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電子發(fā)燒友網(wǎng)>通信網(wǎng)絡(luò)>今日看點(diǎn)丨SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E;蘋(píng)果正在開(kāi)發(fā) A19 仿生處理器和 M5 系列芯片

今日看點(diǎn)丨SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E;蘋(píng)果正在開(kāi)發(fā) A19 仿生處理器和 M5 系列芯片

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SK海力士開(kāi)發(fā)HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比,新款HBM2E擁有大約50%的帶寬和100%的額外容量。 該公司透露,SK Hynix的HBM2E支持超過(guò)每秒
2019-08-13 09:28:416585

消息稱SK海力士將向博世提供汽車存儲(chǔ)芯片

討論購(gòu)買存儲(chǔ)芯片的事宜。知情人士透露,SK海力士已經(jīng)完成了符合博世要求的規(guī)格的存儲(chǔ)芯片開(kāi)發(fā)。 ? 與消費(fèi)類設(shè)備中使用的DRAM相比,汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開(kāi)發(fā)的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:017590

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2021-04-16 12:37:472906

SK海力士開(kāi)發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開(kāi)發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472160

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2022-02-16 11:04:511957

今日看點(diǎn)美國(guó)將四家中國(guó)公司加入SDN名單??;SK海力士開(kāi)發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

為由,將4家中國(guó)公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開(kāi)發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ,已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191910

AI訓(xùn)練不可或缺的存儲(chǔ),HBM3 DRAM再升級(jí)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶) SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片,成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:004812

追趕SK海力士,三星、美光搶進(jìn)HBM3E

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來(lái)越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來(lái)看,HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E
2023-10-25 18:25:244379

今日看點(diǎn)英特爾酷睿 Ultra 移動(dòng)處理器發(fā)布:采用 Intel 4 工藝;極氪汽車發(fā)布首款自研“金磚”電池

努力推動(dòng)人工智能半導(dǎo)體的本地生產(chǎn),近日有業(yè)內(nèi)消息稱三星、SK海力士正在商討在美國(guó)生產(chǎn)HBM。 ? SK海力士于2022年7月宣布將投資150億美元在美國(guó)建立存儲(chǔ)芯片封裝工廠和研發(fā)中心,不過(guò)選址至今尚未確定。業(yè)界預(yù)計(jì),SK海力士將選擇生產(chǎn)HBM芯片,并優(yōu)先實(shí)施TSV硅
2023-12-15 11:14:451279

今日看點(diǎn)SK海力士砸900多億美元建半導(dǎo)體廠;消息稱聯(lián)發(fā)科天璣 9400 暫定 10 月發(fā)布

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2024-03-22 10:47:381595

專業(yè)回收海力士HYNIX字庫(kù) 收購(gòu)海力士字庫(kù)

! 帝歐 字庫(kù)收購(gòu),價(jià)格高才是硬道理??!】】回收字庫(kù),回收手機(jī)字庫(kù),回收三星字庫(kù),回收現(xiàn)代字庫(kù),回收海力士字庫(kù),回收鎂光字庫(kù),回收東芝字庫(kù),回收電子,回收芯片,回收IC,回收電子料,回收MTK芯片全新
2021-04-27 16:10:09

回收海力士字庫(kù) 收購(gòu)海力士字庫(kù)

本帖最后由 dealicdz 于 2021-8-31 15:19 編輯 `海力士HYNIX字庫(kù) 高價(jià)回收 ,長(zhǎng)期回收海力士HYNIX字庫(kù), 帝歐電子 高價(jià)+優(yōu)勢(shì)收購(gòu)手機(jī)字庫(kù)?。 靖邇r(jià)收購(gòu)海力士
2021-07-16 18:07:56

收購(gòu)海力士內(nèi)存芯片

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2021-01-25 17:59:52

高價(jià)回收海力士內(nèi)存

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2020-11-20 16:59:46

高價(jià)回收海力士內(nèi)存

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2021-03-13 17:46:31

高價(jià)回收海力士內(nèi)存

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2021-07-02 19:07:56

高價(jià)回收海力士內(nèi)存 深圳高價(jià)收購(gòu)海力士內(nèi)存

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2021-04-13 18:51:47

高價(jià)回收海力士內(nèi)存,長(zhǎng)期收購(gòu)海力士內(nèi)存

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2021-08-02 17:44:42

高價(jià)回收海力士字庫(kù)

