在10月22日召開的北京微電子國際研討會暨IC World大會上，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（簡稱“大基金”）總裁丁文武表示，發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)是建設創(chuàng)新國家的必然選擇，不管國際形勢多么復雜和嚴峻，中國發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的信心和決心不會改變。發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)要在“補短板、強長板”方面下功夫。

IC產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展

據(jù)丁文武介紹，今年上半年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為2726.5億元，同比增長23.9%。其中，設計銷售額為1019億元，同比增長22.8%；制造銷售額為737.4億元，同比增長29.3%，繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢；封測銷售額為970億元，同比增長21.2%。

中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的數(shù)據(jù)顯示，自2012年以來，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額連續(xù)保持每年兩位數(shù)高速增長態(tài)勢。2012年的銷售額為2158.5億元，同比增長11.6%；2013年銷售額為2508.51億元，同比增長16.2%；2014年銷售額為3015.4億元，同比增長20.2%；2015年銷售額為3609.8億元，同比增長19.7%；2016年為4335.5億元，同比增長20.1%；2017年為5411.3億元，同比增長24.8%。

國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖侔l(fā)展的同時，技術(shù)水平不斷提升。丁文武指出，在芯片設計領域，14納米和16納米的設計占比進一步增加，設計水平接近國際先進水平；在制造領域，28納米工藝實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，14納米和16納米工藝研發(fā)與生產(chǎn)線建設取得階段性進展；在封測領域，中高端封裝比例占30%以上；在裝備材料領域，部分關鍵材料和裝備已經(jīng)進入國內(nèi)外生產(chǎn)線。

值得一提的是，近期國內(nèi)集成電路制造領域捷報頻傳。10月18日，華力二期12英寸先進生產(chǎn)線正式建成投片；8月9日，中芯國際宣布在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上取得重大進展；8月9日，長江存儲在美國召開的閃存峰會詳細介紹了X-tacking技術(shù)。丁文武表示，在存儲制造領域，“3D NAND flash和DRAM生產(chǎn)線正在建設過程中，有望很快建成投片。”

大力補短板、強長板

丁文武指出，要清醒認識到，與國際水平相比國內(nèi)還有很大差距。一是對外依存度高，技術(shù)水平差距大；二是高端核心芯片基本依賴進口；三是產(chǎn)業(yè)規(guī)模差距大；四是企業(yè)研發(fā)投入與國際大企業(yè)相比差距大；五是人才還有大量缺口。

“盡管目前面臨復雜嚴峻的國際形勢和挑戰(zhàn)，但要看到，國內(nèi)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)還是有機遇的，包括政策的大力支持、巨大的市場需求、新技術(shù)和新興產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新驅(qū)動帶來的活力，以及對外開放、國際合作等。”丁文武表示，今后集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要在“補短板、強長板”方面下功夫。要理性發(fā)展集成電路制造業(yè)?，F(xiàn)在很多地方發(fā)展集成電路的積極性很高，但要避免低水平重復、無序化、同質(zhì)化以及分散化的現(xiàn)象。

具體到實踐層面，丁文武認為，在設計領域，要大力發(fā)展高端芯片，比如CPU、MCU等；在制造領域，要大力發(fā)展先進工藝生產(chǎn)線、存儲生產(chǎn)線以及化合物半導體生產(chǎn)線等；在封測領域，要擴大高端封測的能力；在裝備領域，要大力發(fā)展***、刻蝕機、離子注入機等高端設備；在材料領域，要推動大硅片、光刻膠、靶材、高純化學品等關鍵核心材料的產(chǎn)業(yè)化。