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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過(guò)它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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傅里葉變換的意義和性質(zhì) 為什么萬(wàn)物皆可傅里葉

傅里葉變換的意義和性質(zhì) 為什么萬(wàn)物皆可傅里葉? 傅里葉變換是一種通過(guò)將時(shí)間域上的函數(shù)轉(zhuǎn)換為頻率域上的函數(shù)，來(lái)分析信號(hào)的方法。它是在18世紀(jì)末由法國(guó)數(shù)學(xué)家...

2023-09-07 標(biāo)簽：DFT 傅里葉變換 5.6k 0

怎么配置DFT中常見(jiàn)的MBIST以及SCAN CHAIN

今天這期小編將繼續(xù)與大家一起學(xué)習(xí)DFT的相關(guān)知識(shí)和流程代碼，在開(kāi)始之前，先解決一下上期DFT學(xué)習(xí)的章節(jié)最后留下的問(wèn)題—DFT工程師在收斂時(shí)序timing...

2023-04-16 標(biāo)簽：DFT Scan 1.1萬(wàn) 0

直接調(diào)控Li+溶劑化結(jié)構(gòu)的全氟化碳酸酯類(lèi)電解液

鋰金屬陽(yáng)極作為鋰離子電池中石墨陽(yáng)極（理論容量為372 mAh g-1）的理想替代品，正經(jīng)歷著飛速的發(fā)展。

2023-02-24 標(biāo)簽：鋰離子電池電解液 DFT 3.2k 0

IC驗(yàn)證和DFT哪個(gè)更有前景

在前端設(shè)計(jì)和功能驗(yàn)證之間做對(duì)比的情況是很常見(jiàn)的，但隨著IC設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展，很多初入行的ICer對(duì)其他崗位之間的異同點(diǎn)也很好奇。比如驗(yàn)證和DFT。

2022-12-01 標(biāo)簽：IC DFT 驗(yàn)證 2.6k 0

一個(gè)典型設(shè)計(jì)的DFT組件

在本篇白皮書(shū)中，我們介紹了一個(gè)典型設(shè)計(jì)的 DFT 組件，并提出了多種可大幅改善 DFT 項(xiàng)目進(jìn)度的智能 DFT 方法。我們展示了如何將結(jié)構(gòu)化 DFT 和...

2022-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體自動(dòng)化 DFT 1.7k 0

可測(cè)性設(shè)計(jì)DFT

這是一種基于故障模型的測(cè)試矢量，它的最大好處是可以利用電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具自動(dòng)對(duì)電路產(chǎn)生測(cè)試向量，并且能夠有效地評(píng)估測(cè)試效果。

2022-11-29 標(biāo)簽：寄存器 DFT 矢量 2.2k 0

西門(mén)子Tessent Multi-die解決方案實(shí)現(xiàn)2.5D/3D IC可測(cè)性設(shè)計(jì)自動(dòng)化

西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出 Tessent? Multi-die 軟件解決方案，旨在幫助客戶(hù)加快和簡(jiǎn)化基于 2.5D 和 3D 架構(gòu)的下一代集成電路 ...

2022-10-17 標(biāo)簽：IC 西門(mén)子 DFT 2k 0

一種新型的MXene/過(guò)渡金屬硫化物（MSy）異質(zhì)結(jié)構(gòu)合成方法

基于MXene的異質(zhì)結(jié)構(gòu)最近引起了人們的極大興趣。然而，復(fù)雜而苛刻的制備過(guò)程阻礙了它們的進(jìn)一步商業(yè)化。

2022-09-19 標(biāo)簽：DFT XRD 電池系統(tǒng) 3.6k 0

通過(guò)濕化學(xué)法構(gòu)建了具有原子有序結(jié)構(gòu)的五元PtRhBiSnSb納米板

高熵合金(HEAs)通常由5種或5種以上的金屬元素構(gòu)成，在幾何結(jié)構(gòu)以及電子構(gòu)型方面顯示出更大的調(diào)控空間，從而拓展了HEAs在催化反應(yīng)的應(yīng)用。

2022-09-09 標(biāo)簽：電解液 DFT 2.6k 0

一種用于低濃度CO2的有效光還原的技術(shù)

將二氧化碳（CO2）光催化轉(zhuǎn)化為合成氣是解決能源和環(huán)境挑戰(zhàn)的一種很有前途的方法。

2022-09-02 標(biāo)簽：DoS DFT 靜電保護(hù) 2.9k 0

路易斯酸堿理論為電解液設(shè)計(jì)及金屬基負(fù)極的實(shí)用化提供理論指導(dǎo)

