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晶豐明源榮獲2025金充獎(jiǎng)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)

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2025年11月7日,由充電頭網(wǎng)主辦的“2025金充獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”在深圳成功舉辦。晶豐明源作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電源管理芯片企業(yè),憑借公司創(chuàng)新的“直驅(qū)GaN高頻磁...

2025-11-12 標(biāo)簽:GaN電源管理芯片晶豐明源 919 0

雙向創(chuàng)“芯” — 云鎵半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)首發(fā)高壓 GaN 雙向器件 (GaN BDS)

雙向創(chuàng)“芯” — 云鎵半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)首發(fā)高壓 GaN 雙向器件 (GaN BDS)

云鎵半導(dǎo)體雙向創(chuàng)“芯”—云鎵半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)首發(fā)高壓GaN雙向器件MBDS1.前言長(zhǎng)期以來(lái),器件工程師都在追求一種可雙向?qū)ㄇ译p向耐壓的開(kāi)關(guān)元件,該類(lèi)器件在A...

2025-11-11 標(biāo)簽:GaN雙向器件 1.5k 0

云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 3kW 無(wú)橋圖騰柱 GaN PFC 評(píng)估板

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云鎵半導(dǎo)體云鎵半導(dǎo)體發(fā)布3kW無(wú)橋圖騰柱GaNPFC評(píng)估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術(shù)文檔將重點(diǎn)...

2025-11-11 標(biāo)簽:PFCGaN評(píng)估板 1.5k 0

SiC與GaN技術(shù)如何破局車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體應(yīng)用痛點(diǎn)

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為促進(jìn)車(chē)規(guī)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)升級(jí)和行業(yè)發(fā)展,10月31日,“2025’半導(dǎo)體技術(shù)賦能車(chē)規(guī)芯片創(chuàng)新交流會(huì)——廣州小鵬汽車(chē)科技有限公司”專(zhuān)場(chǎng)在廣州隆重舉行...

2025-11-12 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 619 0

樂(lè)高化組裝,一鍵式測(cè)試 | 云鎵GaN自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試平臺(tái)

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云鎵半導(dǎo)體樂(lè)高化組裝,一鍵式測(cè)試|云鎵GaN自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試平臺(tái)作為一種新型開(kāi)關(guān)器件,GaN功率器件擁有開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前不同GaN工藝...

2025-11-11 標(biāo)簽:自動(dòng)化功率器件GaN 995 0

世界第一!云鎵發(fā)布650V/150A增強(qiáng)型GaN芯片,向汽車(chē)電子進(jìn)發(fā)

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云鎵半導(dǎo)體世界第一!云鎵發(fā)布650V/150A增強(qiáng)型GaN芯片,向汽車(chē)電子進(jìn)發(fā)1.GaN—引領(lǐng)新能源汽車(chē)領(lǐng)域的未來(lái)隨著GaN器件在數(shù)據(jù)中心及光伏逆變等領(lǐng)...

2025-11-11 標(biāo)簽:芯片汽車(chē)電子GaN 906 0

“芯”品發(fā)布 | 高可靠GaN專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器,便捷GaN電源設(shè)計(jì)

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芯品發(fā)布高可靠GaN專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器,便捷GaN電源設(shè)計(jì)GaN功率器件因?yàn)槠涓吖ぷ黝l率和高轉(zhuǎn)化效率的優(yōu)勢(shì),逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強(qiáng)型GaN功率器件的...

2025-11-11 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電源設(shè)計(jì)GaN 1.1k 0

安森美入局垂直GaN,GaN進(jìn)入高壓時(shí)代

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,安森美發(fā)布器垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù),憑借 GaN-on-GaN 專(zhuān)屬架構(gòu)與多項(xiàng)性能突破,為全球高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來(lái)革命性解決...

2025-11-10 標(biāo)簽:安森美GaN 7.8k 0

英飛凌推出首款100V車(chē)規(guī)級(jí)晶體管,推動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新

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【2025年11月5日, 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其首款符合汽車(chē)電子委員會(huì)(AE...

