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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

+關(guān)注43人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

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在本文中,我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽:功率器件GaNHEMT 2.5k 0

陽(yáng)光電動(dòng)力混合動(dòng)力雙電機(jī)控制器四大關(guān)鍵

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針對(duì)整車發(fā)動(dòng)機(jī)艙裝配空間有限的痛點(diǎn),HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設(shè)計(jì),應(yīng)用注塑銅排,減少絕緣空間占用,結(jié)構(gòu)更加緊湊,實(shí)現(xiàn)高功率密度。

2023-10-09 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)控制器電機(jī)控制器 2.5k 0

氮化鎵功率器件電壓650V限制原因

氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個(gè)原因造成的。 首先,氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料,具有較高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較...

2023-12-27 標(biāo)簽:電壓絕緣功率器件 2.5k 0

碳化硅(SiC)功率器件的開(kāi)關(guān)性能比較

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過(guò)去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開(kāi)始采用碳化硅技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊,如...

2024-05-30 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2.5k 0

淺談電機(jī)控制器設(shè)計(jì)功率器件的選擇

I D I_DID 為漏極電流的有效值,由于輸出波形是正弦波,所以漏極電流的峰值為漏極電流有效值的 2 sqrt{2}2 倍。

2020-11-21 標(biāo)簽:電機(jī)控制器功率器件漏極電流 2.5k 0

igbt柵極電阻太小會(huì)怎么樣

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過(guò)小,可能會(huì)對(duì)...

2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)功率器件 2.4k 0

功率半導(dǎo)體的發(fā)展階段 碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢(shì)

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半導(dǎo)體(Semiconductor)是現(xiàn)代電子信息社會(huì)的物理基石,并已成為推動(dòng)各種革命性變革和創(chuàng)新的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力,這點(diǎn)已是當(dāng)前的社會(huì)共識(shí)。而功率器件正是半...

2023-10-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶閘管功率器件 2.4k 0

碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器...

2023-12-16 標(biāo)簽:太陽(yáng)能半導(dǎo)體功率器件 2.4k 0

大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)

大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器...

2023-03-01 標(biāo)簽:晶體管功率器件大功率晶體管 2.4k 0

射頻功率器件在無(wú)線移動(dòng)設(shè)計(jì)中取得進(jìn)步

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由于移動(dòng)計(jì)算設(shè)備的日益普及,網(wǎng)絡(luò)流量正以指數(shù)速度增長(zhǎng)。因此,5G 等下一代無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)在全球范圍內(nèi)不斷推出。隨著數(shù)字化變得更便宜和更省電,具有更高采樣率的更...

2022-08-16 標(biāo)簽:收發(fā)器射頻功率器件 2.4k 0

SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢(shì)!

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在追求能源效率和對(duì)高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)的今天,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性,正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。

2024-04-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 2.4k 0

揭露半導(dǎo)體功率器件——PIM功率集成模塊,一文讀懂它的所有

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前言在電力電子領(lǐng)域,高電壓、大電流場(chǎng)景對(duì)功率器件的集成度、可靠性與散熱性能提出了嚴(yán)苛要求。PIM(功率集成模塊)通過(guò)“多器件高密度封裝”的高集成設(shè)計(jì),將...

2025-10-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件pim 2.4k 0

TOLL封裝功率器件的優(yōu)勢(shì)

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隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來(lái)越高,器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問(wèn)題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上,而通過(guò)封裝技術(shù)升級(jí),是提高器件散...

2025-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體控制器封裝 2.4k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...

2024-11-12 標(biāo)簽:芯片功率器件功率半導(dǎo)體 2.4k 0

加強(qiáng)功率模組可靠性,功率循環(huán)/量測(cè)系統(tǒng)首當(dāng)其沖

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在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái),功率電子元件的使用將持續(xù)不斷的增加。任何需要電力變換、轉(zhuǎn)換或控制等功能都須使用各種形式的功率電子元件。##結(jié)構(gòu)函數(shù)的數(shù)學(xué)運(yùn)算相當(dāng)復(fù)雜,但...

2014-08-18 標(biāo)簽:IGBT功率器件 2.4k 0

防輻射硅:仍然是空間電子學(xué)的標(biāo)桿

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性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)壽命和配置文件,設(shè)計(jì)人員在某些情況下可能會(huì)考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 ...

2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET功率器件COTS 2.4k 0

外延層在半導(dǎo)體器件中的重要性

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只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此,1959年末開(kāi)發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢?

2024-02-23 標(biāo)簽:光電器件功率器件電阻率 2.4k 0

功率PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)詳細(xì)整理

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功率器件在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,因此熱管理是功率PCB設(shè)計(jì)的首要任務(wù)。 散熱設(shè)計(jì):設(shè)計(jì)合適的散熱結(jié)構(gòu),如散熱片、熱導(dǎo)管等,以提高熱量的傳導(dǎo)效率。 ...

2024-04-29 標(biāo)簽:pcb電磁兼容性功率器件 2.4k 0

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開(kāi)關(guān)器件綜述

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拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過(guò)渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問(wèn)題沒(méi)找到答案。有...

2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET逆變器功率器件 2.4k 0

垂直氮化鎵器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

垂直氮化鎵器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

過(guò)去兩年中,氮化鎵雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí),不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣(mài)盤(pán),這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂。為此,在本文中,...

2025-02-17 標(biāo)簽:晶體管功率器件氮化鎵 2.4k 0

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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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