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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點是不同結(jié)型器件性能差異明顯，表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對比，另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...
隨著5G時代的到來，電子技術(shù)向著高功率、高密度和集成化的方向發(fā)展，對于大功率器件的封裝，如IGBT、MOS、大功率LED等，也相應(yīng)地對焊接材料提出了更高...
2025-02-27 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體封裝回流焊 2.6k 0
DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題
引言：隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件對散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料，以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機械強度...
功率循環(huán)對IGBT壽命有何影響？如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢？
運行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會引起機械應(yīng)力，尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上，這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)摴β拭芏葧r，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...
龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實驗中心，專注于產(chǎn)品設(shè)計驗證、參數(shù)檢測、可靠性驗證、失效分析及應(yīng)用評估，公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗條件和抽樣原則，制...
2023-09-20 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體元器件 2.6k 0
在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的SiC場效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器...
2023-02-20 標(biāo)簽：場效應(yīng)管功率器件sic器件 2.6k 0
功率循環(huán)對IGBT 壽命的影響——準(zhǔn)確估算功率器件的壽命
內(nèi)容摘要供應(yīng)商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負載能力，并同時保持高質(zhì)量a和可靠...
2024-04-26 標(biāo)簽：功率器件IGBTS功率循環(huán)測試 2.5k 0
針對功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)外研究機構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計方面進行了大量的理論研究和開 發(fā)實踐，多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計理念被國內(nèi)外研究機構(gòu)提出并研究，一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...
功率二極管（Power Diode）是一種高電壓、高電流、大功率的二極管。與普通二極管相比，功率二極管具有承受更高電壓和電流的能力，通常被用于電源電路、...
數(shù)明半導(dǎo)體SiLM824x系列隔離雙通道門級驅(qū)動器介紹
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級驅(qū)動器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動，而SiLM824...
Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計中的應(yīng)用
像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件，常用在電子電力系統(tǒng)中進行變壓、變頻、變流及功率管理等。功率...
2024-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 2.5k 0
通過上述的分析對比，英飛凌隔離型驅(qū)動在芯片技術(shù)、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結(jié)溫、傳輸延時、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面，相對光耦都有...
微波功率放大器主要分為真空和固態(tài)兩種形式。基于真空器件的功率放大器，曾在軍事裝備的發(fā)展史上扮演過重要角色，而且由于其功率與效率的優(yōu)勢，現(xiàn)在仍廣泛應(yīng)用于雷...
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更...
本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...
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