前言：新一代SSD形態(tài)對電容選型提出更嚴(yán)苛要求

以EDSFF（企業(yè)與數(shù)據(jù)中心存儲形態(tài)）為代表的新一代SSD標(biāo)準(zhǔn)——E1.S、E3.S、E1.L、E3.L——正在高密度數(shù)據(jù)中心中快速取代傳統(tǒng)2.5英寸U.2和M.2形態(tài)，每個服務(wù)器單元可實(shí)現(xiàn)2至5倍的存儲密度提升。與此同時，U.2接口的超薄5mm SATA盤作為啟動盤，在1U/2U服務(wù)器中也廣泛應(yīng)用，其整板高度限制更為嚴(yán)格。

AI服務(wù)器的存儲架構(gòu)已從“通用可靠”躍遷至“AI極致性能”。新一代SSD必須在極端負(fù)載與高溫環(huán)境下持續(xù)輸出極致性能，同時面對PCB空間極度受限的現(xiàn)實(shí)。PLP（斷電保護(hù)）電容的選型已從“保障基礎(chǔ)可靠”升級為“決定性能上限”的關(guān)鍵元件。

永銘針對不同SSD形態(tài)提供三款代表性聚合物鉭電容選型方案，可分別滿足E1.S/E3.S SSD（限高2.05 mm）與U.2超薄5mm SATA啟動盤（限高1.6mm）的PLP需求。該系列進(jìn)行核心結(jié)構(gòu)升級，可替代原松下TQS系列薄型化產(chǎn)品（如35TQS47MEU，7343-1.4mm封裝），并在國產(chǎn)化供應(yīng)與新型結(jié)構(gòu)上形成顯著優(yōu)勢。

應(yīng)用中的挑戰(zhàn)

2.1 物理尺寸約束：兩種限高，兩大痛點(diǎn)

E1.S/E3.S SSD：單面布板，整板器件高度≤2.05mm。常規(guī)聚合物鉭電容高度普遍超過2.0mm，選型受限。

U.2超薄5mm SATA啟動盤：盤體厚度僅5mm，PCB雙面布板后器件限高通?！?.6mm。常規(guī)鉭電容高度難以滿足，若強(qiáng)行降低容值或改用高ESR的小型化器件，會直接導(dǎo)致PLP性能不足。

2.2 PLP性能不足引發(fā)數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)

PLP電路核心原理：正常供電期間，電容通過RC回路充電儲能；斷電時放電為控制器和緩存提供毫秒級工作窗口，以完成最后的NAND寫入。充電時間受RC時間常數(shù)及ESR影響，ESR越高則充電越慢、儲能越少。在AI服務(wù)器頻繁讀寫、異常斷電概率較高的工況下，PLP電容若選型不當(dāng)，可能造成數(shù)據(jù)丟失甚至文件系統(tǒng)損壞。

2.3供應(yīng)鏈與成本壓力

進(jìn)口品牌（如松下）交期通常長達(dá)12周以上，且價(jià)格持續(xù)波動，給項(xiàng)目量產(chǎn)爬坡帶來不確定性，同時也難以滿足整機(jī)廠商的國產(chǎn)化率指標(biāo)要求。永銘作為國產(chǎn)電容廠家，在交期響應(yīng)、成本控制及供應(yīng)鏈安全方面具有明顯優(yōu)勢。

永銘技術(shù)解決方案

3.1 推薦選型表（三款，按應(yīng)用場景區(qū)分）

TQW19 35V/100μF 7.3*6.0*1.9mm（底部端子封裝）

3.2核心技術(shù)優(yōu)勢

①高度精確適配：TQD19/TQW19系列高度1.9mm，直接滿足E1.S/E3.S SSD單面布板限高；TQD15系列高度1.5mm，完美適配U.2超薄5mm SATA啟動盤。

②新型鉭電容的核心結(jié)構(gòu)升級：將端子設(shè)計(jì)在元件底部，大幅縮短電流回路，ESL（等效串聯(lián)電感）比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)降低約50%，高頻特性優(yōu)異。針對ESR（120mΩ）略高于松下TQS系列（100mΩ）的情況，永銘通過底部端子設(shè)計(jì)強(qiáng)化了高頻去耦能力，ESL更好，更適用于AI服務(wù)器SSD中高速開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)場景。

