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三星電子成功開發(fā)5G基站RFIC

aPRi_mantianIC ? 來源:cc ? 2019-02-23 11:29 ? 次閱讀
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2月22日韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo), 三星電子今天表示,它已成功開發(fā)出第五代(5G)基站的射頻集成電路RFIC)。

三星電子表示,毫米波(mmWave)頻段的覆蓋范圍已從800MHz擴(kuò)展到1.4GHz,大大提高了數(shù)據(jù)傳輸速度。芯片尺寸小型化約36%。

據(jù)三星稱,該芯片降低了相位噪聲,使其能夠處理更清晰的無線電信號。

使用28GHz或39GHz mmWave頻譜頻段的國家,如美國和韓國,是RFIC部署的主要目標(biāo)市場。

這張由三星電子提供的照片顯示了第五代RFIC。(韓聯(lián)社)

該公司表示,三星將在今年第二季度開始商業(yè)化生產(chǎn)新的5G芯片,并在今年內(nèi)開發(fā)出24GHz和47GHz頻譜的芯片。

此外,該公司還宣布開發(fā)數(shù)字/模擬前端(DAFE)ASIC,這是5G芯片組的另一個(gè)核心組件。DAFE是模擬和數(shù)字之間轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵,可將尺寸,重量和功耗降低約25%。

“三星正憑借其創(chuàng)新解決方案(包括低功耗RFIC和DAFE ASIC)建立其5G領(lǐng)先地位,開創(chuàng)了數(shù)字化轉(zhuǎn)型的新時(shí)代,”三星網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)研發(fā)主管Jeon Jae-ho說。“我們很高興地宣布我們完成了對這些新芯片組的開發(fā),這些芯片組將在推動技術(shù)進(jìn)步的同時(shí)發(fā)揮重要作用。”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:三星電子宣布成功開發(fā)5G基站RFIC

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