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SOITEC與四聯(lián)合作開發(fā)GaN晶片 大大降低LED成本
SOITEC與重慶四聯(lián)光電就共同使用HVPE制造氮化鎵(GaN)達(dá)成了協(xié)議。GaN晶體模板在LED的生產(chǎn)中能大大降低成本。
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來說,相比LDMOS硅技術(shù)而言,GaN這一材料技術(shù),大大提升了效率和功率密度。
硅上GaN LED 不必受應(yīng)力的影響,一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個(gè)研究小組通過原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率,制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延...
本文使用Agilent ADS 仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款GaN 寬帶功率放大器, 并對(duì)放大器進(jìn)行了詳細(xì)測(cè)試, 驗(yàn)證了放大器在S 波段2 GHz 帶寬內(nèi)的寬帶...
瑞薩電子發(fā)表適用于CATV的GaN功率放大器模組MC-7802
先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(Renesas Electronics)日前發(fā)表適用于1GHz有線電視(CATV)系統(tǒng)的氮化鎵(GaN)功率放大器模組...
首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)
科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會(huì)上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)
IMEC與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長(zhǎng)GaN/AlGaN的技術(shù),IMEC介紹了該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)大尺寸生產(chǎn)和兼容性好的優(yōu)勢(shì)
日本田村制作所與光波公司宣布,開發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件,預(yù)計(jì)可在2011年度末上市該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板
RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3
日前,高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932,這種無與倫...
Si襯底設(shè)計(jì)的功率型GaN基LED制造技術(shù)
目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù),美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此,研發(fā)其他襯底上的GaN基LED...
基于GaN的功率技術(shù)引發(fā)電子轉(zhuǎn)換革命
基于GaN的功率技術(shù)引發(fā)電子轉(zhuǎn)換革命 功率MOSFET出現(xiàn)之前,雙極性晶體管在功率電子領(lǐng)域一直占據(jù)主導(dǎo)地位,而且線性供電支配著整個(gè)電源世界。但是,30...
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