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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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扁線電機(jī)激光焊接工藝的8大應(yīng)用難點(diǎn)
在實(shí)際上生產(chǎn)中,扁線電機(jī)會比當(dāng)前的圓線生產(chǎn)要求更高的穩(wěn)定性和合格率。今天我們就來看看,扁線電機(jī)定子生產(chǎn)過程中,當(dāng)下主流的6大核心工序!
IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊,誕生于20世紀(jì)80年代,并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級,通過新技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...
陶瓷覆銅板是在高溫,流動氣氛下銅帶與陶瓷基片通過高溫熔煉和擴(kuò)散過程而形成的一種高導(dǎo)熱、高絕緣強(qiáng)度的復(fù)合材料,既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度...
金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...
隨著功率器件的發(fā)展,正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用,SPWM 控制是在逆變器輸出交流電能的一個周期內(nèi),將直流電能斬成幅值相等而寬度根據(jù)正...
2024-12-27 標(biāo)簽:正弦波脈寬調(diào)制功率器件 3.5k 0
碳化硅功率器件在中高壓電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢
光伏,電動汽車,儲能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展是目前行業(yè)中的趨勢。
2022-08-01 標(biāo)簽:功率器件碳化硅瑞能半導(dǎo)體 3.5k 0
功率器件,作為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的核心組件,扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓,還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動汽車、通...
從電子流動的方向出發(fā),阻礙電子流動的參數(shù)為電阻,在高頻領(lǐng)域稱為阻抗,在實(shí)際電路中,電路工作過程會產(chǎn)生大量功耗,所有的功耗均需要進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換,其中,熱能是...
SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽車、...
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場...
推挽式開關(guān)電源是一種常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開關(guān)電源中,MOS管是核心的功率器件之一,其性能直接影響到整個電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...
2024-08-15 標(biāo)簽:電子設(shè)備功率器件電源拓?fù)?/a> 3.5k 0
由于電遷移效應(yīng),金屬線可能會斷裂并短路。EM會增加導(dǎo)線電阻,這會導(dǎo)致電壓下降,從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開路,它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。
硅終端金剛石半導(dǎo)體與場效應(yīng)管器件研究進(jìn)展
金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,近年來成為大家關(guān)注的熱點(diǎn)。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進(jìn)展,但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒有很好解決。氫終端...
2023-08-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 3.4k 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會影響IGBT的...
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