◆QR控制模式，顯著減低開關(guān)損耗，支持125kHz工作頻率，減小變壓器及輸出電容體積；

◆QR/PFM/Burst多工作模式，提高全負(fù)載段工作效率；

◆SOP12封裝，高低壓引腳爬電距離大于2mm，更高安全性；

◆智能保護(hù)：輸出過壓保護(hù)、次級整流管短路保護(hù)、采樣電阻短路保護(hù)、過溫保護(hù)、過負(fù)載保護(hù)等，可輕松應(yīng)對各種應(yīng)用場景下可能發(fā)生的電源故障！

該系列芯片基于準(zhǔn)諧振控制，顯著降低功率MOSET開通損耗和次邊整流管的反向恢復(fù)損耗，因而支持125kHz高頻化工作。

Vg：母線電壓；n：變壓器原副邊匝比;

Vo：輸出電壓；N：谷底數(shù)；

Lp：變壓器勵磁電感；

Coss：開關(guān)管漏源兩端的等效電容

Ipmax：變壓器原邊峰值電流

該系列芯片集成800V智能功率器件，包含功率開關(guān)管Q1、電流采樣管Q2和高壓啟動模塊，使得電源系統(tǒng)的抗雷擊沖擊能力更強(qiáng)、待機(jī)功耗更低、異常保護(hù)更敏捷。

芯片根據(jù)FB電壓工作于QR、PFM、Burst-mode三種模式，通過DMG檢測變壓器消磁結(jié)束后的諧振谷底信號，實現(xiàn)谷底開通。

重載時，芯片工作在第一諧振谷底；負(fù)載減輕時，芯片會逐步降低工作頻率至25kHz；極輕載時，芯片進(jìn)入間歇工作模式，從而實現(xiàn)全負(fù)載段的效率更佳！

芯片提供了極為全面和優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括過溫保護(hù)(OTP)、輸出過壓保護(hù)(Vout OVP)、VDD過壓保護(hù)(VDD OVP)、逐周期過流保護(hù)(OCP)、輸出短路保護(hù)(OSCP)、次級整流管短路保護(hù)(DSP)、采樣電阻短路保護(hù)(CSS)和過負(fù)載保護(hù)(OLP)，可輕松應(yīng)對各種應(yīng)用場景下可能發(fā)生的電源故障！

通過工業(yè)級JEDEC可靠性標(biāo)準(zhǔn)測試，包括HTOL、ESD、Latch-up、TC等11個測試項目。

審核編輯：劉清