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標簽 > 硅片
硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬個晶體管,這是科學技術(shù)進步的又一個里程碑。
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將硅錠切成1mm左右一片片的wafer(晶圓)。晶圓尺寸有大有小,比如8inch, 12inch的晶圓,光刻的時候直接刻整個圓,然后切下來好多小芯片。
光刻技術(shù)簡單來講,就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程,是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù),CPU所謂30nm工藝或者22...
在關(guān)鍵尺寸的在線量測環(huán)節(jié),所運用的設(shè)備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD(optical critical dimention,光學關(guān)鍵尺寸)量測設(shè)備。
“ 光刻作為半導體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常,整個光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
使用ICP-MS/MS進行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實驗過程
高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過程中的基本要求,其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得,其表面的多層晶格處于被破...
2022年硅片需求大漲 2023年行情恐怕會發(fā)生反轉(zhuǎn)
半導體材料市場研究和咨詢公司TECHCET發(fā)布預(yù)測,2022年硅片市場(包括SOI晶圓)將同比增長12%,達到160億美元,出貨面積將同比增長6%,創(chuàng)歷史新高。
常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI)是通過注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen,...
能源被認為是未來五十年人類面臨的頭號問題。據(jù)估計,太陽能在一小時內(nèi)顯示出供給的潛力,其能量足以滿足世界一年的能源需求總量。光伏產(chǎn)業(yè)面臨的一個主要挑戰(zhàn)是以...
在所有金屬污染物中,鐵和銅被認為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上,而旦還會大大降低硅器件的產(chǎn)量。...
硅片形貌效應(yīng)及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關(guān)系的解析
硅片形貌效應(yīng)在光刻工藝中十分重要,特別是在現(xiàn)代集成電路制造中,如FinFET等先進器件結(jié)構(gòu)以及雙重圖形技術(shù)的廣泛應(yīng)用下,硅片表面的微小不平整性對光刻結(jié)果...
近年來,作為取代SPM(硫酸/過氧化氫)清洗的有機物去除法,通過添加臭氧的超純水進行的清洗受到關(guān)注,其有效性逐漸被發(fā)現(xiàn)。在該清洗法中,可以實現(xiàn)清洗工序的...
APCVD 的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)如圖所示,系統(tǒng)通過專用傳送裝置實現(xiàn)硅片的自動化運送,反應(yīng)氣體從反應(yīng)腔中部區(qū)域通入,在熱能的驅(qū)動下發(fā)生化學反應(yīng),最終在硅晶圓表面沉...
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