深入解析 onsemi NFAQ0860L33T 智能功率模塊
引言
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域,智能功率模塊(IPM)扮演著至關(guān)重要的角色。onsemi 的 NFAQ0860L33T 就是一款極具特色的 IPM,它為驅(qū)動(dòng)多種類型的電機(jī)提供了高效且可靠的解決方案。本文將對(duì) NFAQ0860L33T 進(jìn)行詳細(xì)解析,幫助電子工程師更好地了解和應(yīng)用這款產(chǎn)品。
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產(chǎn)品概述
NFAQ0860L33T 是一款完全集成的逆變器功率級(jí)模塊,包含高壓驅(qū)動(dòng)器、六個(gè) IGBT 和一個(gè)熱敏電阻。它適用于驅(qū)動(dòng)永磁同步電機(jī)(PMSM)、無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和交流異步電機(jī)。IGBT 采用三相橋配置,下橋臂具有獨(dú)立的發(fā)射極連接,這為控制算法的選擇提供了極大的靈活性。同時(shí),該功率級(jí)具備一系列保護(hù)功能,如交叉導(dǎo)通保護(hù)、外部關(guān)斷和欠壓鎖定功能等。
產(chǎn)品特性
電氣性能
- 三相 8A/600V IGBT 模塊:集成驅(qū)動(dòng)器,能夠提供穩(wěn)定的功率輸出,滿足多種電機(jī)驅(qū)動(dòng)需求。
- 內(nèi)置欠壓保護(hù):當(dāng) VDD 低于欠壓鎖定下降閾值時(shí),F(xiàn)AULT 輸出開(kāi)啟,直到 VDD 高于上升閾值才恢復(fù)正常,保障了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
- 交叉導(dǎo)通保護(hù):有效防止上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通,避免短路故障,提高了模塊的可靠性。
- ITRIP 輸入:用于過(guò)流保護(hù),當(dāng) ITRIP 引腳電壓大于參考電壓時(shí),經(jīng)過(guò)一定的消隱時(shí)間和關(guān)斷傳播延遲后,F(xiàn)AULT 輸出開(kāi)啟。
- 集成自舉二極管和電阻:簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),減少了外部元件的使用。
- 熱敏電阻:可用于測(cè)量基板溫度,方便工程師實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)模塊的工作狀態(tài)。
封裝形式
采用緊湊的 29.6mm x 18.2mm 雙列直插式封裝(DIP38),節(jié)省了電路板空間,便于安裝和布局。
認(rèn)證情況
獲得 UL1557 認(rèn)證(文件編號(hào):E339285),證明了產(chǎn)品符合相關(guān)安全標(biāo)準(zhǔn),可放心應(yīng)用于各種工業(yè)和家電領(lǐng)域。
典型應(yīng)用
- 工業(yè)泵:為工業(yè)泵提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)功率,確保泵的高效運(yùn)行。
- 工業(yè)風(fēng)扇:精確控制風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速,實(shí)現(xiàn)節(jié)能和高效通風(fēng)。
- 工業(yè)自動(dòng)化:在自動(dòng)化生產(chǎn)線中,為各種電機(jī)提供可靠的驅(qū)動(dòng),提高生產(chǎn)效率。
- 家電:如洗衣機(jī)、空調(diào)等家電產(chǎn)品,提升產(chǎn)品的性能和可靠性。
引腳功能
| Pin | Name | Description |
|---|---|---|
| 1 | VSS | 低側(cè)公共電源地 |
| 2 | VDD | 用于 IC 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)的低側(cè)偏置電壓 |
| 3 | HIN(U) | 高側(cè) U 相信號(hào)輸入 |
| 4 | HIN(V) | 高側(cè) V 相信號(hào)輸入 |
| 5 | HIN(W) | 高側(cè) W 相信號(hào)輸入 |
| 6 | LIN(U) | 低側(cè) U 相信號(hào)輸入 |
