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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車輛的空閑時(shí)間，尤其是在長(zhǎng)途駕駛中。
2023-10-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET充電器 1.1k 0
深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性，包括更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。
隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場(chǎng)景中。
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...
2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 1.1k 0
導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求
益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管，以降低開關(guān)損耗和恢復(fù)損耗，搭配 PFC 和 LLC ...
2023-06-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件數(shù)字控制器 1.1k 0
碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì) 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...
浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗，IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域，如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
PCB需要解決什么問(wèn)題 芯片需要解決什么問(wèn)題
PCB作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~，是電子產(chǎn)品最關(guān)鍵的部分，其質(zhì)量的好壞直接決定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。
2023-08-31 標(biāo)簽：電子產(chǎn)品pcb元器件 1.1k 0
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...
惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用
近年來(lái)，隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率器件封測(cè)設(shè)備和材料在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來(lái)越重要，國(guó)內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對(duì)傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。
目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...
如今，我們已經(jīng)無(wú)法想象沒有電的生活了。我們生活的各個(gè)方面越來(lái)越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過(guò)程中，功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。
模塊電源行列也有部分產(chǎn)品采用多層板，主要便于集成變壓器電感等功率器件，優(yōu)化接線、功率管散熱等。具有工藝美觀一致性好，變壓器散熱好的優(yōu)點(diǎn)，但其缺點(diǎn)是成本較...
探索 onsemi EcoSPARK2 HV - HE IGBT FGB5065G2 - F085：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析
作為電子工程師，在選擇合適的功率器件時(shí)，往往需要全面了解其特性、參數(shù)以及適用場(chǎng)景。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 的 EcoSPARK2 HV -...
上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時(shí)，其電壓耐量可放一個(gè)合適的余量（保證最壞情況下的電壓峰值不超過(guò)此值），電流耐量則得按器件...
2023-04-28 標(biāo)簽：開關(guān)電源BUCK變換器 1.1k 0
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，因此不會(huì)立即流過(guò)過(guò)大的直通電流。所以即使流過(guò)了直通電流，也具有足夠的冷卻能...
新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造技術(shù)
柵極電壓。上升過(guò)程，P阱中電子流向溝道，空穴流出P阱，在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時(shí)，P阱瞬態(tài)電位上升，等效閾值電壓升高; 漏極電壓下...
支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
德州儀器的默認(rèn)過(guò)流保護(hù)方法被歸類為“電流鎖存”保護(hù)；這意味著，若在器件中檢測(cè)到任何過(guò)流故障，F(xiàn)ET將安全關(guān)斷，并在故障復(fù)位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70m...
具有集成驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品家族，該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無(wú)引線(OFN)封裝，封裝尺寸為12毫米x12毫米...
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