率:VBAT = 12 V,1.2 V/15 A時為90.62%。
三、測試設(shè)置
測試設(shè)備
- 個人計算機(jī):運(yùn)行Microsoft Windows? XP或更高版本,具備可用的USB端口。
- USB電纜:標(biāo)準(zhǔn)USB_A到USB_B,5針迷你B電纜。
- TPS59640 USB驅(qū)動和SVID GUI安裝:按照特定步驟將相關(guān)文件復(fù)制到主機(jī)計算機(jī)并安裝驅(qū)動。
- DC源:12VBAT DC源為0 - 20V可變DC源,能夠提供20A直流電流;5Vin DC源為0 - 5V可變DC源,能夠提供1A直流電流。
- 儀表:用于測量5Vin、12VBAT、CPU Vcore、GPU Vcore、VDDQ和VCCIO的電壓以及12VBAT輸入電流。
- 負(fù)載:輸出負(fù)載必須是能夠提供0 - 90A直流電流的電子恒流負(fù)載。
- 示波器:數(shù)字或模擬示波器,設(shè)置為1MΩ阻抗、20MHz帶寬、交流耦合、2μs/格水平分辨率和50mV/格垂直分辨率。
推薦線規(guī)
- V5in到J31(5V輸入):推薦使用1 x AWG 18的電線,總長度小于4英尺。
- 12VBAT到J30(12V輸入):推薦使用1 x AWG 16的電線,總長度小于4英尺。
- J1、J5、J6(CPU)到負(fù)載或J11(GPU)到負(fù)載或J28(VDDQ)到負(fù)載或J24(VCCIO)到負(fù)載:最小推薦使用2 x AWG 16的電線,總長度小于4英尺。
推薦測試設(shè)置
在ESD工作站工作,確保在處理EVM之前將任何腕帶、鞋帶或墊子連接到接地參考。
連接步驟
- USB電纜連接:使用標(biāo)準(zhǔn)USB_A和5針迷你B USB電纜將主機(jī)計算機(jī)連接到EVM的J42 USB端口。
- 輸入連接:在連接5Vin和12VBAT DC源之前,分別將源電流限制在1A和10A最大,并將初始電壓設(shè)置為0V。連接電壓表測量電壓,連接電流表測量12VBAT輸入電流。
- 輸出連接:將負(fù)載連接到相應(yīng)的端子,并在施加5Vin和12VBAT之前將負(fù)載設(shè)置為恒阻模式以吸收0A電流。
四、配置
CPU和GPU配置
- 電流限制跳閘選擇:通過J17(CPU)和J20(GPU)設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為5級。
- 頻率選擇:CPU通過J18設(shè)置,默認(rèn)頻率為300 kHz;GPU通過J21設(shè)置,默認(rèn)頻率為385 kHz。
- 過沖/欠沖減少選擇:CPU通過J19設(shè)置,GPU通過J22設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為最大。
- F2806 DSP程序模式選擇:通過J46設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為正常操作。
- 5Vin偏置電壓選項:通過J41設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為使用外部5Vin偏置。
- 板載動態(tài)負(fù)載選擇:通過S2和S3設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為禁用板載動態(tài)負(fù)載。
- IMVP - 7 VR_ON使能選擇:通過S4設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為禁用CPU和GPU。
1.2VDDQ、0.6V VTT和0.6V VTTREF配置
通過J26和J27設(shè)置VDDQ S3、S5的使能,默認(rèn)設(shè)置為啟用。
1.05V VCCIO配置
- 1.05V使能選擇:通過S1設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為禁用。
- VCCIO輸出電壓選擇:通過J23設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為1.05V。
五、測試程序
線路/負(fù)載調(diào)節(jié)和效率測量程序
CPU
- 按照測試設(shè)置部分的說明設(shè)置EVM。
- 確保J46上沒有跳線短路。
- 在施加5Vin和12VBAT之前,確保所有其他跳線配置設(shè)置正確。
- 將負(fù)載設(shè)置為恒阻模式并吸收0A電流。
- 確保S1和S4處于關(guān)閉位置。
- 在TP27上添加示波器探頭以測量CPU Vcore紋波。
- 連接USB電纜。
- 將5Vin從0V增加到5V,使用V1測量5Vin輸入電壓。
- 將12VBAT從0V增加到12V,使用V2測量12VBAT輸入電壓。
- 雙擊TI - SVID - GUI_1_5_0_1.exe啟動GUI程序。
- 將S4推到開啟位置以啟用TPS59640的VR_ON。
- 發(fā)送SVID命令,默認(rèn)地址為00 CPU,命令為SetVIDslow,有效負(fù)載為1.05V。
- 點(diǎn)擊發(fā)送命令,CPU CPGOOD LED亮起。
- 測量V3(CPU Vcore)和A1(12VBAT輸入電流)。
