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CSD17381F4 N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17381F4

數(shù)據(jù):

描述

這款90mΩ,30V N通道FemtoFET?MOSFET技術(shù)經(jīng)過(guò)了設(shè)計(jì)和優(yōu)化,能夠以最大限度減小許多手持式和移動(dòng)類應(yīng)用中的封裝尺寸。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào)MOSFET的同時(shí)將封裝尺寸減小60%以上。

特性

  • 超低導(dǎo)通電阻
  • 超低Q g 和Q gd
  • 低閾值電壓
  • 超小型封裝尺寸(0402外殼尺寸)
    • 1.0mm×0.6mm
    < /li>
  • 超薄
    • 高度0.35mm
  • 集成型靜電放電(ESD)保護(hù)二極管
    • 額定值&gt ; 4kV人體放電模型(HBM)
    • 額定值&gt; 2kV充電器件模型(CDM)
  • 無(wú)先且無(wú)鹵素
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
CSD17381F4
30 ? ?
Single ? ?
117 ? ?
109 ? ?
10 ? ?
1.04 ? ?
0.133 ? ?
LGA 1.0 x 0.6mm ? ?
110 ? ?
12 ? ?
0.85 ? ?
Yes ? ?

方框圖 (1)

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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