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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

硅基氮化鎵怎么制作的 硅基氮化鎵的工藝流程

  硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件,它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度,從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。

2023-02-14 標(biāo)簽:功率器件硅基氮化鎵 2.4k 0

碳化硅SiC功率器件的技術(shù)特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域

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隨著能源轉(zhuǎn)換和輸電技術(shù)的發(fā)展,對(duì)高效、高速、高溫工作的半導(dǎo)體器件需求日益增長(zhǎng)。

2024-01-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管功率器件 2.4k 0

迎合節(jié)能減排硬需求,羅姆打電源管理組合牌

近年來(lái),由于節(jié)能減排的需要,尤其是移動(dòng)智能設(shè)備的發(fā)展推動(dòng),高效的節(jié)能電源技術(shù)成為市場(chǎng)的發(fā)展方向,如何做好設(shè)備的電源管理成為了各大半導(dǎo)體原廠和終端廠商關(guān)注...

2014-03-28 標(biāo)簽:電源管理功率器件無(wú)線充電 2.4k 0

IGBT功率模塊封裝主要面臨哪些問題?

功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展,在工作損耗不變的情況下,使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大,在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下,會(huì)使得封裝體和裸芯的溫度更...

2023-03-20 標(biāo)簽:封裝IGBT失效機(jī)理 2.4k 0

瞻芯電子全新升級(jí)雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504介紹

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近日,瞻芯電子推出了一款全新升級(jí)的雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504,它延續(xù)了經(jīng)典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、緊湊的特點(diǎn),并將拉灌電流峰值由4A...

2023-11-03 標(biāo)簽:CMOSMOSFET功率器件 2.3k 0

談?wù)勚绷鞴β恃h(huán)老化的測(cè)試方法

談?wù)勚绷鞴β恃h(huán)老化的測(cè)試方法

經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個(gè)實(shí)驗(yàn),總覺得這個(gè)不是很簡(jiǎn)單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動(dòng),然后經(jīng)過幾萬(wàn)次循環(huán),再測(cè)試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來(lái)確...

2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電壓 2.3k 0

CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么

CoolGaN和增強(qiáng)型GaN(通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來(lái)說(shuō),它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...

2024-09-07 標(biāo)簽:晶體管功率器件GaN 2.3k 0

《電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)及市場(chǎng)-2023版》

SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律,將迅速增長(zhǎng)并主導(dǎo)市場(chǎng)份額,IDTechEx在報(bào)告中給出了各類器件的應(yīng)用時(shí)間表。雖然經(jīng)過驗(yàn)證的SiC MOS...

2023-02-23 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC MOSFET 2.3k 0

MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些?

MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...

2022-12-28 標(biāo)簽:MOSFET晶體管MOS 2.3k 0

IGBT功率器件功耗

IGBT功率器件功耗

IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是功率器件導(dǎo)通時(shí),產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功...

2024-07-19 標(biāo)簽:IGBT功率器件變流器 2.3k 0

集成電路和功率器件的區(qū)別 汽車電子功率器件的特點(diǎn)

集成電路是將多個(gè)電子元器件(如晶體管、電阻、電容等)集成在一片半導(dǎo)體芯片上,形成一個(gè)完整的電路系統(tǒng)。它主要用于信號(hào)處理、數(shù)字邏輯、存儲(chǔ)器、微處理器等各種...

2023-06-30 標(biāo)簽:集成電路微處理器晶體管 2.3k 0

如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動(dòng)器

如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動(dòng)器

作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動(dòng)器,無(wú)論這些器件是分立式金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ...

2024-01-01 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件柵極驅(qū)動(dòng)器 2.3k 0

知名的功率ic品牌有哪些

以下是一些知名的功率IC品牌,排名不分先后: Infineon Technologies:Infineon的功率IC產(chǎn)品主要包括汽車電子、工業(yè)電子、消費(fèi)...

2023-02-18 標(biāo)簽:IC功率器件功率IC 2.3k 0

使用GaN設(shè)計(jì)高功率器件

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從 70 年代下半葉開始,電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而,隨著...

2022-08-09 標(biāo)簽:晶體管功率器件GaN 2.3k 0

碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)的爆發(fā)與行業(yè)展望

碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)的爆發(fā)與行業(yè)展望

隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車接納度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來(lái)的十年里將迎來(lái)全新的增長(zhǎng)機(jī)遇。預(yù)計(jì),將來(lái)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運(yùn)作商會(huì)更積極地參與到這...

2024-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 2.3k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...

2024-11-26 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量熱設(shè)計(jì) 2.3k 0

雜散電感對(duì)碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試的影響

雜散電感對(duì)碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試的影響

電感是導(dǎo)體的一種特性,會(huì)阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會(huì)消耗電能,而是以磁場(chǎng)/電磁感應(yīng)的方式存儲(chǔ)釋放能量,以達(dá)到阻礙電流變化的目的。

2023-06-30 標(biāo)簽:功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試碳化硅 2.3k 0

背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用

當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢(shì)越來(lái)越明顯,高性能MOSFET的需求也越來(lái)越大,通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 2.3k 0

如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān),一個(gè)200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎?它可以每個(gè)周期快速關(guān)斷600安培的電流,電流...

2023-11-27 標(biāo)簽:英飛凌晶圓IGBT 2.3k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)介紹

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)介紹

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。

2024-01-03 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 2.3k 0

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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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