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2021-01-29 17:52:55

SK海力士開(kāi)發(fā)出238層NAND閃存芯片

閃存NAND海力士NAND閃存SK海力士行業(yè)芯事時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2022-08-03 11:11:04

SK 海力士發(fā)布全球最高密度移動(dòng) 8GB DRAM

SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動(dòng) DRAM,將應(yīng)用于未來(lái)智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動(dòng) DRAM,容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言,SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高,功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941

SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲(chǔ)

雖然封裝不易,但 HBM 存儲(chǔ)依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ),而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322

海力士成功量產(chǎn)HBM2E存儲(chǔ),適用于新一代AI系統(tǒng)的存儲(chǔ)解決方案

7月2日消息,據(jù)外媒報(bào)道,SK 海力士宣布,其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開(kāi)發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275

美國(guó)芯片企業(yè)開(kāi)發(fā)出全球最快的64位Risc-V處理器

據(jù)外媒報(bào)道指美國(guó)芯片企業(yè)Micro Magic開(kāi)發(fā)出全球最快的64位Risc-V處理器,性能比當(dāng)下性能最強(qiáng)的ARM處理器--蘋(píng)果M1還要強(qiáng),而功耗更低??紤]到中國(guó)正在努力擺脫對(duì)ARM的依賴,中國(guó)或許將會(huì)進(jìn)一步加大力度開(kāi)發(fā)Risc-V架構(gòu)。
2020-12-17 14:48:433832

SK海力士成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國(guó)SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來(lái)了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142676

SK海力士將向英偉達(dá)系統(tǒng)供應(yīng)HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開(kāi)發(fā)出最新高帶寬存儲(chǔ)HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219

SK海力士開(kāi)發(fā)出業(yè)界最快的服務(wù)內(nèi)存模組MCR DIMM

2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司', www.skhynix.com )今日宣布成功開(kāi)發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:312118

瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!

SK海力士正忙于處理來(lái)自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894

HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬(wàn)億韓元積極擴(kuò)產(chǎn)

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計(jì)劃到明年年底為止投資2萬(wàn)億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計(jì)劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021511

黃仁勛甩出最強(qiáng)生成式AI處理器全球首發(fā)HBM3e,比H100還快

在隨后大約1小時(shí)20分鐘的演講中,黃仁勛宣布全球首發(fā)HBM3e內(nèi)存——推出下一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片。黃仁勛將它稱作“加速計(jì)算和生成式AI時(shí)代的處理器”。
2023-08-09 14:48:001823

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:471994

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開(kāi)發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開(kāi)始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)市場(chǎng)上的獨(dú)一無(wú)二的地位?!?/div>
2023-08-21 09:21:491810

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3EHBM3的擴(kuò)展版本)的成功開(kāi)發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平,SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無(wú)與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676

SK海力士全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說(shuō)是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展,它有著當(dāng)前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670

蘋(píng)果或?qū)⒅攸c(diǎn)研發(fā)A19M5系列芯片

速、高效的操作體驗(yàn)。 不僅如此,將于10月發(fā)布的新款Mac產(chǎn)品也將采用M3芯片,預(yù)計(jì)將在計(jì)算性能和能效方面邁上一個(gè)新臺(tái)階。 據(jù)了解,A17仿生芯片M3芯片即將亮相,蘋(píng)果已經(jīng)在著手研發(fā)未來(lái)幾代芯片,其中包括A19仿生芯片M5系列芯片ubgksbt。 關(guān)于A19仿生芯片M
2023-08-23 10:15:201875

SK海力士成功開(kāi)發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時(shí),SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無(wú)需修改其設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:131515

Meta、英偉達(dá)相繼拜訪SK海力士,要求額外供應(yīng)DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購(gòu)買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務(wù)dram。據(jù)悉,對(duì)ai服務(wù)投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)dram。
2023-08-30 10:03:331393

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開(kāi)發(fā)。而HBM3EHBM3 的擴(kuò)展(Extended)版本。 ? 美光科技日前宣稱新款HBM3E同樣可以達(dá)到 1.2 TB/s的速度
2023-10-10 10:25:461636

1.1TB HBM3e內(nèi)存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無(wú)緣中國(guó)

NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來(lái)自SK海力士),單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點(diǎn)點(diǎn)),同時(shí)帶寬多達(dá)4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:132330

