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onsemi NFVA33065L42:汽車3相650V 30A智能功率模塊的卓越之選

lhl545545 ? 2026-04-27 15:10 ? 次閱讀
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onsemi NFVA33065L42:汽車3相650V 30A智能功率模塊的卓越之選

汽車電子領(lǐng)域,功率模塊的性能和可靠性直接影響著電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的運(yùn)行效率和安全性。onsemi的NFVA33065L42智能功率模塊(SPM)就是一款針對(duì)汽車應(yīng)用精心設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,下面就為大家詳細(xì)介紹這款模塊。

文件下載:NFVA33065L42-D.PDF

一、模塊概述

NFVA33065L42是一款先進(jìn)的汽車SPM模塊,為混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車提供了功能齊全、高性能的逆變器輸出級(jí)。它集成了內(nèi)置IGBT的優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng),能有效降低電磁干擾(EMI)和損耗。同時(shí),該模塊具備多種保護(hù)功能,如欠壓鎖定、過(guò)流關(guān)斷、驅(qū)動(dòng)IC的熱監(jiān)測(cè)以及故障報(bào)告等。內(nèi)置的高速高壓集成電路(HVIC)僅需單電源電壓,就能將輸入的邏輯電平柵極輸入轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部IGBT所需的高壓、大電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)。此外,每個(gè)相位都有獨(dú)立的負(fù)IGBT端子,可支持多種控制算法。

二、產(chǎn)品特性

2.1 封裝與認(rèn)證

  • 采用27引腳雙列直插式封裝(DIP),符合AEC和AQG324標(biāo)準(zhǔn),具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。
  • 產(chǎn)品無(wú)鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),通過(guò)了UI1557認(rèn)證(文件編號(hào)E209204),并符合UL94V - 0標(biāo)準(zhǔn)。

2.2 電氣性能

  • 650V/30A的三相IGBT逆變器,集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能。
  • 175°C保證短路額定的FS溝槽IGBT,具有低Vce(sat)和快速開(kāi)關(guān)特性。
  • 使用Al?O? DBC基板,具有出色的熱阻性能。
  • 低側(cè)IGBT的發(fā)射極引腳分開(kāi),可用于三相電流傳感。
  • 單接地電源,內(nèi)置LVIC溫度傳感功能,用于溫度監(jiān)測(cè)。
  • 隔離額定值為2500Vrms/1分鐘。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

該模塊適用于汽車高壓輔助電機(jī),具體包括:

  • 氣候電子壓縮機(jī):為汽車空調(diào)系統(tǒng)提供高效的動(dòng)力支持。
  • 油/水泵:確保發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻和潤(rùn)滑系統(tǒng)的正常運(yùn)行。
  • 超級(jí)/渦輪增壓器:提升發(fā)動(dòng)機(jī)的動(dòng)力性能。
  • 各種風(fēng)扇:用于散熱和通風(fēng)。

四、內(nèi)部結(jié)構(gòu)與引腳配置

4.1 內(nèi)部等效電路

模塊的內(nèi)部由逆變器低側(cè)、高側(cè)和功率側(cè)組成。低側(cè)由三個(gè)IGBT、每個(gè)IGBT的續(xù)流二極管和一個(gè)控制IC組成,具備柵極驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能;高側(cè)由三個(gè)IGBT、續(xù)流二極管和三個(gè)驅(qū)動(dòng)IC組成;功率側(cè)由四個(gè)逆變器直流母線輸入端子和三個(gè)逆變器輸出端子組成。

4.2 引腳描述

模塊共有27個(gè)引腳,每個(gè)引腳都有特定的功能,如低側(cè)和高側(cè)的信號(hào)輸入、偏置電壓、故障輸出、溫度傳感輸出等。詳細(xì)的引腳功能如下表所示: Pin Number Pin Name Pin Description
1 VDD(L) 低側(cè)IC和IGBT驅(qū)動(dòng)的公共偏置電壓
2 COM 公共電源地
3 IN (UL) 低側(cè)U相的信號(hào)輸入
4 IN (VL) 低側(cè)V相的信號(hào)輸入
5 IN (WL) 低側(cè)W相的信號(hào)輸入
6 VFO 故障輸出
7 VTS LVIC溫度傳感電壓輸出
8 CSC 短路電流檢測(cè)輸入
9 IN (UH) 高側(cè)U相的信號(hào)輸入
10 VDD(UH) 高側(cè)IC和IGBT驅(qū)動(dòng)的公共偏置電壓
11 VB(U) U相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓
12 VS(U) U相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地
13 IN (VH) 高側(cè)V相的信號(hào)輸入
14 VDD(VH) 高側(cè)IC和IGBT驅(qū)動(dòng)的公共偏置電壓
15 VB(V) V相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓
16 VS(V) V相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地
17 IN (WH) 高側(cè)W相的信號(hào)輸入
18 VDD(WH) 高側(cè)IC和IGBT驅(qū)動(dòng)的公共偏置電壓
19 VB(W) W相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓
20 VS(W) W相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地
21 NU U相的負(fù)直流母線輸入
22 NV V相的負(fù)直流母線輸入
23 NW W相的負(fù)直流母線輸入
24 U U相的輸出
25 V V相的輸出
26 W W相的輸出
27 P 正直流母線輸入