2025-11-05 標(biāo)簽:英飛凌晶體管氮化鎵 6.0萬(wàn) 0

芯干線(xiàn)邀您相約2025中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)

2025年11月8-9日,第四屆中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨展覽會(huì)、中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十八屆學(xué)術(shù)年會(huì)將在深圳國(guó)際會(huì)展中心召開(kāi),各領(lǐng)域的新技術(shù)、新成果、新產(chǎn)...

2025-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 994 0

晶能光電亮相2025自發(fā)光顯示產(chǎn)業(yè)研討會(huì)

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10月30日,2025自發(fā)光顯示產(chǎn)業(yè)研討會(huì)在深圳隆重舉行。來(lái)自顯示產(chǎn)業(yè)鏈的多位專(zhuān)家以及TrendForce分析師在會(huì)上發(fā)表專(zhuān)題演講,深入剖析自發(fā)光顯示的...

2025-11-04 標(biāo)簽:GaN晶能光電micro-led 2.3k 0

新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5

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新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升,并滿(mǎn)足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),...

2025-11-03 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 3.1k 0

英飛凌進(jìn)軍車(chē)規(guī)級(jí)GaN,適用48V系統(tǒng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?近日,英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 100V CoolGaN?汽車(chē)晶體管系列,并已經(jīng)開(kāi)始提供符合AEC-Q101...

2025-10-24 標(biāo)簽:英飛凌GaN 1.0萬(wàn) 0

新型功率半導(dǎo)體決勝關(guān)鍵:智威科技憑超高散熱封裝GaN氮化鎵脫穎而出

新型功率半導(dǎo)體決勝關(guān)鍵:智威科技憑超高散熱封裝GaN氮化鎵脫穎而出

化合物半導(dǎo)體(Compound Semiconductor,SiC/GaN)憑借優(yōu)越節(jié)能效果,已成為未來(lái)功率半導(dǎo)體發(fā)展焦點(diǎn),預(yù)期今后幾年年復(fù)合成長(zhǎng)率(C...

2025-10-26 標(biāo)簽:封裝GaN功率半導(dǎo)體 1.2k 0

芯干線(xiàn)GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

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自從氮化鎵(GaN)器件問(wèn)世以來(lái),憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì),GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。

2025-10-21 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 2.9k 0

SiC+GaN成核心!一文匯總英偉達(dá)800V HVDC認(rèn)證廠商解決方案

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)AI芯片的功率在算力需求迭代的基礎(chǔ)上,不斷提高,短短幾年間,英偉達(dá)的GPU從A100單個(gè)TDP 為300W(40GB)和4...

2025-10-21 標(biāo)簽:SiCGaN800V 8.2k 0

Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書(shū),深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)

Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書(shū),深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)

該公司正在與英偉達(dá)(NVIDIA)合作開(kāi)發(fā)800VDC供電架構(gòu);新發(fā)布的白皮書(shū)剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V S...

2025-10-14 標(biāo)簽:PIGaN 1.3k 0

納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):納芯微)、聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):聯(lián)合電子)與英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):英諾賽科)...

2025-10-13 標(biāo)簽:氮化鎵GaN英諾賽科 2.9k 0

芯干線(xiàn)PCIM Asia 2025圓滿(mǎn)落幕

近日,亞洲電力電子領(lǐng)域年度盛會(huì) ——PCIM Asia Shanghai 2025,在上海新國(guó)際博覽中心盛大啟幕。

2025-10-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 1.8k 0

用專(zhuān)為硅 MOSFET 設(shè)計(jì)的控制器來(lái)驅(qū)動(dòng) GaN FET

用專(zhuān)為硅 MOSFET 設(shè)計(jì)的控制器來(lái)驅(qū)動(dòng) GaN FET

作者: Pete Bartolik 工具 在電力應(yīng)用中,氮化鎵 (GaN) 器件比傳統(tǒng)硅 MOSFET 器件具有顯著的性能和效率優(yōu)勢(shì)。氮化鎵器件能夠滿(mǎn)足...

2025-10-04 標(biāo)簽:MOSFET控制器GaN 1.8k 0

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    HBT
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