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標(biāo)簽 > tsv
TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過(guò)硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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打破平面IC設(shè)計(jì)思維 TSV引領(lǐng)3D IC新浪潮
為了延續(xù)摩爾定律的增長(zhǎng)趨勢(shì),芯片技術(shù)已來(lái)到所謂的“超越摩爾定律”的3D集成時(shí)代。從IDM到無(wú)晶圓廠和CMOS晶圓廠,從外包半導(dǎo)體封測(cè)廠到基板與電路裝配運(yùn)...
2011-11-24 標(biāo)簽:3DIC設(shè)計(jì)TSV 1.7k 0
英飛凌面向移動(dòng)系統(tǒng)推出具備低動(dòng)態(tài)電阻和超低電容的TVS器件
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日推出一系列可為移動(dòng)電子系統(tǒng)提供一流靜電釋放(ESD)保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制(TVS)...
未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)不確定性引發(fā)的思考
IC Insight指出在2007年至2012年期間,全球IC市場(chǎng)的年均增長(zhǎng)率CAGR僅為2.1%,而2013年全球集成電路產(chǎn)業(yè)已度過(guò)最低增長(zhǎng)的困難的5...
珠海格力集團(tuán)迎來(lái)新掌門(mén)康洪,擔(dān)任黨委書(shū)記、董事長(zhǎng)
格力集團(tuán)宣布,康洪在春節(jié)前的最后幾天,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)對(duì)集團(tuán)正在建設(shè)中的12英寸TSV立體集成生產(chǎn)基地一期與格創(chuàng)·壹號(hào)等項(xiàng)目進(jìn)行實(shí)地考察,并針對(duì)安全生產(chǎn)問(wèn)題提出...
3D芯片技術(shù)漸到位 業(yè)務(wù)合作模式成關(guān)鍵
采用矽穿孔(TSV)的2.5D或3D IC技術(shù),由于具備更佳的帶寬與功耗優(yōu)勢(shì),并能以更高整合度突破制程微縮已趨近極限的挑戰(zhàn),是近年來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展...
日月光最新推出FOCoS-Bridge TSV技術(shù)
日月光半導(dǎo)體最新推出FOCoS-Bridge TSV技術(shù),利用硅通孔提供更短供電路徑,實(shí)現(xiàn)更高 I/O 密度與更好散熱性能,滿足AI/HPC對(duì)高帶寬與高...
新增訂單約83.6億元,中微公司2023年凈利潤(rùn)預(yù)增45%
1月14日,中微公司(SH688012)發(fā)布《2023年年度業(yè)績(jī)預(yù)告》。中微公司預(yù)計(jì)2023年?duì)I業(yè)收入約62.6億元,較2022年增加約15.2億元,同...
2024-01-19 標(biāo)簽:MEMS技術(shù)TSV碳化硅 1.5k 0
GlobalFoundries開(kāi)始安裝20nm TSV設(shè)備
GlobalFoundries 已開(kāi)始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔(TSV)設(shè)備。如果一切順利,該公司希望在2013下半年開(kāi)始採(cǎi)用 20n...
2012-05-01 標(biāo)簽:TSV硅穿孔GlobalFoundries 1.5k 0
TSV制程技術(shù)日愈成熟,模擬芯片將邁向3D時(shí)代
類比積體電路設(shè)計(jì)也將進(jìn)入三維晶片(3D IC)時(shí)代。在數(shù)位晶片開(kāi)發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線,期透過(guò)矽穿孔(...
SAPS兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝
本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體將空間交替相移(SAPS)兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝,SAPS技術(shù)通過(guò)在兆頻超聲波裝置和晶片之間的間隙中...
硅通孔(TSV)有望成為電子器件三維芯片堆疊技術(shù)的未來(lái)。TSV互連的結(jié)構(gòu)是通過(guò)首先在晶片表面蝕刻深過(guò)孔,然后用所需金屬填充這些過(guò)孔來(lái)形成的。目前,銅基T...
意法半導(dǎo)體開(kāi)始量產(chǎn)市場(chǎng)先進(jìn)的硅光技術(shù)平臺(tái)
近日,意法半導(dǎo)體(ST)宣布,其先進(jìn)的PIC100硅光技術(shù)平臺(tái)現(xiàn)已進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段,幫助超大規(guī)模云服務(wù)商實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心和人工智能集群的光纖互連。隨著人工...
2026-04-11 標(biāo)簽:硅光意法半導(dǎo)體TSV 1.4k 0
LDI設(shè)備有哪些劣勢(shì)? LDI設(shè)備的WPS偏低,激光止血導(dǎo)致的工藝分辨率只有8到10微米,而線性公章的工藝分辨率在4到6微米。
ST采用硅通孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)尺寸更小且更智能的MEMS芯片
意法半導(dǎo)體率先將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn)。在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內(nèi),硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳...
模擬芯片技術(shù)的發(fā)展將邁向3D時(shí)代
類比積體電路設(shè)計(jì)也將進(jìn)入三維晶片(3D IC)時(shí)代。在數(shù)位晶片開(kāi)發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線,期透過(guò)矽穿孔(...
TVS瞬態(tài)抑制二極體于快速成長(zhǎng)的汽車及5G通訊應(yīng)用
TVS是采用半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝制成的單個(gè)PN結(jié)或多個(gè)PN結(jié)集成的元件。TVS具有較高的可靠性,以及較低的動(dòng)態(tài)內(nèi)阻及低鉗位電壓,相較其他過(guò)壓保護(hù)元件,TVS具...
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