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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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精細(xì)調(diào)控金屬電結(jié)晶形貌有望從根本上實(shí)現(xiàn)高度可逆的金屬陽極

精細(xì)調(diào)控金屬電結(jié)晶形貌(包括晶格結(jié)構(gòu)和晶面取向)有望從根本上實(shí)現(xiàn)高度可逆的金屬陽極，提高金屬電池循環(huán)穩(wěn)定性。

2023-01-31 標(biāo)簽：SEM PVA 電解液 3.6k 0

混合多功能界面作為人工SEI層實(shí)現(xiàn)無枝晶、長壽命的金屬鈉負(fù)極

在循環(huán)過程中，鈉金屬負(fù)極的鈉枝晶生長不受控制，SEI形成不穩(wěn)定，導(dǎo)致庫侖效率差，壽命較短。為了解決這一問題，本文研究了一系列鈉離子導(dǎo)電合金型保護(hù)界面(N...

2023-06-29 標(biāo)簽：SEM DFT XRD 3.6k 0

一系列芳香族小分子鋅離子電池電解液添加劑的應(yīng)用研究

金屬鋅作為鋅離子電池研究的圣杯陽極，具有理論比容量高(820 mAh g?1)和Zn/Zn2+ (-0.76 V vs標(biāo)準(zhǔn)氫電極)氧化還原電位低的優(yōu)點(diǎn)。

2023-06-14 標(biāo)簽：離子電池電解液 DFT 3.6k 0

CORDIC算法簡介

在信號(hào)處理領(lǐng)域，CORDIC（Coordinate Rotation Digital Computer，坐標(biāo)旋轉(zhuǎn)數(shù)字計(jì)算機(jī)）算法具有重大工程意義。

2023-03-28 標(biāo)簽：信號(hào)處理 DDS DFT 3.6k 0

下一代鋰電池高性能正極材料的設(shè)計(jì)思路-離子交換法

層狀氧化物正極材料中如高鎳三元材料和富鋰材料，由于其優(yōu)良的鋰離子傳輸特性、高能量密度和相對(duì)較低的成本，已被廣泛用于鋰離子電池。

2023-05-15 標(biāo)簽：鋰離子電池電解質(zhì)DFT 3.6k 0

分享芯片出SDF文件的一個(gè)“坑”

不同于PT，Tempus會(huì)默認(rèn)寫出setuphold的負(fù)值。

2023-05-08 標(biāo)簽：mcu ISP DFT 3.6k 0

如何使用 DFT App 進(jìn)行硬件仿真

Ad-hoc DFT 包括一套提倡“良好”設(shè)計(jì)規(guī)范的規(guī)則，旨在簡化和加速測試流程。例如，提供置位和復(fù)位信號(hào)，使得所有觸發(fā)器均可初始化；避免引起振蕩的異步...

2018-04-12 標(biāo)簽：dft 硬件仿真 3.5k 0

元素?fù)诫s對(duì)LaAlO3紅外輻射材料的帶隙調(diào)控

紅外輻射陶瓷作為一種新型節(jié)能材料，受到高溫工業(yè)的廣泛關(guān)注。

2023-11-01 標(biāo)簽：DoS DFT 光譜儀 3.3k 0

DFT之MBIST存儲(chǔ)器內(nèi)建自測試原因

MBIST是Memory Build-In-Self Test的簡稱，意為存儲(chǔ)器內(nèi)建自測試。

2024-05-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 JTAG DFT 3.3k 0

詳細(xì)描述和解釋GOF ECO每一個(gè)步驟的實(shí)現(xiàn)方法和注意事項(xiàng)

GOF ECO不僅大大縮短了芯片ECO的Turn-around時(shí)間，還大大提升了芯片復(fù)雜邏輯ECO的成功率。

2022-11-07 標(biāo)簽：RTL DFT GUI 3.3k 0

PtNi納米合金可與Ni單原子發(fā)生原子置換

多相金屬催化劑在化工生產(chǎn)、環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)能源生產(chǎn)中發(fā)揮著重要作用。為了實(shí)現(xiàn)催化活性金屬的有效利用，金屬物種通常被設(shè)計(jì)為高度分散的形式，如金屬納米顆粒、...

