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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

+關(guān)注43人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

中微愛(ài)芯高速中壓全橋驅(qū)動(dòng)電路AiP2180介紹

中微愛(ài)芯高速中壓全橋驅(qū)動(dòng)電路AiP2180介紹

AiP2180是一款高速中壓全橋驅(qū)動(dòng)電路。該電路主要用于驅(qū)動(dòng)中壓功率器件,如N型MOSFET或IGBT等,電路內(nèi)置可調(diào)死區(qū)控制,可以調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)效率,支持獨(dú)...

2025-04-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路功率器件 1k 0

光伏發(fā)電中功率器件的應(yīng)用分析

碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng),相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級(jí)、開(kāi)關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢(shì),有助...

2023-08-02 標(biāo)簽:MOSFET光伏光伏發(fā)電 1k 0

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

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2023-11-23 標(biāo)簽:汽車電池功率器件 994 0

Texas Instruments UCC57108EVM評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC57108EVM評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC57108EVM評(píng)估模塊是為評(píng)估UCC57108的功能而開(kāi)發(fā)的。對(duì)于具有TO-220占位面積的電容性負(fù)載或功率...

2025-07-28 標(biāo)簽:功率器件評(píng)估模塊TO-220封裝 993 0

新潔能NCE65TF099:高頻開(kāi)關(guān)性能如何賦能不同產(chǎn)品應(yīng)用?

新潔能NCE65TF099:高頻開(kāi)關(guān)性能如何賦能不同產(chǎn)品應(yīng)用?

在當(dāng)今快速發(fā)展的電子技術(shù)領(lǐng)域,高頻開(kāi)關(guān)性能已成為衡量功率器件性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。新潔能憑借其卓越的高頻開(kāi)關(guān)性能,正在為各種產(chǎn)品應(yīng)用帶來(lái)前所未有的賦能與變...

2025-10-20 標(biāo)簽:MOS功率器件高頻開(kāi)關(guān) 988 0

浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑

浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑

橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)...

2025-05-28 標(biāo)簽:晶體管功率器件GaN 985 0

新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究

新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究

提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...

2023-05-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 981 0

淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)

淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)

該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型,并和CFD的3D熱仿真進(jìn)行了對(duì)比。簡(jiǎn)化的ROM降階模型在所有的計(jì)算結(jié)果中都獲得了可...

2023-08-21 標(biāo)簽:溫度傳感器逆變器IGBT 979 0

季豐電子功率器件動(dòng)態(tài)老化測(cè)試能力介紹

季豐電子功率器件動(dòng)態(tài)老化測(cè)試能力介紹

DGS & DRB是功率器件可靠性測(cè)試中的關(guān)鍵內(nèi)容。DGS評(píng)估器件檢測(cè)碳化硅功率MOSFET 的柵極開(kāi)關(guān)不穩(wěn)定性,DRB評(píng)估器件芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)因高...

2025-11-19 標(biāo)簽:功率器件老化測(cè)試季豐電子 960 0

功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)選型避坑指南

動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測(cè)試系統(tǒng)分立器件 954 0

碳化硅為什么如此火爆呢

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng),行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。

2023-09-11 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC 947 0

UCC14240-Q1 汽車類 2.0W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC14240-Q1 汽車類 2.0W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC14240-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC14240-Q1 將變...

2025-04-18 標(biāo)簽:控制器輸出電壓電源模塊 946 0

雙面散熱IGBT功率器件 | 封裝工藝

雙面散熱IGBT功率器件 | 封裝工藝

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性...

2026-04-16 標(biāo)簽:IGBT散熱功率器件 918 0

功率ic是怎么做出來(lái)的

功率IC是通過(guò)半導(dǎo)體工藝制造出來(lái)的電子器件,具有集成度高、功率密度高、體積小等特點(diǎn)。功率IC的制造過(guò)程主要分為以下幾個(gè)步驟: 晶圓制備:用高純度硅作為原...

2023-02-18 標(biāo)簽:IC功率器件功率IC 918 0

一文搞懂焊點(diǎn)金脆性問(wèn)題的成因與破解方案

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焊點(diǎn)金脆性是指過(guò)量金元素進(jìn)入焊點(diǎn)后,與錫等形成脆性金屬間化合物,導(dǎo)致焊點(diǎn)韌性下降、易開(kāi)裂的現(xiàn)象,嚴(yán)重影響電子器件在溫循、振動(dòng)場(chǎng)景下的可靠性。其核心成因是...

2025-12-30 標(biāo)簽:功率器件錫膏回流焊 909 0

充電樁行業(yè)七大發(fā)展趨勢(shì)

充電樁行業(yè)七大發(fā)展趨勢(shì)

介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...

2023-10-09 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 907 0

比亞迪丨電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)發(fā)展及關(guān)鍵技術(shù)

比亞迪丨電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)發(fā)展及關(guān)鍵技術(shù)

扁線電機(jī)2021年滲透率約為27%,預(yù)計(jì)今年滲透率可達(dá)40%,隨著扁線技術(shù)的成熟,未來(lái)用量增長(zhǎng)迅猛。

2023-05-10 標(biāo)簽:比亞迪驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 904 0

SiC 碳化硅半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料材料

SiC 碳化硅半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料材料

引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍...

2025-12-08 標(biāo)簽:材料功率器件SiC 901 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí),其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革新性的改變,成為了解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵所在。

2024-01-06 標(biāo)簽:功率器件SiC氮化鎵 901 0

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    工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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    JDI(Java Debug Interface)是 JPDA 三層模塊中最高層的接口,定義了調(diào)試器(Debugger)所需要的一些調(diào)試接口?;谶@些接口,調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài),例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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      網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng),英文Network File System(NFS),是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議(presentation layer protocol),能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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