- 將CPU負(fù)載從0A變化到90A,確保CPU Vcore保持在負(fù)載線內(nèi)。
- 將12VBAT從9V變化到20V,確保CPU Vcore保持在線路調(diào)節(jié)內(nèi)。
- 將S4推到關(guān)閉位置以禁用CPU Vcore控制器。
- 將負(fù)載減小到0A,并從端子J1、J5和J6斷開負(fù)載。
- 從J14斷開V3。
- 從TP27斷開示波器探頭。
GPU
- 將負(fù)載連接到GPU端子J11和V3到J16,確保極性正確。
- 在TP37上添加示波器探頭以測量GPU G_Vcore紋波。
- 將S4推到開啟位置以啟用TPS59640的VR_ON。
- 發(fā)送SVID命令,地址為01 GPU,命令為SetVIDslow,有效負(fù)載為1.23V。
- 點(diǎn)擊發(fā)送命令,GPU GPOOD LED亮起。
- 測量V3(GPU G_Vcore)和A1(12VBAT輸入電流)。
- 將GPU負(fù)載從0A變化到30A,確保GPU Vcore保持在負(fù)載線內(nèi)。
- 將12VBAT從9V變化到20V,確保GPU Vcore保持在線路調(diào)節(jié)內(nèi)。
- 將S4推到關(guān)閉位置以禁用GPU Vcore控制器。
- 將負(fù)載減小到0A,并從端子J11斷開負(fù)載。
- 從J16斷開V3。
- 從TP37斷開示波器探頭。
- 退出SVID GUI窗口。
- 斷開主機(jī)計算機(jī)和EVM之間的USB電纜。
VDDQ
- 將負(fù)載連接到VDDQ端子J28和V3到J29,確保極性正確。
- 從J27的2和3引腳移除跳線,并將其放在J27的1和2引腳以啟用VDDQ控制器的S5。
- 測量V3(VDDQ)和A1(12Vin輸入電流)。
- 將VDDQ負(fù)載從0A變化到15A,確保VDDQ保持在負(fù)載調(diào)節(jié)內(nèi)。
- 將12VBAT從9V變化到20V,確保VDDQ保持在線路調(diào)節(jié)內(nèi)。
- 從J27移除跳線,并將其短路回2和3引腳以禁用VDDQ控制器。
- 將負(fù)載減小到0A,并從端子J28斷開負(fù)載。
- 從J29斷開V3。
VCCIO
- 將負(fù)載連接到VCCIO端子J24和V3到J25,確保極性正確。
- 將S1推到開啟位置以啟用VCCIO控制器。
- 測量V3(VCCIO)和A1(12Vin輸入電流)。
- 將VDDQ負(fù)載從0A變化到15A,確保VCCIO保持在負(fù)載調(diào)節(jié)內(nèi)。
- 將12VBAT從9V變化到20V,確保VCCIO保持在線路調(diào)節(jié)內(nèi)。
- 將S1推到關(guān)閉位置以禁用VCCIO控制器。
- 將負(fù)載減小到0A,并從端子J24斷開負(fù)載。
- 從J25斷開V3。
設(shè)備關(guān)閉
- 關(guān)閉負(fù)載。
- 關(guān)閉12VBAT和5Vin。
- 關(guān)閉示波器。
- 關(guān)閉主機(jī)計算機(jī)。
六、性能數(shù)據(jù)和典型特性曲線
文檔中提供了大量的典型性能曲線,包括CPU三相、二相、單相操作,GPU操作,1.05 - V VCCIO和1.2 VDDQ的效率、負(fù)載調(diào)節(jié)、使能開啟和關(guān)閉、開關(guān)節(jié)點(diǎn)紋波等曲線,這些曲線為工程師評估模塊性能提供了重要參考。
七、EVM裝配圖和PCB布局
TPS59640EVM - 751采用八層電路板設(shè)計,外層為2盎司銅。文檔中提供了頂層裝配圖、底層裝配圖、頂層銅層、底層銅層以及各內(nèi)層的設(shè)計圖,方便工程師了解模塊的物理結(jié)構(gòu)和布線情況。
八、物料清單
文檔詳細(xì)列出了EVM的主要組件清單,包括電容器、二極管、電感器、MOSFET、電阻器、IC等元件的型號、數(shù)量和制造商等信息,為工程師進(jìn)行硬件設(shè)計和維修提供了便利。
九、重要注意事項
適用范圍
該評估板僅用于工程開發(fā)、演示或評估目的,不被視為適合一般消費(fèi)者使用的成品。
安全責(zé)任
用戶需對產(chǎn)品的正確和安全處理承擔(dān)全部責(zé)任,并對TI因產(chǎn)品處理或使用而產(chǎn)生的所有索賠進(jìn)行賠償。
操作范圍
必須在0 - 20V的輸入電壓范圍和0 - 1.5V的輸出電壓范圍內(nèi)操作EVM,超出指定范圍可能導(dǎo)致意外操作和/或不可逆損壞。
溫度注意
正常操作期間,某些電路組件的外殼溫度可能超過80°C,操作時需注意避免燙傷。
總之,TPS59640EVM - 751評估模塊為IMVP - 7電源系統(tǒng)的開發(fā)和評估提供了一個全面而強(qiáng)大的平臺。通過詳細(xì)的測試設(shè)置、配置和測試程序,工程師可以深入了解模塊的性能,并根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化。同時,嚴(yán)格遵守重要注意事項,確保操作的安全性和可靠性。你在使用這個評估模塊的過程中遇到過哪些有趣的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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