| 7 | LIN(V) | 低側(cè) V 相信號(hào)輸入 |
| 8 | LIN(W) | 低側(cè) W 相信號(hào)輸入 |
| 9 | FAULT | 故障輸出 |
| 10 | ITRIP | 過(guò)流保護(hù)輸入 |
| 11 | SD | 關(guān)斷輸入 |
| 12 | CFOD | 用于故障輸出持續(xù)時(shí)間選擇的電容和電阻 |
| 13 | TH1 | 熱敏電阻偏置電壓 |
| 14 | TH2 | 熱敏電阻的串聯(lián)電阻 |
| 17 | NU | U 相負(fù)直流母線輸入 |
| 18 | NV | V 相負(fù)直流母線輸入 |
| 19 | NW | W 相負(fù)直流母線輸入 |
| 20 | VS(W), W | W 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地,W 相輸出 |
| 22 | VB(W) | W 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓 |
| 26 | VS(V), V | V 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地,V 相輸出 |
| 28 | VB(V) | V 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓 |
| 32 | VS(U), U | U 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地,U 相輸出 |
| 34 | VB(U) | U 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓 |
| 38 | P | 正直流母線輸入 |
電氣參數(shù)
絕對(duì)最大額定值
在 (T_{C}=25^{circ}C) 條件下,各參數(shù)有明確的限制。例如,每個(gè) IGBT 集電極電流在不同條件下有不同的額定值,脈沖寬度為 1ms 時(shí)可達(dá) ±16A;控制電源電壓 VDD 等也有相應(yīng)的范圍限制。超過(guò)這些額定值可能會(huì)損壞器件,影響其可靠性。
推薦工作范圍
為了保證模塊的正常工作和可靠性,推薦的工作參數(shù)如下:
- 高側(cè)控制偏置電壓:VB(U) - VS(U)、VB(V) - VS(V)、VB(W) - VS(W) 為 13.0V。
- 控制電源電壓:14.0 - 16.5V。
- 輸入信號(hào)電壓:HIN(U)、HIN(V)、HIN(W)、LIN(U)、LIN(V)、LIN(W) 為 3.0V。
- 死區(qū)時(shí)間:關(guān)斷到導(dǎo)通(外部)和 ON 和 OFF 均為 1μs。
- 螺絲擰緊力矩:'M3' 型螺絲為 0.6Nm。
電氣特性
在 (T{C}=25^{circ}C),(V{BIAS }(VBS, VDD)=15V) 條件下,模塊具有一系列電氣特性。如功率輸出部分的漏電流為 100μA,F(xiàn)WDi 正向電壓為 3.0V 等。這些特性為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。
典型特性曲線
文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線,如 (V{CE}) 與 (I{C}) 隨溫度變化的曲線、VF 與 I 隨溫度變化的曲線等。這些曲線直觀地展示了模塊在不同溫度和電流條件下的性能表現(xiàn),有助于工程師更好地了解模塊的工作特性,優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。
應(yīng)用信息
輸入/輸出時(shí)序圖
通過(guò)輸入/輸出時(shí)序圖,我們可以清晰地看到模塊在不同情況下的工作狀態(tài)。例如,當(dāng) VDD 電壓下降時(shí),所有柵極輸出信號(hào)將變低,關(guān)閉所有六個(gè) IGBT;當(dāng) VDD 電壓上升到足夠高時(shí),恢復(fù)正常工作。同時(shí),還展示了交叉導(dǎo)通預(yù)防、自舉電壓變化以及過(guò)流保護(hù)等情況對(duì)模塊工作的影響。
輸入/輸出邏輯表
輸入/輸出邏輯表詳細(xì)說(shuō)明了不同輸入信號(hào)組合下,高側(cè) IGBT、低側(cè) IGBT 和 FAULT 輸出的狀態(tài)。這為工程師編寫(xiě)控制程序提供了明確的邏輯依據(jù)。
熱敏電阻特性