Zn金屬是水系鋅離子電池（ZIBs）理想的負(fù)極材料。然而，Zn金屬負(fù)極的使用往往伴隨著枝晶生長(zhǎng)以及難以控制的副反應(yīng)，這嚴(yán)重阻礙了ZIBs的發(fā)展和應(yīng)用。

2022-08-31 標(biāo)簽：離子電池充放電電解液 3k 0

通過(guò)硬件仿真將DFT轉(zhuǎn)移到芯片設(shè)計(jì)中

在市場(chǎng)上所有的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 (EDA) 工具中，可測(cè)試設(shè)計(jì) (DFT) 可能是最不被重視的。即使在設(shè)計(jì)階段將可測(cè)試性構(gòu)建到芯片中也會(huì)顯著降低高昂的測(cè)試...

2022-08-22 標(biāo)簽：芯片 DFT 硬件仿真 2.1k 0

時(shí)域與頻域的總結(jié)

頻域中選擇正弦波，是因?yàn)闀r(shí)域中任何波形都可以通過(guò)正弦波合成。還有，通過(guò)頻域中的正弦波比時(shí)域更容易理解和解決。

2022-08-15 標(biāo)簽：示波器正弦波 DFT 4.8k 0

DFT驗(yàn)證面臨的挑戰(zhàn)及解決方法

對(duì)于高集成度的芯片來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)階段一個(gè)小小的錯(cuò)誤，都可能導(dǎo)致產(chǎn)品有缺陷，讓工程師們爆肝幾個(gè)月的成果毀于一旦。為了避免這種情況，需要在芯片設(shè)計(jì)階段就插入各種...

2022-06-16 標(biāo)簽：NI DFT 驗(yàn)證平臺(tái) 4.5k 0

NI數(shù)字Pattern儀器PXIe破解遠(yuǎn)程DFT驗(yàn)證難題

在芯片的DFT驗(yàn)證過(guò)程中，一般會(huì)利用ATE向待測(cè)芯片的輸入管腳發(fā)送測(cè)試用的Pattern，然后在芯片的輸出管腳比對(duì)輸出時(shí)序，由此判斷待測(cè)芯片是否存在制造...

2022-06-16 標(biāo)簽：芯片軟件 NI 4.2k 0

如何消除表面殘余電荷和極化電場(chǎng)？

密度函數(shù)理論（DFT）已經(jīng)發(fā)展成為電子結(jié)構(gòu)計(jì)算的主要方法，幾乎可以研究材料的所有方面及其特性。大多數(shù)DFT代碼的一個(gè)共同假設(shè)是周期性邊界條件（PBC）。...

2021-07-05 標(biāo)簽：光電子拓?fù)?/a>函數(shù) 4.8k 0

剖析傳感器診斷功能的電化學(xué)氣體測(cè)量系統(tǒng)設(shè)計(jì)

氣體檢測(cè)儀器廣泛應(yīng)用于從家用空氣質(zhì)量測(cè)量設(shè)備到工業(yè)有毒氣體檢測(cè)解決方案的各種應(yīng)用。電化學(xué)氣體傳感器應(yīng)用的歷史可以追溯到1950年代，當(dāng)時(shí)開(kāi)發(fā)了用于氧氣監(jiān)...

2021-05-06 標(biāo)簽：傳感器電極 DFT 5.4k 0

關(guān)于基于DSP的同步相量測(cè)量裝置的研究

2 PMU的軟件平臺(tái) 為了提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性與可靠性，采用μC／OS-II實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)平臺(tái)，并在此平臺(tái)上開(kāi)發(fā)了USB設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序、模擬量幅值與相位...

2021-03-29 標(biāo)簽：電流電壓 DFT 2.3k 1

DFT基本原理解析

隨著芯片系統(tǒng)的日益復(fù)雜，測(cè)試已經(jīng)成為集成電路設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中非常重要的因素，它已經(jīng)不再單純作為芯片產(chǎn)品的檢驗(yàn)、驗(yàn)證手段，而是與集成電路設(shè)計(jì)有著密切聯(lián)系的...

2020-07-06 標(biāo)簽：DFT 1.1萬(wàn) 1

基于體系結(jié)構(gòu)和基于流的DFT方法

基于架構(gòu)和基于流的DFT方法 ASIC設(shè)計(jì)平均門(mén)數(shù)的增加迫使設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)花費(fèi)20％到50％的ASIC開(kāi)發(fā)工作量測(cè)試相關(guān)的問(wèn)題，以實(shí)現(xiàn)良好的測(cè)試覆蓋率。雖然遵...

2023-11-10 標(biāo)簽：asic DFT 2.3k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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