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4 月 23 日NEO Semiconductor公司宣布其三維 X-DRAM?技術已成功完成概念驗證測試，這一里程碑式進展，為面向人工智能與數(shù)據(jù)密集型系統(tǒng)的新一代高密度存儲解決方案奠定了重要基礎。與此同時，公司還公布了一項全新戰(zhàn)略投資，本輪投資由宏碁創(chuàng)始人、前董事長兼首席執(zhí)行官，擁有二十余年臺積電董事任職經歷的施振榮領銜。施振榮先生是全球知名的科技先驅與企業(yè)家，其參與此次投資，充分彰顯了業(yè)界對NEO 半導體技術實力與發(fā)展愿景的高度認可，也將助力公司邁入全新發(fā)展階段。

此次概念驗證測試芯片實測結果表明，三維 X-DRAM 技術可依托現(xiàn)有三維閃存成熟產業(yè)體系進行量產，涵蓋標準化生產設備、配套材料及低成本制造工藝。目前三維閃存量產芯片層數(shù)已突破 300 層，該技術成果不僅為新一代高密度三維動態(tài)隨機存儲器的研發(fā)落地鋪平道路，還充分驗證了產品優(yōu)異的電氣性能與運行穩(wěn)定性。

概念驗證核心成果如下：

讀/寫延遲：<10 納秒

數(shù)據(jù)保持時間：85°C 下 >1 秒（比 64 毫秒 JEDEC 標準好 15 倍）

比特線干擾：在 85°C 下持續(xù)時間 >1 秒

字線干擾：在 85°C 時 >1 秒

耐力：>101?次循環(huán)

NEO Semiconductor創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Andy Hsu表示：“本次測試成果，為動態(tài)隨機存儲器技術突破開辟了全新升級路徑。我們堅信，該項技術能夠適配人工智能時代的發(fā)展需求，大幅提升存儲密度、降低制造成本并優(yōu)化能耗表現(xiàn)。依托成熟的三維閃存制造體系與產業(yè)生態(tài)，我們將加速推進三維動態(tài)隨機存儲器技術落地。目前，NEO半導體正與全球頭部存儲及半導體企業(yè)積極洽談，探索聯(lián)合研發(fā)合作機會，我們的技術具備成熟的授權合作與規(guī)?；涞啬Ｊ剑型焖偻苿有乱淮斯ぶ悄艽鎯夹g走向市場。”

本次概念驗證項目由NEO半導體聯(lián)合臺灣陽明交通大學產學創(chuàng)新學院共同研發(fā)，芯片制造與性能測試工作在臺灣應用研究院半導體研究所完成。測試芯片順利通過全維度電氣性能與穩(wěn)定性檢測，充分驗證了該創(chuàng)新存儲架構的穩(wěn)定性與可靠性。

目前，NEO半導體正與存儲、半導體全產業(yè)鏈企業(yè)開展深度合作洽談，全力推動三維 X-DRAM 技術商業(yè)化落地。憑借成熟的概念驗證成果與不斷深化的行業(yè)合作，公司正式邁入全新發(fā)展階段，致力于將三維 X-DRAM 打造為新一代人工智能存儲系統(tǒng)的核心底層技術。

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