五、電氣特性與參數(shù)

5.1 絕對(duì)最大額定值

在不同條件下,模塊的各項(xiàng)參數(shù)有其最大額定值,如逆變器部分的電源電壓、集電極 - 發(fā)射極電壓、集電極電流等,以及控制部分的控制電源電壓、高側(cè)控制偏置電壓等。具體參數(shù)如下表所示: Symbol Parameter Conditions Rating Unit
VPN 電源電壓 施加在P - NU, NV, NW之間 500 V
VPN(Surge) 電源電壓(浪涌) 施加在P - NU, NV, NW之間 575 V
VCES 集電極 - 發(fā)射極電壓 650 V
±IC 每個(gè)IGBT集電極電流 TC = 100°C, VDD ≥ 15V, TJ ≤ 175°C 30 A
±ICP 每個(gè)IGBT集電極電流(峰值) TC = 25°C, TJ ≤ 175°C, 在1ms脈沖寬度下 60 A
PC 集電極耗散 TC = 25°C每一個(gè)芯片 100 W
TJ 工作結(jié)溫 IGBT和二極管 -40 ~ 175 °C
驅(qū)動(dòng)IC -40 ~ 150 °C
VDD 控制電源電壓 施加在VDD(H), VDD(L) - COM之間 20 V
VBS 高側(cè)控制偏置電壓 施加在VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W) - VS(W)之間 20 V
VIN 輸入信號(hào)電壓 施加在IN (UH), IN (VH), IN (WH), IN (UL), IN (VL), IN (WL) - COM之間 -0.3 ~ VDD + 0.3 V
VFO 故障輸出電源電壓 施加在VFO - COM之間 -0.3 ~ VDD + 0.3 V
IFO 故障輸出電流 VFO引腳的灌電流 2 mA
VSC 電流傳感輸入電壓 施加在CSC - COM之間 -0.3 ~ VDD + 0.3 V
tsc 短路耐受時(shí)間 VDD = VBS ≤ 13.5 ~ 16.5V, VPN ≤ 400V, TJ = 150°C 3 μs
TSTG 儲(chǔ)存溫度 -55 ~ 175 °C
隔離電壓 60Hz, 正弦波, 交流1分鐘 2500 Vrms

5.2 熱阻

模塊的熱阻參數(shù)對(duì)于散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要,逆變器IGBT部分(每1/6模塊)的熱阻Rth(j - c)Q最大值為1.5°C/W。

5.3 電氣特性 - 逆變器部分

在不同測(cè)試條件下,模塊的集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間等參數(shù)有相應(yīng)的典型值和最大值。例如,在VDD = VBS = 15V, VIN = 5V時(shí),VCE(SAT)有特定的值;在TJ = 25°C時(shí),高側(cè)開(kāi)關(guān)時(shí)間ton等也有相應(yīng)的參數(shù)。

5.4 控制部分

控制部分在TJ = 25°C時(shí),也有一系列的電氣特性參數(shù),如IPDDH、PBS、VFH、VSC(ref)等。

六、推薦工作條件

為了保證模塊的正常運(yùn)行和性能,推薦的工作條件如下: Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit
VPN 電源電壓 施加在P - NU, NV, NW之間 300 400 V
VDD 控制電源電壓 施加在VDD(H) - COM, VDD(L) - COM之間 14.0 15 16.5 V
VBS 高側(cè)偏置電壓 施加在VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W) - VS(W)之間 13.0 15 18.5 V
dVDD/dt, dVgs/dt 控制電源變化率 -1 1 V/μs
tdead 防止橋臂短路的消隱時(shí)間 每個(gè)輸入信號(hào) 2.0 μs
fPWM PWM輸入信號(hào) -40°C ≤ TC ≤ 125°C, -40°C ≤ TJ ≤ 150°C 40 kHz
VSEN 電流傳感電壓 施加在NU, NV, NW - COM之間(包括浪涌電壓) -5 5 V

