完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
文章：2109個(gè) 瀏覽：95479次 帖子：53個(gè)
目前，在中、小型變頻調(diào)速器中用得最多的是功率晶體管，為了提高放大倍數(shù)，常做成達(dá)林頓管，一般電路圖中仍畫成單管，代表符號(hào)是CTR或BTR。
2019-08-01 標(biāo)簽：晶體管功率器件開關(guān)器件 1.7萬(wàn) 0
限流開關(guān)系統(tǒng)的原理及應(yīng)用領(lǐng)域
當(dāng)功率管電流高于限流時(shí)，電流檢測(cè)電路輸出高電平給過流保護(hù)電路（OverCurrentLimit），過流保護(hù)電路通過反饋負(fù)載電壓給電荷泵，調(diào)節(jié)電荷泵輸出，...
2018-12-08 標(biāo)簽：電源開關(guān)功率器件 1.7萬(wàn) 0
Felix Ejeckam于2003年發(fā)明了金剛石上的GaN，以有效地從GaN晶體管中最熱的位置提取熱量。其基本理念是利用較冷的GaN放大器使系統(tǒng)更節(jié)能...
電子元器件選型教程之電子元器件選型參數(shù)與原則（超實(shí)用）
給大家分享一個(gè)超實(shí)用的電子元器件選型教程，主要介紹之電子元器件選型參數(shù)與電子元器件選型原則。
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...
三極管有三個(gè)工作狀態(tài)；截止、放大、飽和；放大狀態(tài)很有學(xué)問也很復(fù)雜，多用于集成芯片，比如運(yùn)放，現(xiàn)在不討論；其實(shí)對(duì)信號(hào)的放大我們通常用運(yùn)放處理。三極管更多的...
氮化硅陶瓷憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能組合，已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械強(qiáng)度及熱穩(wěn)定性，為高功率、高頻率電子設(shè)備提供了...
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力，但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn)，使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前，GaN的制造...
硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極...
晶閘管又叫。晶閘管是可以處理耐高壓、大電流的，隨著設(shè)計(jì)技術(shù)和制造技術(shù)的進(jìn)步，越來(lái)越大容量化。到現(xiàn)在為止，，已經(jīng)衍生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管...
開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)
上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái)，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和...
2014-09-28 標(biāo)簽：開關(guān)電源電磁兼容性功率器件 1.4萬(wàn) 0
我們知道功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦?，改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等功能。根據(jù)可控性和其他使...
化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...
在工業(yè)應(yīng)用中，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換（也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換）與消費(fèi)類和大眾市場(chǎng)設(shè)計(jì)迥然不同。通常，工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對(duì)更高，對(duì)熱應(yīng)力和電...
2022-06-23 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器功率器件工業(yè)電源 1.3萬(wàn) 0
功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計(jì)算所需的重要說(shuō)明.
通常，由于磷酸鐵鋰電池的特性，在應(yīng)用中需要對(duì)其充放電過程進(jìn)行保護(hù)，以免過充過放或過熱，以保證電池安全的工作。短路保護(hù)是放電過程中一種極端惡劣的工作條件，...
什么是半導(dǎo)體？功率半導(dǎo)體器件的分類 功率MOS器件結(jié)構(gòu)及工作原理
電子電力器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運(yùn)用，主要是作為開關(guān)和放大器來(lái)使用。它出現(xiàn)在社會(huì)生活中的各個(gè)方面，如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境...
上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時(shí)，其電壓耐量可放一個(gè)合適的余量（保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值），電流耐量則得按器件...
2018-12-24 標(biāo)簽：開關(guān)電源變換器功率器件 1.3萬(wàn) 2
功率 IC （Power IC）是一種專門用于處理功率信號(hào)的集成電路。與傳統(tǒng)的模擬電路和數(shù)字電路相比，功率 IC 具有更高的集成度、更小的體積、更高的性...
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
機(jī)器人發(fā)燒友
