onsemi NFVA33065L42:汽車3相650V 30A智能功率模塊的卓越之選
在汽車電子領(lǐng)域,功率模塊的性能和可靠性直接影響著電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的運(yùn)行效率和安全性。onsemi的NFVA33065L42智能功率模塊(SPM)就是一款針對(duì)汽車應(yīng)用精心設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,下面就為大家詳細(xì)介紹這款模塊。
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一、模塊概述
NFVA33065L42是一款先進(jìn)的汽車SPM模塊,為混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車提供了功能齊全、高性能的逆變器輸出級(jí)。它集成了內(nèi)置IGBT的優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng),能有效降低電磁干擾(EMI)和損耗。同時(shí),該模塊具備多種保護(hù)功能,如欠壓鎖定、過(guò)流關(guān)斷、驅(qū)動(dòng)IC的熱監(jiān)測(cè)以及故障報(bào)告等。內(nèi)置的高速高壓集成電路(HVIC)僅需單電源電壓,就能將輸入的邏輯電平柵極輸入轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部IGBT所需的高壓、大電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)。此外,每個(gè)相位都有獨(dú)立的負(fù)IGBT端子,可支持多種控制算法。
二、產(chǎn)品特性
2.1 封裝與認(rèn)證
- 采用27引腳雙列直插式封裝(DIP),符合AEC和AQG324標(biāo)準(zhǔn),具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。
- 產(chǎn)品無(wú)鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),通過(guò)了UI1557認(rèn)證(文件編號(hào)E209204),并符合UL94V - 0標(biāo)準(zhǔn)。
2.2 電氣性能
- 650V/30A的三相IGBT逆變器,集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能。
- 175°C保證短路額定的FS溝槽IGBT,具有低Vce(sat)和快速開(kāi)關(guān)特性。
- 使用Al?O? DBC基板,具有出色的熱阻性能。
- 低側(cè)IGBT的發(fā)射極引腳分開(kāi),可用于三相電流傳感。
- 單接地電源,內(nèi)置LVIC溫度傳感功能,用于溫度監(jiān)測(cè)。
- 隔離額定值為2500Vrms/1分鐘。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
該模塊適用于汽車高壓輔助電機(jī),具體包括:
- 氣候電子壓縮機(jī):為汽車空調(diào)系統(tǒng)提供高效的動(dòng)力支持。
- 油/水泵:確保發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻和潤(rùn)滑系統(tǒng)的正常運(yùn)行。
- 超級(jí)/渦輪增壓器:提升發(fā)動(dòng)機(jī)的動(dòng)力性能。
- 各種風(fēng)扇:用于散熱和通風(fēng)。
四、內(nèi)部結(jié)構(gòu)與引腳配置
4.1 內(nèi)部等效電路
模塊的內(nèi)部由逆變器低側(cè)、高側(cè)和功率側(cè)組成。低側(cè)由三個(gè)IGBT、每個(gè)IGBT的續(xù)流二極管和一個(gè)控制IC組成,具備柵極驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能;高側(cè)由三個(gè)IGBT、續(xù)流二極管和三個(gè)驅(qū)動(dòng)IC組成;功率側(cè)由四個(gè)逆變器直流母線輸入端子和三個(gè)逆變器輸出端子組成。
4.2 引腳描述
| 模塊共有27個(gè)引腳,每個(gè)引腳都有特定的功能,如低側(cè)和高側(cè)的信號(hào)輸入、偏置電壓、故障輸出、溫度傳感輸出等。詳細(xì)的引腳功能如下表所示: | Pin Number | Pin Name | Pin Description |
|---|---|---|---|
| 1 | VDD(L) | 低側(cè)IC和IGBT驅(qū)動(dòng)的公共偏置電壓 | |
| 2 | COM | 公共電源地 | |
| 3 | IN (UL) | 低側(cè)U相的信號(hào)輸入 | |
| 4 | IN (VL) | 低側(cè)V相的信號(hào)輸入 | |
| 5 | IN (WL) | 低側(cè)W相的信號(hào)輸入 | |
| 6 | VFO | 故障輸出 | |
| 7 | VTS | LVIC溫度傳感電壓輸出 | |
| 8 | CSC | 短路電流檢測(cè)輸入 | |
| 9 | IN (UH) | 高側(cè)U相的信號(hào)輸入 | |
| 10 | VDD(UH) | 高側(cè)IC和IGBT驅(qū)動(dòng)的公共偏置電壓 | |
| 11 | VB(U) | U相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓 | |
| 12 | VS(U) | U相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地 | |
