APM16系列升壓轉(zhuǎn)換器階段:電動(dòng)汽車車載充電器的理想選擇
在電動(dòng)汽車(EV)和插電式混合動(dòng)力汽車(PHEV)的發(fā)展中,車載充電器(OBC)的性能至關(guān)重要。ON Semiconductor的APM16系列升壓轉(zhuǎn)換器階段模塊,如FAM65CR51XZ1和FAM65CR51XZ2,為OBC的功率因數(shù)校正(PFC)階段提供了高效、可靠的解決方案。本文將詳細(xì)介紹這些模塊的特點(diǎn)、應(yīng)用、電氣特性等方面,幫助電子工程師更好地了解和應(yīng)用該產(chǎn)品。
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一、產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 集成化設(shè)計(jì)
該模塊為集成式SIP或DIP升壓轉(zhuǎn)換器階段功率模塊,適用于EV或PHEV的OBC。其采用5 kV/1 sec電氣隔離基板,便于組裝,同時(shí)滿足IEC60664 - 1和IEC 60950 - 1的爬電距離和電氣間隙要求。
2. 緊湊設(shè)計(jì)
模塊具有低總模塊電阻,采用ALN基板,熱阻低,且設(shè)計(jì)緊湊。此外,模塊支持序列化,可實(shí)現(xiàn)完全可追溯性。
3. 高可靠性
產(chǎn)品通過AEC - Q101和AQG324認(rèn)證,具備PPAP能力,符合UL94V - 0標(biāo)準(zhǔn),并且是無鉛產(chǎn)品,符合RoHS指令。
二、應(yīng)用領(lǐng)域
主要應(yīng)用于PHEV或EV的OBC的PFC階段。通過使用該模塊,可以設(shè)計(jì)出小型、高效且可靠的系統(tǒng),有助于降低車輛的燃油消耗和CO?排放。同時(shí),簡(jiǎn)化的組裝過程、優(yōu)化的布局、高度集成以及改善的熱性能,使得整個(gè)系統(tǒng)的性能得到顯著提升。
三、訂購信息
| 部件編號(hào) | 封裝 | 引腳成型 | DBC材料 | 無鉛及符合RoHS | 工作溫度(Ta) | 運(yùn)輸 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FAM65CR51XZ1 | APMCD - A16 | Y形 | AlN | 是 | -40 °C ~ 125 °C | 72個(gè)/管 |
| FAM65CR51XZ2 | APMCD - B16 | L形 | AlN | 是 | -40 °C ~ 125 °C | 72個(gè)/管 |
四、引腳配置和內(nèi)部電路
1. 引腳配置
| 引腳編號(hào) | 名稱 | 描述 |
|---|---|---|
| 1, 2 | AC1 | PFC橋的第1相支路 |
| 3 | NC | 未連接 |
| 4 | NC | 未連接 |
| 5, 6 | B+ | 正電池端子 |
| 7, 8 | Q1 Source | Q1的源極端子 |
| 9 | Q1 Gate | Q1的柵極端子 |
| 10 | Q2 Gate | Q2的柵極端子 |
| 11, 12 | Q2 Source | Q2的源極端子 |
| 13 | NC | 未連接 |
| 14 | NC | 未連接 |
| 15, 16 | AC2 | PFC橋的第2相支路 |
2. 內(nèi)部等效電路
模塊的內(nèi)部等效電路包含MOSFET和升壓二極管等元件,其絕對(duì)最大額定值和電氣特性如下:
MOSFET特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VDS (Q1~Q2) | 漏源電壓 | 650 | V |
| VGS (Q1~Q2) | 柵源電壓 | ±20 | V |
| ID (Q1~Q2) | 連續(xù)漏極電流(TC = 25°C, VGS = 10 V) | 64 | A |
| ID (Q1~Q2) | 連續(xù)漏極電流(TC = 100°C, VGS = 10 V) | 40 | A |
| EAS (Q1~Q2) | 單脈沖雪崩能量 | 623 | mJ |
| PD | 功率耗散(TC = 25°C, VGS = 10 V) | 463 | W |
| TJ | 最大結(jié)溫 | -55 to +150 | °C |
| TC | 最大殼溫 | -40 to +125 | °C |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -40 to +125 | °C |
升壓二極管特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VRRM | 峰值重復(fù)反向電壓 | 600 | V |
