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探索APM16系列H橋在LLC和移相DC - DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用

lhl545545 ? 2026-04-24 10:50 ? 次閱讀
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探索APM16系列H橋在LLC和移相DC - DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用

在電動(dòng)汽車(chē)(EV)和插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)的車(chē)載充電器(OBC)領(lǐng)域,電源模塊的性能和可靠性至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)深入了解一下安森美(ON Semiconductor)的NXV65HR82DS1、NXV65HR82DS2、NXV65HR82DZ1和NXV65HR82DZ2這幾款用于LLC和移相DC - DC轉(zhuǎn)換器的H橋電源模塊。

文件下載:NXV65HR82D-D.PDF

一、產(chǎn)品特性

1. 封裝與隔離設(shè)計(jì)

這些模塊采用SIP或DIP封裝,專為EV或PHEV的OBC設(shè)計(jì)。其5 kV/1 s電氣隔離基板便于組裝,并且滿足IEC60664 - 1和IEC 60950 - 1標(biāo)準(zhǔn)的爬電距離和電氣間隙要求。緊湊的設(shè)計(jì)降低了模塊的總電阻,有助于提高效率。

2. 可追溯性與合規(guī)性

模塊支持序列化,實(shí)現(xiàn)了完全可追溯性。同時(shí),它們符合無(wú)鉛、RoHS和UL94V - 0標(biāo)準(zhǔn),并且通過(guò)了AEC Q101和AQG324汽車(chē)級(jí)認(rèn)證,確保了在汽車(chē)環(huán)境中的可靠性。

二、應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用于EV或PHEV的車(chē)載充電器的DC - DC轉(zhuǎn)換器。使用這些模塊可以設(shè)計(jì)出小型、高效且可靠的系統(tǒng),有助于降低車(chē)輛的燃油消耗和二氧化碳排放。同時(shí),簡(jiǎn)化的組裝、優(yōu)化的布局、高度集成和改進(jìn)的熱性能也是其顯著優(yōu)勢(shì)。

三、引腳配置與框圖

1. 引腳描述

Pin Number Pin Name Pin Description
1, 2 AC1 Phase 1 Leg of the H - Bridge
3 Q1 Sense Source Sense of Q1
4 Q1 Gate Gate Terminal of Q1
5, 6 B+ Positive Battery Terminal
7, 8 B? Negative Battery Terminal
9 Q2 Sense Source Sense of Q2
10 Q2 Gate Gate Terminal of Q2
11 Q4 Sense Source Sense of Q4
12 Q4 Gate Gate Terminal of Q4
13 Q3 Sense Source Sense of Q3
14 Q3 Gate Gate Terminal of Q3
15, 16 AC2 Phase 2 Leg of the H - Bridge

2. 框圖

通過(guò)提供的原理圖,我們可以清晰地看到模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和信號(hào)流向,這對(duì)于理解模塊的工作原理和進(jìn)行電路設(shè)計(jì)非常有幫助。

四、電氣特性

1. 絕對(duì)最大額定值

Symbol Parameter Max Unit
V DS (Q1~Q4) Drain - to - Source Voltage 650 V
V GS (Q1~Q4) Gate - to - Source Voltage ± 20 V
I D (Q1~Q4) Drain Current Continuous (T C = 25 ° C, V GS = 10 V) (Note 1) 26 A
Drain Current Continuous (T C = 100 ° C, V GS = 10 V) (Note 1) 17 A
P D Power Dissipation (Note 1) 126 W
T J Maximum Junction Temperature ?55 to +150 ° C
T C Maximum Case Temperature ?40 to +125 ° C
T STG Storage Temperature ?40 to +125 ° C

需要注意的是,超過(guò)這些最大額定值可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。

2. 單脈沖雪崩能量

Symbol Parameter Max Unit
E AS (Q1~Q4) Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2) 510 mJ
E AS (Q1~Q4) Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2) 21 mJ
I AS Avalanche Current 4.8 A

3. 其他電氣參數(shù)

包括MOSFET的導(dǎo)通電阻、跨導(dǎo)、泄漏電流等參數(shù),這些參數(shù)對(duì)于評(píng)估模塊的性能和進(jìn)行電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。例如,Q1 - Q4 MOSFET的導(dǎo)通電阻在不同條件下有不同的值,這會(huì)影響模塊的功率損耗和效率。

五、熱阻與隔離特性

1. 熱阻

Parameters Min Typ Max Unit
R θ JC (per chip) Q1~Q4 Thermal Resistance Junction - to - Case (Note 5) ? 0.7 0.99 ° C/W
R θ JS (per chip) Q1~Q4 Thermal Resistance Junction - to - Sink (Note 6) ? 1.32 ? ° C/W

良好的熱阻特性有助于模塊在工作過(guò)程中有效地散熱,保證其穩(wěn)定性和可靠性。

2. 隔離特性

在5 kV、50 Hz的交流電壓下,模塊的隔離電阻為100MΩ,這表明其具有良好的電氣隔離性能,能夠保證系統(tǒng)的安全性。

六、典型特性

文檔中提供了一系列典型特性曲線,如歸一化功率耗散與外殼溫度的關(guān)系、最大連續(xù)電流與外殼溫度的關(guān)系等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解模塊在不同工作條件下的性能,從而進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)和應(yīng)用。

七、訂購(gòu)信息

Part Number Package Lead Forming Snubber Capacitor Inside DBC Material Pb - Free and RoHS Compliant Operating Temperature (T A ) Packing Method
NXV65HR82DS1 APM16 - CAA Y - Shape Yes Al 2 O 3 Yes ?40 ° C~125 ° C Tube
NXV65HR82DS2 APM16 - CAB L - Shape Yes Al 2 O 3 Yes ?40 ° C~125 ° C Tube
NXV65HR82DZ1 APM16 - CAA Y - Shape No Al 2 O 3 Yes ?40 ° C~125 ° C Tube
NXV65HR82DZ2 APM16 - CAB L - Shape No Al 2 O 3 Yes ?40 ° C~125 ° C Tube

工程師可以根據(jù)自己的需求選擇合適的型號(hào)。

八、總結(jié)

安森美NXV65HR82系列H橋電源模塊在EV和PHEV的車(chē)載充電器DC - DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì),包括良好的電氣性能、熱性能和可靠性。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,工程師需要充分考慮模塊的各種特性和參數(shù),結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行合理的選擇和設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒(méi)有遇到過(guò)類似模塊的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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