| 13 | IN (VH) | 高側(cè)V相的信號(hào)輸入 | |
| 14 | VDD(VH) | 高側(cè)IC和IGBT驅(qū)動(dòng)的公共偏置電壓 | |
| 15 | VB(V) | V相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓 | |
| 16 | VS(V) | V相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地 | |
| 17 | IN (WH) | 高側(cè)W相的信號(hào)輸入 | |
| 18 | VDD(WH) | 高側(cè)IC和IGBT驅(qū)動(dòng)的公共偏置電壓 | |
| 19 | VB(W) | W相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓 | |
| 20 | VS(W) | W相IGBT驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地 | |
| 21 | NU | U相的負(fù)直流母線輸入 | |
| 22 | NV | V相的負(fù)直流母線輸入 | |
| 23 | NW | W相的負(fù)直流母線輸入 | |
| 24 | U | U相的輸出 | |
| 25 | V | V相的輸出 | |
| 26 | W | W相的輸出 | |
| 27 | P | 正直流母線輸入 |
五、電氣特性與參數(shù)
5.1 絕對(duì)最大額定值
| 在不同條件下,模塊的各項(xiàng)參數(shù)有其最大額定值,如逆變器部分的電源電壓、集電極 - 發(fā)射極電壓、集電極電流等,以及控制部分的控制電源電壓、高側(cè)控制偏置電壓等。具體參數(shù)如下表所示: | Symbol | Parameter | Conditions | Rating | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| VPN | 電源電壓 | 施加在P - NU, NV, NW之間 | 500 | V | |
| VPN(Surge) | 電源電壓(浪涌) | 施加在P - NU, NV, NW之間 | 575 | V | |
| VCES | 集電極 - 發(fā)射極電壓 | 650 | V | ||
| ±IC | 每個(gè)IGBT集電極電流 | TC = 100°C, VDD ≥ 15V, TJ ≤ 175°C | 30 | A | |
| ±ICP | 每個(gè)IGBT集電極電流(峰值) | TC = 25°C, TJ ≤ 175°C, 在1ms脈沖寬度下 | 60 | A | |
| PC | 集電極耗散 | TC = 25°C每一個(gè)芯片 | 100 | W | |
| TJ | 工作結(jié)溫 | IGBT和二極管 | -40 ~ 175 | °C | |
| 驅(qū)動(dòng)IC | -40 ~ 150 | °C | |||
| VDD | 控制電源電壓 | 施加在VDD(H), VDD(L) - COM之間 | 20 | V | |
| VBS | 高側(cè)控制偏置電壓 | 施加在VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W) - VS(W)之間 | 20 | V | |
| VIN | 輸入信號(hào)電壓 | 施加在IN (UH), IN (VH), IN (WH), IN (UL), IN (VL), IN (WL) - COM之間 | -0.3 ~ VDD + 0.3 | V | |
| VFO | 故障輸出電源電壓 | 施加在VFO - COM之間 | -0.3 ~ VDD + 0.3 | V | |
| IFO | 故障輸出電流 | VFO引腳的灌電流 | 2 | mA | |
| VSC | 電流傳感輸入電壓 | 施加在CSC - COM之間 | -0.3 ~ VDD + 0.3 | V | |
| tsc | 短路耐受時(shí)間 | VDD = VBS ≤ 13.5 ~ 16.5V, VPN ≤ 400V, TJ = 150°C | 3 | μs | |
| TSTG | 儲(chǔ)存溫度 | -55 ~ 175 | °C | ||
| 隔離電壓 | 60Hz, 正弦波, 交流1分鐘 | 2500 | Vrms |
5.2 熱阻
模塊的熱阻參數(shù)對(duì)于散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要,逆變器IGBT部分(每1/6模塊)的熱阻Rth(j - c)Q最大值為1.5°C/W。
5.3 電氣特性 - 逆變器部分
在不同測(cè)試條件下,模塊的集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間等參數(shù)有相應(yīng)的典型值和最大值。例如,在VDD = VBS = 15V, VIN = 5V時(shí),VCE(SAT)有特定的值;在TJ = 25°C時(shí),高側(cè)開(kāi)關(guān)時(shí)間ton等也有相應(yīng)的參數(shù)。
5.4 控制部分
控制部分在TJ = 25°C時(shí),也有一系列的電氣特性參數(shù),如IPDDH、PBS、VFH、VSC(ref)等。
六、推薦工作條件
| 為了保證模塊的正常運(yùn)行和性能,推薦的工作條件如下: | Symbol | Parameter | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VPN | 電源電壓 | 施加在P - NU, NV, NW之間 | 300 | 400 | V | ||