2023-01-03 標(biāo)簽：DFT 傅里葉變換 XRD 3.3k 0

將廢正極材料升級(jí)為高穩(wěn)定性鋰硫電池的雙功能催化劑！

鋰硫（Li-S）電池是由一系列逐步轉(zhuǎn)換氧化還原反應(yīng)充放電的，由于其低成本、高比容量和環(huán)境可持續(xù)性，在其他電化學(xué)器件中脫穎而出，然而，鋰多硫化物（LiPS...

2024-05-11 標(biāo)簽：正極材料 DFT 鋰硫電池 3.3k 0

調(diào)節(jié)水中O-H鍵的溶劑化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高度可逆水系鋅離子電池

近年來，鋅離子電池的發(fā)展備受關(guān)注。水系鋅離子電池面臨的挑戰(zhàn)包括電化學(xué)穩(wěn)定窗口窄、鋅電極腐蝕和枝晶生長、工作溫區(qū)窄以及正極材料性能衰退等。

2023-05-16 標(biāo)簽：鋅電池電解質(zhì)電解液 3.3k 0

景芯SoC項(xiàng)目之DFT debug

景芯SoC項(xiàng)目是個(gè)付費(fèi)培訓(xùn)項(xiàng)目，項(xiàng)目數(shù)據(jù)在服務(wù)器上。景芯SoC在tessent完成edt occ插入并且仿真OK后，去綜合，然后做scan chain ...

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數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程中為什么要做門級(jí)仿真？

門級(jí)仿真（gate levelsimulation）也稱之為后仿真，是數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程中的一個(gè)重要步驟。

2023-06-07 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)芯片設(shè)計(jì)仿真 3.2k 0

解析什么是DFT友好的功能ECO？

DFT是確保芯片在制造過程中具有可測試性的一種技術(shù)。DFT友好的ECO是指在進(jìn)行ECO時(shí)，不會(huì)破壞芯片的DFT功能或降低DFT覆蓋率的設(shè)計(jì)方法。DFT...

2023-05-05 標(biāo)簽：芯片寄存器 DFT 3.2k 0

基于拓?fù)浞磻?yīng)法制備高質(zhì)量鐵基超導(dǎo)薄膜

制備高質(zhì)量的鐵基超導(dǎo)體并進(jìn)行系統(tǒng)的物性表征是深入認(rèn)識(shí)高溫超導(dǎo)機(jī)理的重要途經(jīng)。在FeCh(Ch=S, Se, Te)基超導(dǎo)體中，單層FeSexTe1-x/...

2022-11-04 標(biāo)簽：DFT ssc 傅里葉變換 3.2k 0

FPGA實(shí)現(xiàn)OFDM（1）-OFDM的原理是什么？

fromwiki:調(diào)制是將傳送資料對(duì)應(yīng)于載波變化的動(dòng)作，可以是載波的相位、頻率、幅度、或是其組合。

2023-06-27 標(biāo)簽：FPGA設(shè)計(jì)編碼器 DFT 3.1k 0

高性能超高鎳層狀正極的多尺度晶體場效應(yīng)

通常認(rèn)為，超高鎳正極的性能劣化與源自次級(jí)顆粒內(nèi)隨機(jī)取向的初級(jí)晶粒的晶間裂紋密切相關(guān)，這主要是由于c軸從H2到H3相變的急劇晶格收縮引起的各向異性機(jī)械應(yīng)變...

2023-07-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電解質(zhì)DFT 3.1k 0

FIR數(shù)字濾波器具有線性相位的充分條件是什么？

這就是證明的方式。請(qǐng)同學(xué)們理解這個(gè)過程。在課堂上，我將x(n)換成了n，結(jié)果很多同學(xué)就有點(diǎn)蒙了。

2022-10-24 標(biāo)簽：數(shù)字濾波器 FIR DFT 3.1k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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