英偉達(dá)大量訂購(gòu)HBM3E內(nèi)存,搶占市場(chǎng)先機(jī)

英偉達(dá)(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場(chǎng)將新一輪競(jìng)爭(zhēng)。
2023-12-29 16:32:501622

SK海力士在CES 2024展示未來(lái)AI基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵技術(shù)

尤其值得關(guān)注的是,HBM3E系目前最具頂級(jí)性能的存儲(chǔ),由SK海力士于去年8月成功研發(fā)。公司預(yù)計(jì)自今明兩年起實(shí)現(xiàn)此類產(chǎn)品的大量生產(chǎn),并向廣泛的AI科技企業(yè)供應(yīng)。
2024-01-03 09:36:311126

SK海力士擬在美國(guó)建廠生產(chǎn)HBM芯片

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃在美國(guó)印第安納州投資興建一座先進(jìn)封裝工廠,專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存(HBM芯片。這一舉措旨在與英偉達(dá)(NVIDIA)的AI GPU進(jìn)行深度整合,共同推動(dòng)美國(guó)本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946

SK海力士HBM3E內(nèi)存提前兩個(gè)月大規(guī)模生產(chǎn),專用于英偉達(dá)AI芯片

值得一提的是,半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個(gè)階段,而 SK 海力士已經(jīng)成功走過(guò)了各個(gè)環(huán)節(jié),正在進(jìn)行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:451152

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲(chǔ),領(lǐng)先三星

在嚴(yán)格的9個(gè)開(kāi)發(fā)階段后,當(dāng)前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計(jì)劃3月獲取英偉達(dá)對(duì)終品質(zhì)量的認(rèn)可,同步啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429

SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲(chǔ)

全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)HBM3E)的開(kāi)發(fā)工作,并成功通過(guò)了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開(kāi)始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)產(chǎn)品,并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739

SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對(duì)此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場(chǎng)對(duì) HBM 存儲(chǔ)的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場(chǎng)需求,保護(hù)其市場(chǎng)占有率。
2024-02-23 14:12:001306

SK海力士預(yù)計(jì)3月量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉達(dá)

近日,全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開(kāi)發(fā),并且已經(jīng)通過(guò)了英偉達(dá)
2024-02-25 11:22:211656

美光科技啟動(dòng)高帶寬存儲(chǔ)芯片生產(chǎn) 為英偉達(dá)最新AI芯片提供支持

英偉達(dá)下一代H200圖形處理器將采用美光HBM3E芯片,預(yù)計(jì)于今年第2季交付,有望超越現(xiàn)有的H100芯片,為美光科技貢獻(xiàn)更高業(yè)績(jī)。此外,龍頭廠商SK海力士等供應(yīng)的AI HBM(高寬帶存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求持續(xù)升溫
2024-02-27 09:33:291543

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583

SK海力士斥資10億美元,加碼先進(jìn)芯片封裝研發(fā)以滿足AI需求

據(jù)封裝研發(fā)負(fù)責(zé)人李康旭副社長(zhǎng)(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國(guó)投入逾10億美元擴(kuò)充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因,實(shí)現(xiàn)了低功耗、提升性能等優(yōu)勢(shì),提升了SK海力士HBM市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-03-07 15:24:171193

SK海力士擴(kuò)大對(duì)芯片投資

SK海力士正積極應(yīng)對(duì)AI開(kāi)發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲(chǔ))日益增長(zhǎng)的需求,為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開(kāi)發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)明確指出,公司正在韓國(guó)投入超過(guò)10億美元,以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441799

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開(kāi)始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過(guò)了七個(gè)月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)內(nèi)處理多達(dá)約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn),將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲(chǔ)HBM3E

HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844

美光:高帶寬存儲(chǔ)芯片至2025年供應(yīng)已近飽和

現(xiàn)階段,NVIDIA在其新一代H200圖形處理器(GPU)上選擇采用了美光最新款的HBM3E芯片。過(guò)去,韓國(guó)SK海力士曾是其獨(dú)家供應(yīng)商。
2024-03-21 16:26:361490

英偉達(dá)尋求從三星采購(gòu)HBM芯片

英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計(jì)劃從后者采購(gòu)高帶寬存儲(chǔ)(HBM芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時(shí),三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287

剛剛!SK海力士出局!