| VRWM | 工作峰值反向電壓 | 600 | V |
| VR | 直流阻斷電壓 | 600 | V |
| IF(AV) | 平均整流正向電流(TC = 25 °C) | 15 | A |
| IFSM | 非重復(fù)峰值浪涌電流(半波1相60 Hz) | 45 | A |
| TJ | 最大結(jié)溫 | -55 to +175 | °C |
| TC | 最大殼溫 | -40 to +125 | °C |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -40 to +125 | °C |
| EAVL | 雪崩能量(2.85 A, 1 mH) | 4 | mJ |
五、電氣特性
1. MOSFET電氣規(guī)格
在TJ = 25 °C時(shí),MOSFET的電氣特性包括漏源擊穿電壓、柵源閾值電壓、導(dǎo)通電阻、正向跨導(dǎo)、柵源泄漏電流和漏源泄漏電流等。例如,BVDSS(漏源擊穿電壓)最小值為650 V,VGS(th)(柵源閾值電壓)在3.0 - 5.0 V之間。
2. 動(dòng)態(tài)特性
包括輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容、有效輸出電容、柵極電阻、柵極電荷等。例如,Ciss(輸入電容)在VDS = 400 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz時(shí)為4864 pF。
3. 開關(guān)特性
如開啟時(shí)間、開啟延遲時(shí)間、上升時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間和下降時(shí)間等。例如,開啟時(shí)間為87 ns,關(guān)斷時(shí)間為146 ns。
4. 體二極管特性
包括源漏二極管電壓、反向恢復(fù)時(shí)間和反向恢復(fù)電荷等。例如,源漏二極管電壓在20 A, VGS = 0 V時(shí)為0.95 V。
六、熱阻和隔離特性
1. 熱阻
MOSFET芯片和二極管芯片的熱阻特性,如RθJC(結(jié)到殼熱阻)和RθJS(結(jié)到散熱器熱阻)。MOSFET芯片的RθJC典型值為0.19 °C/W,二極管芯片的RθJC典型值為0.74 °C/W。
2. 隔離特性
在5 kV、50 Hz的測(cè)試電壓下,基板與控制引腳或電源端子之間的隔離電阻為100 MΩ。
七、典型特性
1. MOSFET典型特性
包含歸一化功率耗散與殼溫、最大連續(xù)ID與殼溫、傳輸特性、正向二極管特性、導(dǎo)通區(qū)域特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓、RDS(norm)與結(jié)溫、歸一化柵極閾值電壓與溫度、歸一化擊穿電壓與溫度、Eoss與漏源電壓、電容變化、柵極電荷特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、安全工作區(qū)、峰值電流能力和峰值瞬態(tài)功率能力等特性曲線。
2. 二極管典型特性
包括典型正向電壓降與正向電流、典型反向電流與反向電壓、電容、反向恢復(fù)時(shí)間與di/dt、反向恢復(fù)電流與di/dt、反向恢復(fù)電荷與di/dt等特性曲線。
八、機(jī)械尺寸
APMCD - A16和APMCD - B16兩種封裝的模塊都有詳細(xì)的機(jī)械尺寸說明,包括各尺寸的最小值、標(biāo)稱值和最大值。同時(shí),提供了通用標(biāo)記圖,方便工程師識(shí)別產(chǎn)品信息。
總結(jié)
ON Semiconductor的FAM65CR51XZ1和FAM65CR51XZ2模塊在電動(dòng)汽車車載充電器的PFC階段具有顯著優(yōu)勢(shì)。其集成化設(shè)計(jì)、高可靠性、良好的電氣和熱性能,為電子工程師提供了一個(gè)可靠的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)要求,合理選擇模塊,并注意其各項(xiàng)參數(shù)和特性,以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。你在設(shè)計(jì)過程中是否遇到過類似模塊的應(yīng)用問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
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升壓轉(zhuǎn)換器
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