近日，首個(gè)膠體量子點(diǎn)成像芯片在光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)成功，其具備優(yōu)異性能。該芯片已能實(shí)現(xiàn)短波紅外成像，面陣規(guī)模達(dá)到30萬，盲元率低于每十萬個(gè)像素中只有6個(gè)因素導(dǎo)致信號(hào)丟失，圖像波長(zhǎng)范圍為0.4至1.7微米，暗電流密度小于50納安每平方厘米，而外部量子效率超過了60%。這一研發(fā)成就體現(xiàn)出中國光谷在先進(jìn)科技領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力和創(chuàng)新能力。

據(jù)悉，該項(xiàng)目負(fù)責(zé)人表示，該新型成像芯片的優(yōu)勢(shì)在于圖像分辨率高（理論上像素尺寸僅受限于艾利斑直徑），適用于多種基底，可定制探測(cè)波段，不再受到襯底吸收影響，且可以進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，并兼容12英寸CMOS晶圓制備工藝，生產(chǎn)成本較低，具顛覆市場(chǎng)之勢(shì)。

該研究團(tuán)隊(duì)經(jīng)過四年艱苦奮戰(zhàn)（全力攻關(guān)量子點(diǎn)技術(shù)），利用低溫溶液法制備工藝，成功開發(fā)出能與硅基芯片集成的量子點(diǎn)短波紅外成像芯片，其探測(cè)波段范圍遠(yuǎn)勝過傳統(tǒng)銦鎵砷芯片，制造成本僅占后者的近百分之一。這種巨大的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，讓量子點(diǎn)芯片有望在新市場(chǎng)領(lǐng)域大展拳腳。