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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...
雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及未來趨勢
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能極限。為了滿足不斷增長的性能需求，碳化硅（SiC）...
碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學(xué)特性，其中禁帶寬度 （2.3~3.3eV）約是Si 的3倍，擊穿電場強(qiáng)度（0.8×10...
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段...
2025-06-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 1.6k 0
用于EV充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電...
2023-06-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)功率器件 1.6k 0
基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究
近日，在西安·曲江國際會議中心舉辦的2024中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨中國電源學(xué)會第二十七屆學(xué)術(shù)年會及展覽會（CPEEC & CPSSC 20...
碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造電動(dòng)汽車（EV）、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因...
不間斷電源（UPS）是一種將蓄電池與主機(jī)相連接，將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備，主要是為了在市電故障時(shí)能夠?yàn)橛?jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。
可再生能源應(yīng)用以及各種能效技術(shù)需要可靠、緊湊和熱效率高的電源設(shè)備。為了推動(dòng)風(fēng)力渦輪機(jī)、智能電網(wǎng)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)、太陽能光伏和電動(dòng)汽車的創(chuàng)新，1需要具有高...
? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特?fù)舸╇妷旱难菔鹃L期以來一直激勵(lì)著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...
英飛凌CoolSiC? MOSFET G2，助力下一代高性能電源系統(tǒng)
所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù)，并已取代了平面技術(shù)，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷，2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多，其中車規(guī)功率器件量價(jià)齊升市場規(guī)模已超過1000億元
嵌入式電路設(shè)計(jì)之三極管基礎(chǔ)電路總結(jié)
在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關(guān)功能，此時(shí)三極管可作為開關(guān)器件來使用。作為開關(guān)器件使用時(shí)需使用開關(guān)三極管如9014和9015等小功率器...
2015-10-01 標(biāo)簽：三極管功率器件開關(guān)器件 1.5k 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低...
晶閘管（SCR）自問世以來，其功率容量提高了近3000倍。現(xiàn)在許多國家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV / 4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 4kA和6kV ...
根據(jù)研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...
功率器件封裝和適當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)的重要性
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成...
電裝和三菱電機(jī)將在碳化硅業(yè)務(wù)上合計(jì)投資10億美元
市場估計(jì)表明，SiC總潛在市場將從2022年的30億美元增長到2030年的210億美元，復(fù)合年增長率為28%。 相干公司宣布，電裝和三菱電機(jī)將在其碳化硅...
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