如何使用Soatherm進(jìn)行MOSFET熱模型的設(shè)計(jì)
在高功率水平下，驗(yàn)證熱插拔設(shè)計(jì)是否不超過MOSFET的能力是一個(gè)挑戰(zhàn)。幸運(yùn)的是，熱行為和SOA可以在LTSPICE IV?等電路模擬器中建模。LTSPICE中包含的SoathermNMOS符號(hào)包含由線性技術(shù)開發(fā)的MOSFET熱模型集合，以簡(jiǎn)化此任務(wù)。這些熱模型可用于驗(yàn)證MOSFET的最大模具溫度沒有超過，即使在斯普里托區(qū)域，允許電流在高漏源電壓下呈指數(shù)下降。理論上，Soatherm報(bào)告了MOSFET芯片上最熱點(diǎn)的溫度。Soatherm模型預(yù)測(cè)了MOSFET的溫度，而不影響電路模擬的電氣行為。本視頻介紹如何使用Soatherm
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電流
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
7226瀏覽量
141579 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10795瀏覽量
234862 -
熱插拔
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
274瀏覽量
41257
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
熱分析（結(jié)構(gòu)函數(shù)）的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)（上篇）
在介紹通過瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線得到結(jié)構(gòu)函數(shù)的過程之前，我們需要先了解一下RC熱網(wǎng)絡(luò)模型和時(shí)間常數(shù)的概念。這里我們借用一下JESD51-14中對(duì)RC熱網(wǎng)絡(luò)模型的描述，假設(shè)有一個(gè)四周絕熱的正立
在哪里可以找到MOSFET功率損耗信息？
我正在進(jìn)行 BMS 設(shè)計(jì)并計(jì)劃使用該MC33HB2000FK（如 RD-BESSK358BMU 參考設(shè)計(jì)）。
我想估計(jì) MC33HB2000FK 的 MOSFET 損耗，用于 PCB 熱設(shè)計(jì)目的
發(fā)表于 04-16 10:43
SiC MOSFET芯片短路失效機(jī)理：基于 Sentaurus TCAD 的電-熱-力多物理場(chǎng)耦合仿真
SiC MOSFET芯片短路失效機(jī)理：基于 Sentaurus TCAD 的電-熱-力多物理場(chǎng)耦合仿真 1. 緒論：碳化硅功率器件在極端工況下的可靠性挑戰(zhàn) 在當(dāng)今全球能源轉(zhuǎn)型的宏大背景下，第三代
NVTFS005N04C MOSFET器件的特性與應(yīng)用分析
安森美（onsemi）的NVTFS005N04C MOSFET，看看它有哪些特性和應(yīng)用場(chǎng)景。 文件下載： NVTFS005N04C-D.PDF 一、熱特性 熱特性對(duì)于MOSFET的性能
基于 Foster 模型的實(shí)戰(zhàn)建模：如何在仿真軟件中設(shè)置 SiC 模塊的瞬態(tài)熱阻參數(shù)
基于 Foster 模型的實(shí)戰(zhàn)建模：如何在仿真軟件中設(shè)置 SiC 模塊的瞬態(tài)熱阻參數(shù) 碳化硅功率模塊熱管理挑戰(zhàn)與瞬態(tài)熱阻抗建模的工程背景 在現(xiàn)代電力電子工程的宏大圖景中，半導(dǎo)體材料的演進(jìn)正在深刻重塑
MOSFET熱載流子效應(yīng)退化測(cè)試解析
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子 (CHC) 誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子
MOSFET相關(guān)問題分享
損壞。其次是功率。如果功率高于25%，MOS發(fā)熱嚴(yán)重，性能會(huì)急劇下降，因此在設(shè)計(jì)時(shí)需要對(duì)MOS進(jìn)行降額使用。
2.Q: 目前的MOSFET提供哪些封裝？
A：封裝有TO-220、TO-220F
發(fā)表于 01-26 07:46
為什么超級(jí)結(jié) GaN Sic能避免熱損耗? #MOS #MOS管 #mosfet #mosfet工作原理
MOSFET
微碧半導(dǎo)體VBsemi
發(fā)布于 :2025年12月05日 17:43:24
功率MOSFET管的應(yīng)用問題分析
，PCB布局，特別是貼片封裝功率MOSFET管，要在源極、漏極管腳充分敷設(shè)銅皮進(jìn)行散熱。功率MOSFET管數(shù)據(jù)表的熱阻測(cè)量通常有一定限制條件，如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上
發(fā)表于 11-19 06:35
知識(shí)分享 | 使用MXAM進(jìn)行AUTOSAR模型的靜態(tài)分析：Embedded Coder與TargetLink模型
知識(shí)分享在知識(shí)分享欄目中，我們會(huì)定期與讀者分享來自MES模賽思的基于模型的軟件開發(fā)相關(guān)Know-How干貨，關(guān)注公眾號(hào)，隨時(shí)掌握基于模型的軟件設(shè)計(jì)的技術(shù)知識(shí)。使用MXAM進(jìn)行AUTOSAR模型
如何進(jìn)行YOLO模型轉(zhuǎn)換？
我目前使用的轉(zhuǎn)模型代碼如下
from ultralytics import YOLOimport cv2import timeimport nncaseimport# 加載預(yù)訓(xùn)練的YOLO模型
發(fā)表于 08-14 06:03
MOSFET熱阻參數(shù)解讀
MOSFET的熱阻（Rth）用來表征器件散熱的能力，即芯片在工作時(shí)內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封料等材料向散熱器或者環(huán)境傳遞過程中所遇到的阻力，單位是℃/W，其值越小越好。
Simcenter Flotherm BCI-ROM技術(shù)：與邊界條件無關(guān)的降階模型可加速電子熱設(shè)計(jì)
優(yōu)勢(shì)比解算完整的3D詳細(xì)模型快40,000倍與完整的3D詳細(xì)模型相比，沒有有效精度損失適用于所有熱環(huán)境–用戶定義傳熱系數(shù)范圍可以在很長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間內(nèi)進(jìn)行瞬態(tài)仿真，例如汽車行使工況支持多個(gè)
【產(chǎn)品介紹】Simcenter Micred T3STER SI：最新一代瞬態(tài)熱測(cè)試設(shè)備
內(nèi)部信息。SimcenterT3STERSI支持對(duì)器件進(jìn)行在線測(cè)試，結(jié)殼熱阻測(cè)試等。測(cè)試結(jié)果可以生成熱阻熱容模型供熱仿真軟件使用，同時(shí)也可以用于校準(zhǔn)詳細(xì)的仿真
MOSFET講解-17（可下載）
接下來接著看 12N50 數(shù)據(jù)手冊(cè)上面這個(gè)參數(shù)是 MOSFET 的熱阻，RBJC 表示 MOS 管結(jié)溫到表面的 熱阻，這里我們知道 RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：RBJC = T
發(fā)表于 04-22 13:29
?6次下載
評(píng)論