來(lái)源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據(jù)報(bào)道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問(wèn)題,英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨(dú)家供貨,SK海力士出局! 據(jù)了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士聯(lián)手TEMC開(kāi)發(fā)氖氣回收技術(shù),年度節(jié)省400億韓元

SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置,用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣,然后交予 TEMC 進(jìn)行純化處理,最后回流至 SK 海力士使用。
2024-04-02 14:25:591038

SK海力士與臺(tái)積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)

HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開(kāi)始,該公司將轉(zhuǎn)用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071379

SK海力士和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄 目標(biāo)2026年投產(chǎn)HBM4

HBM 中扮演非常重要的角色。 包括 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)在內(nèi),SK 海力士旗下 HBM 產(chǎn)品的基礎(chǔ)裸片此前均采用自家工藝
2024-04-20 08:36:51492

SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191395

SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

韓國(guó) SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應(yīng)壓力,可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:071054

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績(jī)主要?dú)w功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計(jì)2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場(chǎng)需求,SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

漲價(jià)20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片

業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場(chǎng)搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價(jià)格飆漲,最高漲幅達(dá)二成,且下半年報(bào)價(jià)還會(huì)再上揚(yáng)。
2024-05-14 10:31:58877

SK海力士HBM4E存儲(chǔ)提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從2026年開(kāi)始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲(chǔ)HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

三星HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行,英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注

業(yè)內(nèi)評(píng)論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問(wèn)題,主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過(guò)程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過(guò)驗(yàn)證。
2024-05-16 17:56:201863

SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下一代HBM

近日,SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作,計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項(xiàng)合作中,臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確保基礎(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測(cè)試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達(dá)80%

早在今年3月份,韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出,全球HBM存儲(chǔ)的平均良率約為65%。據(jù)此來(lái)看,SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079

SK海力士HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%,達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報(bào)道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171890

中國(guó)AI芯片HBM市場(chǎng)的未來(lái)

 然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場(chǎng)80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨(dú)家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動(dòng)HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726

SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開(kāi)發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備,意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:221513

TLB成功開(kāi)發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品

近日,韓國(guó)上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開(kāi)發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨(dú)家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:342168

SK海力士擴(kuò)大1b nm DRAM產(chǎn)能以應(yīng)對(duì)HBM3E需求

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能HBM3E(高帶寬內(nèi)存第三代增強(qiáng)版)內(nèi)存的激增需求,全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量?jī)?nèi)存產(chǎn)品,同時(shí)進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:571084

英偉達(dá)巨資預(yù)訂HBM3E,力拼上半年算力市場(chǎng)

全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,英偉達(dá)以其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)影響力,始終保持著領(lǐng)先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨(dú)特的戰(zhàn)略眼光和強(qiáng)大的資金實(shí)力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達(dá)13億美元的預(yù)算,向美光和SK海力士預(yù)訂了部分高帶寬存儲(chǔ)HBM3e的產(chǎn)能。
2024-06-22 16:46:581465

今日看點(diǎn)蘋(píng)果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)

1. 三星:HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn),營(yíng)收貢獻(xiàn)將增長(zhǎng)至60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開(kāi)始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲(chǔ)HBM芯片HBM3e,并迅速提高其對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)。三星電子表示,該公司預(yù)計(jì)其
2024-08-01 11:08:111376

SK海力士DDR5芯片價(jià)格或?qū)⒋蠓蠞q

近日,據(jù)外媒報(bào)道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價(jià)格上調(diào)15%至20%,這一舉動(dòng)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價(jià)的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張,對(duì)DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461519

三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動(dòng)

進(jìn)入八月,市場(chǎng)傳言四起,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子(簡(jiǎn)稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而,三星迅速澄清,表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn),強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測(cè)試
2024-08-23 15:02:561638

SK海力士開(kāi)發(fā)出第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功開(kāi)發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255

SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

自豪地宣布,SK 海力士當(dāng)前市場(chǎng)上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位,而更進(jìn)一步的是,公司即將在本月底邁入一個(gè)新的里程碑,正式啟動(dòng)12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士
2024-09-05 16:31:361646

SK海力士開(kāi)始先進(jìn)人工智能芯片生產(chǎn)

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
2024-09-26 14:24:41878

SK海力士引領(lǐng)未來(lái):全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲(chǔ)技術(shù)格局

