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標(biāo)簽 > sk海力士
SK海力士(Hynix)是一家源自韓國(guó)的半導(dǎo)體芯片制造商,主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲(chǔ)芯片。它是全球最大的半導(dǎo)體公司之一,也是全球DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者之一。
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SK海力士收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù) 先后獲美國(guó)、歐盟、韓國(guó)相關(guān)監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)
5月30日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在獲得美國(guó)和歐盟的批準(zhǔn)之后,SK海力士90億美元收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的交易,也已獲得了韓國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)。 ? 從...
三星向美國(guó)提供芯片供應(yīng)鏈數(shù)據(jù)
根據(jù)海外媒體的報(bào)道稱,日前三星公司已經(jīng)向美國(guó)提供芯片供應(yīng)鏈數(shù)據(jù),截至目前,已經(jīng)有23家企業(yè)機(jī)構(gòu)先后向美國(guó)提供了相關(guān)信息,其中英特爾公司還尚未回應(yīng)。
DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格不斷下跌 海力士推遲無(wú)錫新廠投產(chǎn)計(jì)劃
據(jù)外媒報(bào)道,由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格不斷下跌,近期又有華為事件的影響,SK海力士正在計(jì)劃推遲位于中國(guó)無(wú)錫的全球最先進(jìn)內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計(jì)劃。
內(nèi)存價(jià)格壞消息又來(lái) 三星/SK海力士搶先下手
據(jù)快科技訊,內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多,業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測(cè)到今年第四季度逐步回歸正常,但還沒(méi)來(lái)得及興奮,壞消息就來(lái)。
SK海力士詳細(xì)介紹16Gb DDR5 新一代DRAM將重振內(nèi)存市場(chǎng)
SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個(gè)五代雙倍速率(DDR5) DRAM, 達(dá)到了電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Ele ctron Device Engi...
SK海力士新款PCIe NVMe固態(tài)硬盤將于CES 2020展會(huì)上亮相
根據(jù)消息報(bào)道,韓國(guó)全球半導(dǎo)體制造商SK海力士將在2020年國(guó)際消費(fèi)電子展(CES)上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe...
DRAM降產(chǎn),NAND投入減少逾15% SK海力士Q2同比下跌88%
盡管智能手機(jī)/服務(wù)器市場(chǎng)正在惡化,但對(duì)PC市場(chǎng)的需求正在復(fù)蘇。 存儲(chǔ)器制造商韓國(guó)SK海力士于26日(北京時(shí)間)報(bào)告了2019年第二季度的財(cái)務(wù)摘要。 第二...
SK海力士宣布推出全球首款4D閃存,已經(jīng)推進(jìn)到了128層堆疊
首先是3D NAND的技術(shù)路線選擇,SK海力士稱,CTF(Charge Trap Flash,電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲(chǔ)單元...
芯片量?jī)r(jià)齊跌 SK海力士一季度利潤(rùn)大跌69%
一季度,全球第二大記憶芯片制造商利潤(rùn)創(chuàng)下2012年來(lái)的最大跌幅。公司預(yù)計(jì)DRAM芯片需求將從二季度起復(fù)蘇。 芯片銷售仍然疲弱, SK海力士一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)...
2019-04-25 標(biāo)簽:SK海力士 4.6k 0
賽普拉斯和SK海力士新設(shè)合資企業(yè):專攻SLC NAND市場(chǎng)
近日消息,賽普拉斯 (Cypress) 和 SK 海力士新成立了一家名為 SkyHigh Memory Limited的合資公司,目前已獲得反¢斷監(jiān)管部...
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)過(guò)去一年多低迷期后,近日芯片價(jià)格終于出現(xiàn)反彈跡象,令券商看好三星電子及SK海力士(SK Hynix)兩大韓國(guó)芯片業(yè)者今年獲利好轉(zhuǎn)。 券商分...
SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存:512Gb TLC、年末出樣
SK海力士宣布推出了全球首款4D閃存。從現(xiàn)場(chǎng)給出的技術(shù)演示來(lái)看,4D閃存和此前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking十分相似,只不過(guò)外圍電路(PUC,Peri.Ci...
聯(lián)電與福建晉華合作開(kāi)發(fā)DRAM 卻無(wú)故招惹上了美光
聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子中,因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職,不只是員工個(gè)人被起訴,聯(lián)電也被臺(tái)中地檢署根據(jù)違...
SK 海力士 M16 新廠已竣工:首次使用極紫外輻射(EUV)光刻機(jī)在生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片
存儲(chǔ)芯片廠商 SK 海力士 2 月 1 日宣布,其公司位于韓國(guó)首爾南部利川市的 M16 新廠已經(jīng)竣工,SK 海力士將首次使用極紫外輻射(EUV)光刻機(jī)在...
SK Hynix將在2020年削減資本支出 加速過(guò)渡1z nm DRAM和128L 4D NAND
在2019年收入和利潤(rùn)率大幅下降之后,SK Hynix宣布計(jì)劃削減其資本支出。盡管市場(chǎng)已經(jīng)顯示出復(fù)蘇的跡象,但該公司不確定對(duì)DRAM和NAND的需求,因...
據(jù)海外媒體報(bào)道,韓國(guó)SK集團(tuán)(SK Group)為了提升股東價(jià)值,針對(duì)五大新事業(yè)領(lǐng)域加強(qiáng)對(duì)外購(gòu)并。但身為集團(tuán)金牛的SK海力士(SK Hynix)卻位在疊...
2017-01-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SK海力士半導(dǎo)體模組 4.5k 0
存儲(chǔ)器產(chǎn)能供過(guò)于求 價(jià)格走低是目前市場(chǎng)趨勢(shì)
由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”,NAND Flash快閃存儲(chǔ)器和DRAM價(jià)格已經(jīng)持續(xù)走低,終結(jié)了持續(xù)兩年的市場(chǎng)供應(yīng)緊俏狀況。
海力士:引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
柵極由絕緣膜(柵氧化層, gate oxide)和電極(柵電極, gate electrode)組成,在晶體管開(kāi)關(guān)功能中發(fā)揮主要作用。柵氧化層由SiON...
三星向美國(guó)提供芯片供應(yīng)鏈數(shù)據(jù) 部分文件涉及機(jī)密不對(duì)外公開(kāi)
繼昨日臺(tái)積電已向美提交芯片供應(yīng)鏈信息之后,緊接著三星也向美國(guó)提供芯片供應(yīng)鏈數(shù)據(jù)。
沖突升級(jí)!日本正式?jīng)Q定將韓國(guó)從“白名單”中移除
月初,日本政府宣布自4日起實(shí)行限制3種用于半導(dǎo)體制造的材料對(duì)韓出口,此舉被視為日方對(duì)韓國(guó)“強(qiáng)征勞工”案的反制措施之一。
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