| VDD | 控制電源電壓 | 施加在VDD(H) - COM, VDD(L) - COM之間 | 14.0 | 15 | 16.5 | V | |
| VBS | 高側(cè)偏置電壓 | 施加在VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W) - VS(W)之間 | 13.0 | 15 | 18.5 | V | |
| dVDD/dt, dVgs/dt | 控制電源變化率 | -1 | 1 | V/μs | |||
| tdead | 防止橋臂短路的消隱時(shí)間 | 每個(gè)輸入信號(hào) | 2.0 | μs | |||
| fPWM | PWM輸入信號(hào) | -40°C ≤ TC ≤ 125°C, -40°C ≤ TJ ≤ 150°C | 40 | kHz | |||
| VSEN | 電流傳感電壓 | 施加在NU, NV, NW - COM之間(包括浪涌電壓) | -5 | 5 | V |
七、機(jī)械特性與額定值
7.1 器件平整度
器件平整度在特定測(cè)量位置的最大值為+150μm。
7.2 安裝扭矩
安裝螺絲為M3時(shí),推薦的安裝扭矩為0.7N·m,范圍在0.6 - 0.8N·m之間。
7.3 端子拉力和彎曲強(qiáng)度
端子拉力在負(fù)載19.8N時(shí),最小值為10;端子彎曲強(qiáng)度在負(fù)載9.8N、90°彎曲時(shí),最小值為2次。
7.4 重量
模塊的重量約為15g。
八、保護(hù)功能
8.1 欠壓保護(hù)
- 低側(cè)欠壓保護(hù):當(dāng)控制電源電壓上升超過(guò)UVDDR后,電路在下次輸入信號(hào)時(shí)開(kāi)始工作;當(dāng)檢測(cè)到欠壓(UVDDD)時(shí),IGBT關(guān)斷,故障輸出以固定脈沖寬度工作;當(dāng)欠壓復(fù)位(UVDDR)后,IGBT在下次信號(hào)從低到高觸發(fā)時(shí)恢復(fù)正常工作。
- 高側(cè)欠壓保護(hù):控制電源電壓上升超過(guò)UVBSR后,電路開(kāi)始工作;檢測(cè)到欠壓(UVBSD)時(shí),IGBT關(guān)斷,但無(wú)故障輸出信號(hào);欠壓復(fù)位(UVBSR)后,IGBT在下次信號(hào)從低到高觸發(fā)時(shí)恢復(fù)正常工作。
8.2 短路電流保護(hù)
短路電流保護(hù)僅在低側(cè)起作用。正常運(yùn)行時(shí),IGBT導(dǎo)通并承載電流;當(dāng)檢測(cè)到短路電流(SC觸發(fā))時(shí),所有低側(cè)IGBT的柵極被硬中斷,IGBT關(guān)斷,故障輸出以固定脈沖寬度工作;在故障輸出有效期間,即使輸入為高電平,IGBT也不會(huì)導(dǎo)通;故障輸出結(jié)束后,IGBT在下次信號(hào)從低到高觸發(fā)時(shí)恢復(fù)正常工作。
九、典型應(yīng)用電路
在設(shè)計(jì)應(yīng)用電路時(shí),需要注意以下幾點(diǎn):
- 每個(gè)輸入的布線應(yīng)盡可能短(小于2 - 3cm),以避免故障。
- VFO輸出為開(kāi)漏類型,信號(hào)線路應(yīng)通過(guò)電阻上拉到MCU或控制電源的正極,使IFO達(dá)到2mA。
- 輸入信號(hào)為高電平有效類型,IC內(nèi)部有5k的下拉電阻,應(yīng)采用RC耦合電路防止輸入信號(hào)振蕩,R?C?時(shí)間常數(shù)應(yīng)在50 - 150ns范圍內(nèi)(推薦R? = 100Ω,C? = 1nF)。
- 應(yīng)盡量減小A點(diǎn)的布線電感(推薦小于10nH),使用表面貼裝(SMD)類型的分流電阻R?以降低布線電感,點(diǎn)E的布線應(yīng)盡可能靠近分流電阻R?的端子。
- 為防止保護(hù)功能出錯(cuò),B、C和D點(diǎn)的布線應(yīng)盡可能短。
- 在短路保護(hù)電路中,應(yīng)選擇R?C?時(shí)間常數(shù)在1.5 - 2μs范圍內(nèi),并在實(shí)際系統(tǒng)中進(jìn)行充分評(píng)估。
- 每個(gè)電容器應(yīng)盡可能靠近ASPM27產(chǎn)品的引腳安裝。
- 為防止浪涌破壞,平滑電容器C?與P和GND引腳之間的布線應(yīng)盡可能短,推薦在P和GND引腳之間使用0.1 - 0.22μF的高頻無(wú)感電容器。
- 在工業(yè)應(yīng)用中,電氣設(shè)備的系統(tǒng)中幾乎都使用繼電器,此時(shí)CPU和繼電器之間應(yīng)保持足夠的距離。
- 應(yīng)采用齊納二極管或瞬態(tài)電壓抑制器保護(hù)IC免受控制電源端子之間的浪涌破壞(推薦齊納二極管為22V/1W,其齊納阻抗特性低于約15Ω)。
- 推薦C?約為自舉電容器C?的7倍。
- 在C?中選擇具有良好溫度特性的電解電容器,在C?中選擇具有良好溫度和頻率特性的0.1 - 0.2μF R類陶瓷電容器。
onsemi的NFVA33065L42智能功率模塊以其豐富的功能、出色的性能和完善的保護(hù)機(jī)制,為汽車高壓輔助電機(jī)應(yīng)用提供了可靠的解決方案。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí),應(yīng)充分考慮其各項(xiàng)特性和推薦工作條件,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。大家在實(shí)際應(yīng)用中遇到過(guò)哪些關(guān)于功率模塊的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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