今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲(chǔ)的最大容量推升至史無(wú)前例的36GB新高度,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲(chǔ)市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311992

SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破,公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn),這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB,更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171177

特斯拉或向SK海力士下1萬(wàn)億韓元eSSD訂單

的eSSD也隨之成為AI芯片不可或缺的核心部分,與HBM(高帶寬內(nèi)存)芯片并駕齊驅(qū)。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)上,eSSD以其卓越的性能和能效比,正逐步取代傳統(tǒng)的HDD硬盤。 Solidigm,作為SK海力士旗下的NAND閃存開(kāi)發(fā)子公司,憑借其領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力,已開(kāi)發(fā)出業(yè)界最高
2024-10-25 10:19:081110

英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求

4。 HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品,具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲(chǔ)能力,對(duì)于提升計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此,英偉達(dá)作為全球領(lǐng)先的圖形處理器(GPU)制造商,對(duì)于HBM4的需求自然不言而喻。 對(duì)于SK海力士而言,黃仁勛的這一要求無(wú)
2024-11-05 10:52:481202

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

和卓越的研發(fā)能力,已經(jīng)提前開(kāi)發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實(shí)力,更凸顯了其對(duì)市場(chǎng)趨
2024-11-05 15:01:201233

SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲(chǔ)技術(shù)

限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲(chǔ)及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點(diǎn)發(fā)展高端存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對(duì)外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會(huì)上,韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189

SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動(dòng)中,SK hynix(SK海力士)透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉,該公司正在積極開(kāi)發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB,將為用戶帶來(lái)前所未有的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
2024-11-14 18:20:201364

特斯拉或向SK海力士、三星采購(gòu)HBM4芯片

近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開(kāi)發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉,特斯拉計(jì)劃在測(cè)試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應(yīng)商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:441532

SK海力士新設(shè)AI芯片開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)部門

開(kāi)發(fā)官(CDO)和首席生產(chǎn)官(CPO)領(lǐng)導(dǎo),與現(xiàn)有的三位負(fù)責(zé)營(yíng)銷、技術(shù)、企業(yè)中心運(yùn)營(yíng)的高管共同組成公司新的領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)。其中,SK海力士副總裁Ahn Hyun被晉升為總裁兼首席開(kāi)發(fā)官,他將負(fù)責(zé)新成立的開(kāi)發(fā)部門,致力于推動(dòng)未來(lái)產(chǎn)品如AI高帶寬存儲(chǔ)(HBM)等
2024-12-06 10:56:461145

蘋(píng)果M5系列芯片量產(chǎn)及新品搭載計(jì)劃曝光

的透露,蘋(píng)果M5系列芯片中的基礎(chǔ)型號(hào)M5將在明年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。緊隨其后的是M5 Pro和M5 Max,這兩款芯片預(yù)計(jì)將在明年下半年量產(chǎn)。而最高端的M5 Ultra則要到2026年才會(huì)開(kāi)始量產(chǎn)。 在產(chǎn)品搭載方面,蘋(píng)果也有著明確的計(jì)劃。據(jù)稱,明年下半年登場(chǎng)的MacBook Pro將首發(fā)搭載M5系列芯片
2024-12-24 10:20:421442

SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備

近日,SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測(cè)試已經(jīng)正式啟動(dòng),為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了
2024-12-26 14:46:241050

SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章

SK海力士宣布,519日于首爾COEX麻谷會(huì)展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上,來(lái)自HBM開(kāi)發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
2025-06-03 09:36:481011

SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無(wú)疑發(fā)揮了決定性作用。無(wú)論是率先開(kāi)發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊(duì)求購(gòu)SK海力士HBM芯片,這些國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)據(jù)報(bào)道,繼英偉達(dá)之后,全球多個(gè)科技巨頭都在競(jìng)購(gòu)SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱,各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請(qǐng)求獲取HBM3E樣本,包括
2023-07-06 09:06:313696

HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來(lái)了!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)眼下各家存儲(chǔ)芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展,原本SK海力士計(jì)劃2026年量產(chǎn)HBM4,不過(guò)最近
2024-07-28 00:58:136874

風(fēng)景獨(dú)好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)

海力士宣布公司已開(kāi)始量產(chǎn)12H HBM3E芯片,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片,實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度,同時(shí)容量提升50%。運(yùn)行速度提高至
2024-10-06 01:03:005496

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