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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應用
本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應用。下面結合半導體的物理特性,對氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)的特點加以說明。
2022-04-24 標簽:雷達功率器件收發(fā)系統(tǒng) 7.5k 0
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主...
對于溫度傳感器的快速升溫和降溫,要避免超過傳感器的額定溫度范圍,以免損壞傳感器或影響測量的準確性。此外,在選擇和應用這些方法時,應根據具體傳感器的規(guī)格和...
瞻芯電子G2 650V SiC MOSFET的魯棒性驗證試驗
瞻芯電子(IVCT)基于經典壽命模型,對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進行了魯棒性驗證試驗(Robustness-Valida...
隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術也在持續(xù)進步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉化效率,封測企業(yè)正在為新產品研發(fā)更先進的封裝工藝、封裝技術及封裝外形等...
隨著激光雷達的發(fā)展,相關市場也會出現(xiàn)增長。據Yole Développement預測,氮化鎵功率器件的市場將在未來五年內實現(xiàn)79%的年復合增長率,并在2...
SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導體材料的重要應用之一。SiC以其優(yōu)異...
目前IGBT 的電流/電壓等級已達1800A/1200V,關斷時間已經縮短到40ns,工作頻率可達40kHz,擎住現(xiàn)象得到改善,安全工作區(qū)(SOA)擴大...
氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關速度和低導通電阻等優(yōu)點,逐漸被廣泛應用于功率電子領域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢...
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