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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

文章:2109 瀏覽:95479 帖子:53

功率器件技術(shù)

功率器件的保護(hù)方法

保險(xiǎn)絲常串接在電路的電源輸入端用以控制整個電路的總電流。其工作原理是靠電路出現(xiàn)故障后增大的故障電流流過保險(xiǎn)絲時導(dǎo)致其發(fā)熱升溫自行熔化,以切斷電源供給達(dá)到...

2019-06-11 標(biāo)簽:功率功率器件 2.2k 0

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

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碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

2023-10-09 標(biāo)簽:電動汽車功率器件SiC 2.2k 0

電力電子裝置EMI濾波器平面集成研究

順應(yīng)逆變器高頻化和集成化發(fā)展,針對開關(guān)頻率提高所帶來嚴(yán)重的電磁干擾問題,采用平面磁集成結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)雙級EMI濾波器。在EIE型磁芯上實(shí)現(xiàn)雙級EMI濾波器所需...

2023-04-16 標(biāo)簽:電磁兼容濾波器功率器件 2.2k 0

Buck 變換器的功率器件設(shè)計(jì)公式

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1 Buck 變換器的功率器件設(shè)計(jì)公式 (1):Buck 變換器的電路圖: (2):Buck 變換器的主要穩(wěn)態(tài)規(guī)格: (3):功率器件的穩(wěn)態(tài)應(yīng)力: --...

2023-06-26 標(biāo)簽:開關(guān)變換器功率器件 2.2k 0

上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹

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在工業(yè)自動化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天,對功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體...

2025-09-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 2.2k 0

同軸分流器在SiC和GaN器件中的測量應(yīng)用

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隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來越廣泛,工程師經(jīng)常要測量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz,電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。

2024-03-13 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 2.1k 0

常見電源拓?fù)浼爱a(chǎn)品介紹

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去年源自危機(jī)感開的公眾號,自從技術(shù)轉(zhuǎn)崗業(yè)務(wù),加上市場趨勢向下,總覺得要多積累一些東西來增加自身的價值,也逐漸理解業(yè)務(wù)未必就是把技術(shù)放下,也意識到哪怕不放...

2024-01-11 標(biāo)簽:PFC功率器件LLC 2.1k 0

SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)

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通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和...

2025-05-23 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 2.1k 0

IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用

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根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示,芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座,再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去(以對流和輻射的形式),而大部分熱量通過...

2024-03-06 標(biāo)簽:散熱器散熱片IGBT 2.1k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型

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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率...

2024-12-03 標(biāo)簽:功率器件熱設(shè)計(jì)等效模型 2.1k 0

B1506A功率器件分析儀在車規(guī)級大功率半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

“降價了降價了?。?!某某汽車又降價了,最近的汽車交易市場價格戰(zhàn)打的火熱啊,趕緊抓住機(jī)會,搞一輛新車,到底是買傳統(tǒng)車還是新能源呢?別急,我們講一下新能源新在哪里。

2023-06-09 標(biāo)簽:新能源汽車DC-DC功率器件 2.1k 0

垂直型GaN-on-GaN功率二極管浪涌特性研究

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近日,中國科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(IEEE ISPSD)。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...

2023-06-13 標(biāo)簽:二極管MOSFET半導(dǎo)體 2.1k 0

功率ic和模擬ic的區(qū)別在哪

功率IC是專門用于電力轉(zhuǎn)換和控制的電子器件,可以將低電壓、低電流的信號轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流的信號。它通常被用于控制高功率電源和驅(qū)動電機(jī)等應(yīng)用,比如在工業(yè)...

2023-02-18 標(biāo)簽:IC功率器件功率IC 2.1k 0

SiC的物性和特征

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2.1k 0

BGA植球中助焊劑的應(yīng)用工序及核心要求

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BGA植球中,助焊劑是保障焊球定位與焊接質(zhì)量的核心輔料,僅在焊球放置前的焊盤預(yù)處理后集中涂覆,兼具粘結(jié)固定焊球、清除氧化層、防二次氧化的作用。其性能要求...

2025-12-16 標(biāo)簽:smtBGA功率器件 2.1k 0

三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史

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三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...

2024-07-24 標(biāo)簽:MOSFET三菱電機(jī)功率器件 2.1k 0

功率二極管的優(yōu)點(diǎn)以及缺點(diǎn)

功率二極管作為一種常用的電子元器件,具有以下優(yōu)點(diǎn): 高速開關(guān)能力:功率二極管具有快速的開關(guān)速度和反向恢復(fù)時間,能夠在高頻率下進(jìn)行快速的開關(guān)操作,廣泛應(yīng)用...

2023-02-18 標(biāo)簽:二極管功率二極管功率器件 2.1k 0

優(yōu)化SiC功率器件的三個步驟

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隨著 SiC MOSFET 等新型功率晶體管越來越多地用于電力電子系統(tǒng),使用特殊的驅(qū)動器已成為必要。通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制,...

2022-08-10 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 2.1k 0

提高功率器件輸出密度的方法

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“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分,有功率晶體管(MOSFET、IGBT等)、二極管、晶閘管、雙向可控硅...

2024-01-10 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 2.1k 0

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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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    馬云
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Coilcraft LRC trinamic
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
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