熱敏電阻的電阻值隨溫度變化,在 (Tth = 25^{circ}C) 時(shí),電阻值為 100 - 101kΩ,B 常數(shù)為 4208K,溫度范圍為 -40 到 +125°C。通過(guò)熱敏電阻的特性曲線,工程師可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)模塊的溫度,采取相應(yīng)的保護(hù)措施。
故障輸出
FAULT 輸出為開(kāi)漏輸出,需要上拉電阻。當(dāng) VDD 欠壓或出現(xiàn)過(guò)流情況時(shí),F(xiàn)AULT 輸出被觸發(fā)。根據(jù)上拉電壓的不同,選擇合適的上拉電阻值。
欠壓保護(hù)
當(dāng) VDD 低于欠壓鎖定下降閾值時(shí),F(xiàn)AULT 輸出開(kāi)啟,直到 VDD 高于上升閾值才恢復(fù)正常?;謴?fù)正常后,驅(qū)動(dòng)器需要等待 LIN 輸入信號(hào)才能使能 HIN 信號(hào)。
過(guò)流保護(hù)
當(dāng) ITRIP 引腳電壓大于參考電壓時(shí),檢測(cè)到過(guò)流情況。有 350ns 的消隱時(shí)間以提高抗干擾能力,經(jīng)過(guò) 1.1μs 的關(guān)斷傳播延遲后,F(xiàn)AULT 輸出開(kāi)啟。FAULT 輸出保持開(kāi)啟的時(shí)間由連接到 CFOD 引腳的電阻和電容決定。過(guò)流保護(hù)閾值應(yīng)設(shè)置為模塊額定電流的 2 倍或更低,并建議使用額外的保險(xiǎn)絲來(lái)保護(hù)系統(tǒng)。
電源電容
高壓和 VDD 電源都需要電解電容和高頻電容。高頻電容的推薦值在 100nF 到 10μF 之間,以確保電源的穩(wěn)定性。
SD 引腳
SD 引腳用于使能或關(guān)閉內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器。當(dāng) SD 引腳電壓高于 VSD+ 時(shí),輸出驅(qū)動(dòng)器使能;當(dāng)?shù)陀?VSD - 時(shí),驅(qū)動(dòng)器禁用。
最小輸入脈沖寬度
當(dāng)輸入脈沖寬度小于 1μs 時(shí),輸出可能不會(huì)對(duì)脈沖做出反應(yīng),這在設(shè)計(jì)控制信號(hào)時(shí)需要特別注意。
自舉電容值計(jì)算
自舉電容值 CB 的計(jì)算需要考慮多個(gè)參數(shù),如自舉電源 VBS、IGBT 的總柵極電荷 QG、UVLO 下降閾值 UVLO、高側(cè)驅(qū)動(dòng)功率損耗 IDMAX 和高側(cè) IGBT 的最大導(dǎo)通脈沖寬度 TONMAX。計(jì)算公式為 (CB=(QG+IDMAX * TONMAX ) /(VBS - UVLO )),推薦 CB 值約為計(jì)算值的 3 倍,范圍在 1 到 47μF 之間,但需要在生產(chǎn)前進(jìn)行驗(yàn)證。
測(cè)試電路
文檔中給出了多個(gè)測(cè)試電路,如 (ICE)、(V{CE(sat)})、(V{F})、(RB)、(I{QBS})、(I{QDD}) 和開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)試電路。這些測(cè)試電路為工程師驗(yàn)證模塊的性能提供了具體的方法和參考。
機(jī)械尺寸
模塊采用 DIP38 封裝,尺寸為 29.60x18.20x9.80mm,引腳間距為 1.00mm。詳細(xì)的機(jī)械尺寸信息為電路板設(shè)計(jì)提供了準(zhǔn)確的參考,確保模塊能夠正確安裝和布局。
總結(jié)
NFAQ0860L33T 智能功率模塊以其集成度高、保護(hù)功能完善、性能穩(wěn)定等特點(diǎn),為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供了優(yōu)秀的解決方案。電子工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí),需要充分了解模塊的特性、參數(shù)和應(yīng)用信息,合理選擇工作參數(shù),確保模塊的正常運(yùn)行和系統(tǒng)的可靠性。同時(shí),通過(guò)測(cè)試電路驗(yàn)證模塊的性能,不斷優(yōu)化設(shè)計(jì),以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。你在使用類似模塊時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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