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TSV（Through Silicon Vias）硅片通道通過硅通孔（TSV）銅互連的立體（3D）垂直整合，目前被認為是半導體行業(yè)最先進的技術之一。硅片通孔（TSV）是三維疊層硅器件技術的最新進展。

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tsv技術

探討引線鍵合這一傳統(tǒng)的方法

結束前工序的每一個晶圓上，都連接著500~1200個芯片（也可稱作Die）。為了將這些芯片用于所需之處，需要將晶圓切割(Dicing)成單獨的芯片后，再...

2023-02-13 標簽：印刷電路板 PCB布線 TSV 3.1k 0

基于TSV的3D-IC關鍵集成技術

3D-IC通過采用TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技術，實現(xiàn)了不同層芯片之間的垂直互連。這種設計顯著提升了系統(tǒng)集成度，同時有效地...

2025-02-21 標簽：芯片 IC 晶圓 3.1k 0

先進封裝的核心概念、技術和發(fā)展趨勢

先進封裝簡介先進封裝技術已成為半導體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的主要推動力之一，為突破傳統(tǒng)摩爾定律限制提供了新的技術手段。本文探討先進封裝的核心概念、技術和發(fā)展趨勢...

2024-12-18 標簽：TSV FOWLP 先進封裝 3k 0

如何利用工具模板快速對TSV陣列進行建模

本文介紹了采用芯和半導體ViaExpert軟件進行TSV陣列的建模和仿真分析流程。TSV結構復雜，存在建模繁瑣、分析不便等問題。

2022-06-03 標簽：軟件 TSV viaexpert 2.9k 0

?三維集成電路的TSV布局設計

在三維集成電路設計中，TSV（硅通孔）技術通過垂直互連顯著提升了系統(tǒng)集成密度與性能，但其物理尺寸效應與寄生參數(shù)對互連特性的影響已成為設計優(yōu)化的核心挑戰(zhàn)。

2025-08-25 標簽：集成電路 TSV 硅通孔 2.8k 0

什么原因會影響TSV的可靠性呢？

就像PCB中的高縱橫比通孔和小直徑通孔一樣，半導體封裝中的3D互連也面臨著與3D晶片堆棧的熱力學行為相關的可靠性挑戰(zhàn)。

2023-07-21 標簽：pcb DRAM HDI 2.8k 0

一文看懂TSV

肖特基的硅片上制作孔專利此后， IBM開始在集成電路領域發(fā)力，并在垂直電互連方面取得了突破。

2023-03-31 標簽：集成電路 mems TSV 2.7k 0

先進封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進展

2023-09-06 標簽：封裝電鍍 TSV 2.7k 0

第四篇：了解不同類型的半導體封裝（第二部分）

想象一下，在一個由多棟低層樓房組成的住宅綜合體內，若要容納數(shù)千名居民，則需要占據(jù)非常大的面積才能滿足需求。

2024-01-25 標簽：存儲器晶圓半導體封裝 2.7k 0

TSV制造技術里的通孔刻蝕與絕緣層

相較于傳統(tǒng)CMOS工藝，TSV需應對高深寬比結構帶來的技術挑戰(zhàn)，從激光或深層離子反應刻蝕形成盲孔開始，經(jīng)等離子體化學氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子...

2025-08-01 標簽：制造技術 TSV 刻蝕 2.6k 0

TSV與異構集成技術的前沿進展與趨勢展望

先進封裝是芯片設計的必由之路。TSV則是必由之路上的服務站。世界上各個主要的IC廠商包括設計、晶圓、封測廠商，開發(fā)了一大批專利技術，使用TSV達成各種復...

2024-02-25 標簽：sram 芯片設計 TSV 2.6k 0

先進封裝中TSV工藝需要的相關設備

Hello,大家好，我們來分享下先進封裝中TSV需要的相關設備。

2025-02-19 標簽：工藝 TSV 先進封裝 2.5k 0

TSV制造技術里的關鍵界面材料與工藝

在TSV制造技術中，既包含TSV制造技術中通孔刻蝕與絕緣層的相關內容。

2025-08-01 標簽：工藝制造技術 TSV 2.5k 0

一文看懂TSV技術

來源：半導體風向標從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，意為“通過硅通...

2023-07-26 標簽：芯片半導體存儲器 2.4k 0

基于TSV的三維集成電路制造技術

三維集成電路工藝技術因特征尺寸縮小與系統(tǒng)復雜度提升而發(fā)展，其核心目標在于通過垂直堆疊芯片突破二維物理極限，同時滿足高密度、高性能、高可靠性及低成本的綜合需求。

2025-07-08 標簽：芯片集成電路鍵合 2.3k 0

TGV和TSV技術的主要工藝步驟

TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）是兩種用于實現(xiàn)不同層面之間電氣連接的技術。

2025-06-16 標簽：芯片工藝玻璃基板 2.3k 0

封裝設計中的電-熱-力多物理場耦合設計

集成電路及其封裝是典型的由名種材料構成的復合結構體系，也是典型的多物理場耦合系統(tǒng)。

2023-05-17 標簽：集成電路晶體管 TSV 2.2k 0

TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化技術

本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術的核心環(huán)節(jié)，主要應用于含銅 TSV 互連的減薄芯片制造流...

2025-08-12 標簽：硅晶圓集成技術 TSV 2.1k 0

3D封裝架構的分類和定義

3D封裝架構主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進工藝實現(xiàn)高密度互連。

2025-10-16 標簽：芯片 TSV 3D封裝 2.1k 0

盤點先進封裝基本術語

先進封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時代的一大技術亮點。當芯片在每個工藝節(jié)點上的微縮越來越困難、也越來越昂貴之際，工程師們將多個芯片...

2023-07-12 標簽：fpga 晶圓封裝 2k 0

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