2018年12月20-22日，由中國材料研究學(xué)會發(fā)起，聯(lián)合國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會，共同主辦的“2018中國新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會”在南京召開。會議旨在服務(wù)國家新材料發(fā)展戰(zhàn)略，服務(wù)新材料特色產(chǎn)業(yè)，服務(wù)新材料創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。除開幕式及大會報告外，大會共設(shè)立了半導(dǎo)體材料、生物醫(yī)用材料、汽車新材料、納米材料、綠色建材、高溫合金等17個分會。

導(dǎo)體材料分會會議現(xiàn)場

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）受大會組委會委托承辦了半導(dǎo)體材料分會。深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司作為協(xié)辦單位共同組織了此次分會。分論壇的主席是中國工程院屠海令院士、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲。分論壇秘書長由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山擔(dān)任。半導(dǎo)體材料分會分碳化硅技術(shù)及應(yīng)用、氮化鎵技術(shù)與應(yīng)用兩個分部。眾多知名專家學(xué)者介紹了第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的新進展，就第三代半導(dǎo)體發(fā)展的新動力共同進行了討論。

徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)教授

盛 況 浙江大學(xué)特聘教授

12月20日下午召開了碳化硅技術(shù)及應(yīng)用分會，山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授和浙江大學(xué)盛況教授共同主持了會議。

陳秀芳 山東大學(xué)教授

山東大學(xué)陳秀芳教授做了“SiC 單晶研究進展”報告，主要將講述課題組近期在大尺寸SiC單晶生長及應(yīng)用方面的成果。

湯曉燕西安電子科技大學(xué)教授

西安電子科技大學(xué)湯曉燕教授做了“SiC 功率MOSFET 技術(shù)發(fā)展趨勢分析” 報告，湯教授針對SiC功率MOSFET的應(yīng)用前景，目前國內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀，國內(nèi)面臨的主要技術(shù)瓶頸，國內(nèi)外的技術(shù)發(fā)展趨勢以及主要的技術(shù)問題進行分析。相關(guān)的技術(shù)問題包括：閾值電壓的穩(wěn)定性問題，高電流密度高閾值器件的折中困難，高溫高壓工作的可靠性問題等。

張峰中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張峰研究員做了“寬禁帶半導(dǎo)體SiC 器件研究進展”的報告，報告圍繞第三代半導(dǎo)體SiC功率器件的研究，依次介紹SiC襯底和外延的研究歷程和進展，然后著重介紹SiC電力電子器件，主要包括肖特基二極管，MOSFET和IGBT。針對目前SiC功率器件的研究熱點和最新進展，重點介紹SiC基MOSFET器件的發(fā)展過程，及其在SiC功率器件中起到的承上啟下作用。最后給出SiC材料與器件發(fā)展的總結(jié)和展望。

李俊燾中物院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心固態(tài)高壓微系統(tǒng)技術(shù)研究室牽頭副主任

中物院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心固態(tài)高壓微系統(tǒng)技術(shù)研究室牽頭副主任李俊燾做了“SiCGTO 脈沖功率開關(guān)研究進展”的報告，報告介紹了SiC門極關(guān)斷晶閘管(GTO)器件的器件設(shè)計及脈沖電流表征。通過實驗完成基于新型結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)的GTO器件其擊穿電壓大于8kV，器件在25℃室溫條件下測試在100A/cm2時正向壓降為3.7V。通過在低電感的電容放電回路中進行脈沖放電實驗獲得其脈沖放電能力，在1000V條件下脈沖放電半正弦周期為1us，峰值電流可達到5kA，電流上升率為15kA/us。

郭清浙江大學(xué)副教授

浙江大學(xué)郭清副教授做了“新型碳化硅電力電子器件探索研究”的報告。報告討論了。國內(nèi)外SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r進行介紹，并重點討論SiC超級結(jié)器件技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢。

李南坤上海巴瑪克電氣技術(shù)有限公司副總經(jīng)理

上海巴瑪克電氣技術(shù)有限公司副總經(jīng)理李南坤做了“SiC-Mosfet 功率模塊在感應(yīng)加熱電源上的應(yīng)用技術(shù)”報告，報告著重介紹了應(yīng)用碳化硅(SiC)功率器件應(yīng)用頻率580kHz（100-1100kHz），采用全數(shù)字式DSP+CPLD控制，逆變采用風(fēng)冷結(jié)構(gòu)，效率、功率因素、可靠性均超過現(xiàn)有IGBT和MOSFET技術(shù)。

楊 霏 國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體所副總工程師兼工藝開發(fā)室主任

國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體所副總工程師兼工藝開發(fā)室主任楊霏做了“電網(wǎng)用高壓大功率SiC 器件研究進展”報告。報告針對未來電網(wǎng)中能源互聯(lián)網(wǎng)急需的3.3kV及以上電壓等級碳化硅電力電子器件（包括二極管、MOSFET、IGBT等）目標(biāo)，提出對碳化硅襯底、外延、芯片性能、大功率封裝等方面的技術(shù)需求，分析國內(nèi)外在高性能單晶襯底、厚外延、芯片結(jié)構(gòu)和高電壓大電流封裝等方面的研究進展，提出國內(nèi)的研究思路和取得的成果。

大會同期還舉辦了“國家優(yōu)勢新材料產(chǎn)業(yè)展”、師昌緒誕辰100周年紀(jì)念活動、頒發(fā)“第一屆師昌緒新材料技術(shù)獎”。國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟喜獲第一屆“師昌緒新材料技術(shù)獎”。聯(lián)盟吳玲秘書長受邀出席了大會開幕式，并在大會上做了“半導(dǎo)體照明新材料產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新的探索與實踐”的主題報告。

在“國家優(yōu)勢新材料產(chǎn)業(yè)展”上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司等單位集中展示了第三代半導(dǎo)體材料方面的組織、研發(fā)進展，引起了眾多參會材料專家們的關(guān)注與好評。