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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動態(tài)表...
2022-10-19 標(biāo)簽：功率器件GaN電源環(huán)路 2.1k 0
安森美垂直GaN技術(shù)賦能功率器件應(yīng)用未來
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在...
24W電源模塊的設(shè)計涉及到多個方面，包括電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、功率器件選擇、控制策略、保護(hù)機(jī)制等。 電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 24W電源模塊通常采用開關(guān)電源技術(shù)，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
2024-07-08 標(biāo)簽：開關(guān)電源電源模塊功率器件 2.1k 0
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的...
二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點，如：碳化硅的禁...
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面...
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家...
2025-02-07 標(biāo)簽：MOSFET意法半導(dǎo)體功率器件 2k 0
一文帶您看懂如何避免因助焊劑使用不當(dāng)導(dǎo)致的焊接不良？
助焊劑是電子封裝焊接的關(guān)鍵輔料，使用不當(dāng)易引發(fā)虛焊、橋連、殘留腐蝕、空洞等不良，嚴(yán)重影響器件可靠性。其選用需精準(zhǔn)匹配場景：汽車電子需車規(guī)級無鹵助焊劑，耐...
半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片...
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及，電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...
針對手機(jī)開發(fā)的DC-DC轉(zhuǎn)換器用線繞型功率電感介紹
手機(jī)、便攜音樂播放器、便攜式游戲機(jī)、筆記本電腦等各種便攜式電子產(chǎn)品存在于我們的日常生活中。這些便攜式電子產(chǎn)品由電池供電，各個機(jī)器內(nèi)部都裝載著多個電源電...
傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍(lán)寶石就特別困難，會產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾，提高器件的綜合性能和可靠性，在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)（Injection Enha...
功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來，我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...
2024-09-12 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 2k 0
微波半導(dǎo)體器件在微波系統(tǒng)中能發(fā)揮各方面性能，歸納起來，即在微波功率產(chǎn)生及放大，控制、接收三個方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率...
2023-02-16 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件微波功率 2k 0
由于TOPSwitch-GX的高度集成，芯片中解決了許多電源設(shè)計問題。剩下很少的問題需要外部解決，從而為所有應(yīng)用提供了一種通用的電路配置。
最近，AlGaN/GaN肖特基二極管（SBD）受到了越來越多的關(guān)注。該器件具有關(guān)斷速度快、擊穿電壓高導(dǎo)通電阻小等特點，因而被業(yè)界廣泛地認(rèn)為是下一代功率器...
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強(qiáng)度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT功率器件 2k 0
作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域，并且將進(jìn)一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。
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