onsemi FDV304P、FDV304P - F169 P溝道數(shù)字FET深度解析

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，F(xiàn)ET（場效應(yīng)晶體管）是至關(guān)重要的元件，特別是在電池供電的應(yīng)用場景里。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）的P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管FDV304P和FDV304P - F169。

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產(chǎn)品概述

FDV304P和FDV304P - F169采用了安森美的專有高密度DMOS技術(shù)。這種技術(shù)的優(yōu)勢在于能夠在低柵極驅(qū)動條件下有效降低導(dǎo)通電阻。該器件專為筆記本電腦、手機(jī)等電池供電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，即便在低至2.5V的柵極驅(qū)動電壓下，也能展現(xiàn)出出色的導(dǎo)通電阻特性。

產(chǎn)品特性

電氣性能

• 電壓與電流參數(shù)：連續(xù)電流為 -0.46A，峰值電流達(dá) -1.5A，漏源電壓為 -25V。
• 導(dǎo)通電阻：在不同柵源電壓下，導(dǎo)通電阻表現(xiàn)不同。當(dāng) (V{GS} = -4.5V) 時，(R{DS(on)} = 1.1Omega)；當(dāng) (V{GS} = -2.7V) 時，(R{DS(on)} = 1.5Omega)。這表明該器件在不同的工作條件下都能保持較低的導(dǎo)通電阻，有助于降低功耗。
• 柵極閾值電壓：(V_{GS(th)} < 1.5V)，極低的柵極驅(qū)動要求使得它可以直接在3V電路中工作。

其他特性

• ESD防護(hù)：具備柵源齊納二極管，人體模型靜電放電額定值 > 6kV，增強(qiáng)了器件的靜電防護(hù)能力，提高了產(chǎn)品的可靠性。
• 封裝形式：采用緊湊的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT - 23表面貼裝封裝，這種封裝體積小，適合用于對空間要求較高的設(shè)計(jì)。
• 環(huán)保特性：該器件無鉛且無鹵，符合環(huán)保要求。

絕對最大額定值

電氣特性

靜態(tài)特性

• 漏源擊穿電壓：(B_{VDS}) 為 -25V，確保了器件在一定電壓范圍內(nèi)能夠穩(wěn)定工作。
• 零柵壓漏極電流：在 (V{DS} = -20V)，(V{GS} = 0V)，(T_{J} = 55^{circ}C) 時，電流為 -10μA。
• 柵極閾值電壓：(V{GS(th)}) 在 (V{DS} = V{GS})，(I{D} = -250μA) 時，典型值為 -0.65V，最大值為 -0.86V。

動態(tài)特性

• 輸入電容：(C{iss}) 在 (V{DS} = -10V)，(V_{GS} = 0V)，(f = 1.0MHz) 時為 63pF。
• 輸出電容：(C_{oss}) 為 34pF。
• 反向傳輸電容：(C_{rss}) 為 10pF。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間：(t_{D(on)}) 為 7ns。
• 關(guān)斷延遲時間：(t_{D(off)}) 為 110ns。

熱特性

熱阻 (R_{θJA}) 為 357°C/W，這一參數(shù)對于評估器件在工作過程中的散熱情況非常重要。在設(shè)計(jì)時，需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景考慮散熱措施，以確保器件在合適的溫度范圍內(nèi)工作。

封裝信息

訂購信息

FDV304P和FDV304P - F169均采用SOT - 23 - 3封裝，且無鉛無鹵，每盤3000個，采用卷帶包裝。

總結(jié)

安森美的FDV304P和FDV304P - F169 P溝道數(shù)字FET憑借其低導(dǎo)通電阻、低柵極驅(qū)動要求、良好的ESD防護(hù)等特性，非常適合電池供電的應(yīng)用。在設(shè)計(jì)過程中，電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理考慮器件的電氣特性、熱特性和封裝等因素，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似器件的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。