七、機(jī)械特性與額定值

7.1 器件平整度

器件平整度在特定測(cè)量位置的最大值為+150μm。

7.2 安裝扭矩

安裝螺絲為M3時(shí),推薦的安裝扭矩為0.7N·m,范圍在0.6 - 0.8N·m之間。

7.3 端子拉力和彎曲強(qiáng)度

端子拉力在負(fù)載19.8N時(shí),最小值為10;端子彎曲強(qiáng)度在負(fù)載9.8N、90°彎曲時(shí),最小值為2次。

7.4 重量

模塊的重量約為15g

八、保護(hù)功能

8.1 欠壓保護(hù)

  • 低側(cè)欠壓保護(hù):當(dāng)控制電源電壓上升超過(guò)UVDDR后,電路在下次輸入信號(hào)時(shí)開(kāi)始工作;當(dāng)檢測(cè)到欠壓(UVDDD)時(shí),IGBT關(guān)斷,故障輸出以固定脈沖寬度工作;當(dāng)欠壓復(fù)位(UVDDR)后,IGBT在下次信號(hào)從低到高觸發(fā)時(shí)恢復(fù)正常工作。
  • 高側(cè)欠壓保護(hù):控制電源電壓上升超過(guò)UVBSR后,電路開(kāi)始工作;檢測(cè)到欠壓(UVBSD)時(shí),IGBT關(guān)斷,但無(wú)故障輸出信號(hào);欠壓復(fù)位(UVBSR)后,IGBT在下次信號(hào)從低到高觸發(fā)時(shí)恢復(fù)正常工作。

8.2 短路電流保護(hù)

短路電流保護(hù)僅在低側(cè)起作用。正常運(yùn)行時(shí),IGBT導(dǎo)通并承載電流;當(dāng)檢測(cè)到短路電流(SC觸發(fā))時(shí),所有低側(cè)IGBT的柵極被硬中斷,IGBT關(guān)斷,故障輸出以固定脈沖寬度工作;在故障輸出有效期間,即使輸入為高電平,IGBT也不會(huì)導(dǎo)通;故障輸出結(jié)束后,IGBT在下次信號(hào)從低到高觸發(fā)時(shí)恢復(fù)正常工作。

九、典型應(yīng)用電路

在設(shè)計(jì)應(yīng)用電路時(shí),需要注意以下幾點(diǎn):

  • 每個(gè)輸入的布線應(yīng)盡可能短(小于2 - 3cm),以避免故障。
  • VFO輸出為開(kāi)漏類型,信號(hào)線路應(yīng)通過(guò)電阻上拉到MCU或控制電源的正極,使IFO達(dá)到2mA。
  • 輸入信號(hào)為高電平有效類型,IC內(nèi)部有5k的下拉電阻,應(yīng)采用RC耦合電路防止輸入信號(hào)振蕩,R?C?時(shí)間常數(shù)應(yīng)在50 - 150ns范圍內(nèi)(推薦R? = 100Ω,C? = 1nF)。
  • 應(yīng)盡量減小A點(diǎn)的布線電感(推薦小于10nH),使用表面貼裝(SMD)類型的分流電阻R?以降低布線電感,點(diǎn)E的布線應(yīng)盡可能靠近分流電阻R?的端子。
  • 為防止保護(hù)功能出錯(cuò),B、C和D點(diǎn)的布線應(yīng)盡可能短。
  • 在短路保護(hù)電路中,應(yīng)選擇R?C?時(shí)間常數(shù)在1.5 - 2μs范圍內(nèi),并在實(shí)際系統(tǒng)中進(jìn)行充分評(píng)估。
  • 每個(gè)電容器應(yīng)盡可能靠近ASPM27產(chǎn)品的引腳安裝。
  • 為防止浪涌破壞,平滑電容器C?與P和GND引腳之間的布線應(yīng)盡可能短,推薦在P和GND引腳之間使用0.1 - 0.22μF的高頻無(wú)感電容器。
  • 在工業(yè)應(yīng)用中,電氣設(shè)備的系統(tǒng)中幾乎都使用繼電器,此時(shí)CPU和繼電器之間應(yīng)保持足夠的距離。
  • 應(yīng)采用齊納二極管或瞬態(tài)電壓抑制器保護(hù)IC免受控制電源端子之間的浪涌破壞(推薦齊納二極管為22V/1W,其齊納阻抗特性低于約15Ω)。
  • 推薦C?約為自舉電容器C?的7倍。
  • 在C?中選擇具有良好溫度特性的電解電容器,在C?中選擇具有良好溫度和頻率特性的0.1 - 0.2μF R類陶瓷電容器。

onsemi的NFVA33065L42智能功率模塊以其豐富的功能、出色的性能和完善的保護(hù)機(jī)制,為汽車高壓輔助電機(jī)應(yīng)用提供了可靠的解決方案。電子工程師設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí),應(yīng)充分考慮其各項(xiàng)特性和推薦工作條件,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。大家在實(shí)際應(yīng)用中遇到過(guò)哪些關(guān)于功率模塊的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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