③高密度聚合物鉭芯+薄型封裝：在1.9mm/1.5mm極限高度下，依然實(shí)現(xiàn)68μF/100μF/47μF容量與35V耐壓，性能不妥協(xié)。

④全固態(tài)高可靠結(jié)構(gòu)：工作溫度-55℃~105℃，滿足AI服務(wù)器7×24小時高溫工況。

3.3 供應(yīng)與國產(chǎn)化優(yōu)勢

作為國產(chǎn)電容廠商，永銘在該類應(yīng)用中除滿足產(chǎn)品選型需求外，還能夠兼顧交付效率與成本控制：

①交期響應(yīng)更靈活（常規(guī)4~6周），可緊密配合客戶項(xiàng)目節(jié)奏；

②全鏈路國產(chǎn)化，滿足整機(jī)廠商供應(yīng)鏈安全與國產(chǎn)化率指標(biāo)；

③相較進(jìn)口方案，整體導(dǎo)入成本更低，助力客戶BOM優(yōu)化。

場景化Q&A

Q1：E1.S/E3.S SSD限高2.05mm，永銘能否提供1.9mm以下、容量不縮水的鉭電容？
A1：可以。永銘TQD19（68μF）和TQW19（100μF）高度均為1.9mm，耐壓35V。采用高密度聚合物鉭芯+薄型封裝，不犧牲容量和耐壓。底部端子設(shè)計(jì)使ESL降低約50%，高頻特性優(yōu)于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)。

Q2：永銘TQW19的ESR為120mΩ，相比松下TQS系列（100mΩ）略高，是否影響PLP性能？
A2：在實(shí)際PLP電路中，影響充電速度和斷電保持時間的不僅是ESR，還包括回路總電阻和ESL。永銘底部端子設(shè)計(jì)大幅降低了ESL（降低約50%），改善了高頻瞬態(tài)響應(yīng)；同時寬體封裝有助于降低接觸電阻。該方案已在多家AI服務(wù)器SSD客戶中通過PLP功能驗(yàn)證。建議客戶進(jìn)行實(shí)際板級驗(yàn)證。

Q3：U.2超薄5mm SATA啟動盤限高僅1.6mm，永銘有對應(yīng)產(chǎn)品嗎？
A3：有。永銘TQD15系列高度僅1.5mm，容量47μF，耐壓35V，專門針對超薄盤體設(shè)計(jì)。同樣采用底部端子結(jié)構(gòu)，ESL低、可靠性高。

Q4：永銘相比進(jìn)口品牌在交期和成本上有多大優(yōu)勢？
A4：永銘常規(guī)交期4~6周，遠(yuǎn)低于進(jìn)口品牌的12周以上，且供應(yīng)穩(wěn)定性高。在相同性能等級下，可幫助客戶優(yōu)化綜合導(dǎo)入成本，同時滿足國產(chǎn)化率指標(biāo)。

總結(jié)

在AI服務(wù)器SSD斷電保護(hù)應(yīng)用中，電容選型不僅要考慮板級空間限制，還要兼顧斷電保護(hù)性能、項(xiàng)目導(dǎo)入效率以及供應(yīng)穩(wěn)定性。

永銘聚合物鉭電容針對不同場景提供精準(zhǔn)選型：TQD19/TQW19系列（1.9mm高度）適用于E1.S/E3.S SSD（限高2.05mm）；TQD15系列（1.5mm高度）適用于U.2超薄5mm SATA啟動盤（限高1.6mm）。產(chǎn)品采用底部端子結(jié)構(gòu)，ESL降低約50%，高頻特性優(yōu)異；全固態(tài)、寬溫、長壽命；同時以國產(chǎn)化優(yōu)勢保障交期與成本。

如您需進(jìn)行實(shí)際測試，可聯(lián)系我們申請樣品，同時我們也將提供規(guī)格書、測試報(bào)告及選型表。