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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

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2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 4.4k 1

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常見的功率半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板材料

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2022-07-11 標(biāo)簽:集成電路功率器件GaN 4.3k 0

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越來越多的車企向800V高壓平臺進(jìn)軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么?它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”?400V和800V的電動車在用車體驗上...

2024-01-06 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 4.2k 0

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氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

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2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件碳化硅寬禁帶 4.2k 0

如何計算散熱器

散熱器通常用于吸收和散發(fā)來自電子功率器件(如晶體管、可控硅、三端雙向可控硅等)的過多熱量,以便將器件溫度控制在其最大可容忍極限以下。

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MOS管燒毀的原因分析

今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點,不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。

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雙脈沖測試平臺的架構(gòu)及搭建方案

雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。...

2022-10-12 標(biāo)簽:功率器件脈沖測試 4.1k 0

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用戶如果使用具有省電模式 (PSM) 的開關(guān)穩(wěn)壓器,則往往會擔(dān)心穩(wěn)壓器在輕負(fù)載時的工作情況,因為 PSM 會減少工作頻率、跳脈、提供脈沖群或出現(xiàn)這些情況...

2018-05-21 標(biāo)簽:負(fù)載電流功率器件 4.1k 0

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IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計芯片穩(wěn)定工...

2023-08-11 標(biāo)簽:熱敏電阻NTCIGBT 4k 0

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

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2023-01-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 4k 0

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