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sk海力士

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SK海力士（Hynix）是一家源自韓國的半導體芯片制造商，主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導體公司之一，也是全球DRAM市場的領導者之一。

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sk海力士資訊

SK海力士尋求東電低溫蝕刻設備，或降低NAND閃存堆棧層數(shù)

當前，3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進展。然而，在這種趨勢下，閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。

2024-05-07 標簽：晶圓 NAND閃存 SK海力士 1.1k 0

SK海力士第一季度同比扭虧為盈

韓國知名芯片企業(yè)SK海力士（SK Hynix）近日發(fā)布了其2024年第一季度的業(yè)績報告，展現(xiàn)出強勁的復蘇勢頭。初步核實數(shù)據(jù)顯示，該季度公司營業(yè)利潤達到2...

2024-05-07 標簽：芯片 SK海力士 915 0

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布，其高帶寬內存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術的蓬勃發(fā)展，極大地推動了市場對HBM芯片的需

2024-05-07 標簽：芯片 SK海力士 HBM 1.1k 0

SK海力士提前完成HBM4內存量產(chǎn)計劃至2025年

SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基...

2024-05-06 標簽：DRAM SK海力士 HBM 1.6k 0

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士，作為全球領先的內存芯片制造商，正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲，以及對今年內存芯片需求大...

2024-05-06 標簽：DRAM SK海力士 1.2k 0

SK海力士計劃斥資約20萬億韓元新建存儲芯片產(chǎn)能

SK海力士計劃斥資約20萬億韓元（約146億美元）在韓國新建存儲芯片產(chǎn)能，以滿足快速增長的人工智能開發(fā)需求。

2024-04-29 標簽：人工智能存儲芯片 SK海力士 1.6k 0

SK海力士：預計其HBM銷售額今年有望超過20億美元！

SK海力士最近透露，預計其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。

2024-04-29 標簽：加速器 DRAM芯片人工智能 1.4k 0

SK海力士考慮在美國或其他地區(qū)建立新內存工廠

據(jù)了解，由于龍仁芯片集群的投產(chǎn)延遲，預計今年內存市場需求將顯著上升。一位不愿具名的半導體高管表示，“我們得知，SK海力士不僅愿意在韓國設立新廠，同時也在...

2024-04-29 標簽：半導體 DRAM SK海力士 875 0

晶圓代工產(chǎn)業(yè)遭遇需求停滯與產(chǎn)能過剩挑戰(zhàn)

三星公司近日作出重大決策，決定將泰勒廠的運營時間延長至2026年，原計劃為2024年底。這一調整似乎是為了更靈活地應對代工市場的變化，以優(yōu)化投資節(jié)奏。

2024-04-25 標簽：晶圓代工 AI 人工智能 1.1k 0

SK海力士：12Hi HBM3E于Q3完成，下半年內存或供應不足

韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應壓力，可...

2024-04-25 標簽：三星電子 SK海力士 HBM3E 1.2k 0

SK海力士年內推1bnm 32Gb DDR5內存顆粒

新款32Gb顆粒不僅支持消費級UDIMM和SODIMM 64GB單條容量，更能讓企業(yè)級RDIMM在無需硅通孔工藝3D堆疊的條件下，實現(xiàn)單模組128GB，...

2024-04-25 標簽：服務器內存 SK海力士 1.6k 0

SK海力士發(fā)布2024財年第1季度財報，創(chuàng)歷史同期新高

本季度，SK海力士實現(xiàn)了歷史最高的收入水平，同時營業(yè)利潤也刷新了自 2018 年以來的同期次高紀錄。公司認為這標志著長期低迷后的全面復蘇。

2024-04-25 標簽：DRAM SK海力士 HBM3 1.4k 0

SK海力士擴充AI基礎設施DRAM產(chǎn)能

SK海力士將于本月底啟動建設工程，預計2025年11月完工并開始量產(chǎn)。此外，公司還將逐步增加設備投資，預計向M15X投資超過20萬億韓元，以進一步擴大產(chǎn)能。

2024-04-24 標簽：半導體 DRAM SK海力士 1.5k 0

SK海力士提升AI基建產(chǎn)能，助力韓國成為AI半導體強國

SK海力士計劃在本月底啟動建設，預計到2025年11月完工并正式投產(chǎn)。此外，公司還將逐步增加設備投資，預計在M15X的總投資額將超過20萬億韓元，以此來...

2024-04-24 標簽：半導體 DRAM SK海力士 1.2k 0

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內存基片

HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協(xié)議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。

2024-04-23 標簽：DRAM SK海力士 HBM 1.6k 0

鎧俠欲重啟與西部數(shù)據(jù)的合并計劃，SK海力士明確反對

據(jù)悉，鎧俠的主要投資者貝恩資本已經(jīng)將上市審查傳達給了其債權銀行，并預計最早將于今秋在東京證券交易所實現(xiàn)首次公開募股（IPO）。

2024-04-23 標簽：NAND閃存 SK海力士鎧俠 982 0

SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄目標2026年投產(chǎn)HBM4

4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進 HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術，目標在 2026 年投產(chǎn) HBM4。根據(jù)...

2024-04-20 標簽：臺積電 SK海力士 CoWoS 673 0

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4，預計2026年投產(chǎn)

自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將...

2024-04-19 標簽：臺積電 SK海力士 HBM 1.8k 0

SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4，引領下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示，憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎，該公司有信心持續(xù)引領HBM技術創(chuàng)新。通過整合...

2024-04-19 標簽：存儲器晶圓代工 SK海力士 1.4k 0

JSR尋求升級芯片材料制造技術，收購JIC后推動

對于未來發(fā)展，JSR強調通過并購獲取新技術及擴大規(guī)模是實現(xiàn)成功的關鍵。作為全球最大的光刻膠生產(chǎn)商之一，JSR在半導體晶圓電路形成領域占據(jù)了27%的市場份...

2024-04-18 標簽：半導體光刻膠 SK海力士 1.4k 0

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