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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù)，鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟，且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種，直徑小于100um的鋁...
功率半導(dǎo)體的定義和分類 功率器件的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)...
英飛凌無(wú)磁芯變壓器（CT）隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)介紹
無(wú)磁芯變壓器是新一代的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，基于英飛凌領(lǐng)先的功率器件設(shè)計(jì)和應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn)，具有高共模瞬變抗擾度、精密時(shí)序控制、精確的短路保護(hù)、高電壓并可靠的輸出推挽MO...
2022-04-18 標(biāo)簽：英飛凌功率器件隔離驅(qū)動(dòng)芯片 6.3k 1
一文解析SiC MOSFET短路特性及技術(shù)優(yōu)化
電流互感器也是一種較為常見的電流檢測(cè)方法， 使用時(shí)使流過(guò)負(fù)載電流的導(dǎo)線或走線穿過(guò)電流互感器， 進(jìn)而在電流互感器輸出端輸出與負(fù)載電流成一定比例的感應(yīng)電流。
IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來(lái)改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異，...
貼片電源模塊是一種常見的電源模塊，它通常用于電子設(shè)備中提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。在這篇文章中，我們將介紹sF6773貼片電源模塊的參數(shù)、功能以及代換方法。讓我...
HIP247和TO247是兩種常見的封裝類型，用于電子元件，特別是功率器件的封裝。盡管它們?cè)诿Q上非常相似，但其實(shí)它們?cè)诔叽纭⒔Y(jié)構(gòu)、材料和應(yīng)用方面存在一...
GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。金屬與半導(dǎo)體接觸可以形成肖特基接觸，...
雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo)，那么什么是雪崩耐量呢？即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...
功率芯片通過(guò)封裝實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接，其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持，在大功率場(chǎng)合下通常功率芯片會(huì)被封裝為功率模塊進(jìn)行使用。芯片互連（interconn...
創(chuàng)建可以緩解密勒效應(yīng)寄生導(dǎo)通的柵極負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)器并不一定很復(fù)雜。許多現(xiàn)有的單極性工作的柵極驅(qū)動(dòng)器，借助很少的外部電路就可以輕松驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O負(fù)電壓。
2018-11-14 標(biāo)簽：功率器件柵極驅(qū)動(dòng)器 6.1k 0
關(guān)于開關(guān)電源技術(shù)技術(shù)關(guān)注點(diǎn)的十大闡述
開關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門的技術(shù)，而它的發(fā)展趨勢(shì)又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題，不然一不留神就會(huì)跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)做了項(xiàng)開關(guān)電源技術(shù)發(fā)...
2013-05-27 標(biāo)簽：電源開關(guān)電源功率器件 6.1k 1
控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加，一般消耗電流在30～40mA，或者是MOS管工作有問(wèn)題；電動(dòng)機(jī)無(wú)力可能是控制器檢測(cè)過(guò)流的康銅絲焊接不良，導(dǎo)致...
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái)，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...
輪轂電機(jī)的原理與結(jié)構(gòu) 輪轂電機(jī)的優(yōu)缺點(diǎn)
輪轂電機(jī)即是在車輪內(nèi)裝電機(jī)，它的最大特點(diǎn)就是將動(dòng)力、傳動(dòng)和制動(dòng)裝置都整合到輪轂內(nèi)，因此將電動(dòng)車輛的機(jī)械部分大大簡(jiǎn)化。
RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)
因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場(chǎng)景都是感性負(fù)載，在IGBT關(guān)斷的時(shí)候，感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流，IGBT不能反向?qū)ǎ枰贗GBT的兩端并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二...
對(duì)普通整流二極管來(lái)講，只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動(dòng)、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開啟關(guān)斷、雷擊、開關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下，瞬間電壓高于...
繼上一篇超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
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