onsemi FAM65HR51XS1/XS2:適用于 LLC 和移相 DC - DC 轉(zhuǎn)換器的 H 橋模塊
在電動汽車(EV)和插電式混合動力汽車(PHEV)的車載充電器(OBC)設(shè)計中,高效、可靠且緊湊的 DC - DC 轉(zhuǎn)換器至關(guān)重要。onsemi 的 FAM65HR51XS1 和 FAM65HR51XS2 這兩款 H 橋功率模塊,為這一領(lǐng)域提供了出色的解決方案。下面我們來詳細了解一下這兩款產(chǎn)品。
文件下載:FAM65HR51XS1-D.PDF
產(chǎn)品特性
封裝與隔離優(yōu)勢
- 靈活封裝:提供 SIP 或 DIP 封裝形式,適用于 EV 或 PHEV 的 OBC,方便不同的設(shè)計需求。
- 電氣隔離:具備 5 kV/1 sec 的電氣隔離基板,符合 IEC60664 - 1 和 IEC 60950 - 1 的爬電距離和電氣間隙要求,易于組裝。
設(shè)計與合規(guī)性
- 緊湊設(shè)計:整體設(shè)計緊湊,有效降低了模塊的總電阻。同時支持模塊序列化,實現(xiàn)了完整的可追溯性。
- 環(huán)保合規(guī):產(chǎn)品為無鉛設(shè)計,符合 RoHS 和 UL94V - 0 標準,并且通過了 AEC Q101 和 AQG324 汽車級認證。
應(yīng)用場景
主要應(yīng)用于 EV 或 PHEV 的車載充電器中的 DC - DC 轉(zhuǎn)換器,能夠助力設(shè)計出小型、高效且可靠的系統(tǒng),從而降低車輛的燃油消耗和 CO? 排放。
產(chǎn)品優(yōu)勢
系統(tǒng)性能提升
- 節(jié)能減排:幫助設(shè)計出更高效的系統(tǒng),減少車輛的能源消耗和碳排放。
- 集成與散熱優(yōu)化:簡化了組裝過程,優(yōu)化了布局,具有高度的集成性和良好的熱性能。
產(chǎn)品規(guī)格
訂購信息
| 產(chǎn)品型號 | 封裝形式 | 引腳成型 | 內(nèi)部緩沖電容 | DBC 材料 | 無鉛及 RoHS 合規(guī) | 工作溫度范圍 | 包裝方式 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FAM65HR51XS1 | APM16 - CAA | Y 形 | 有 | ALN | 是 | -40°C ~ 125°C | 管裝 |
| FAM65HR51XS2 | APM16 - CAB | L 形 | 有 | ALN | 是 | -40°C ~ 125°C | 管裝 |
引腳配置
| 引腳編號 | 引腳名稱 | 引腳描述 |
|---|---|---|
| 1, 2 | AC1 | H 橋的相位 1 支路 |
| 3 | Q1 Sense | Q1 的源極感應(yīng) |
| 4 | Q1 Gate | Q1 的柵極端子 |
| 5, 6 | B + | 正電池端子 |
| 7, 8 | B - | 負電池端子 |
| 9 | Q2 Sense | Q2 的源極感應(yīng) |
| 10 | Q2 Gate | Q2 的柵極端子 |
| 11 | Q4 Sense | Q4 的源極感應(yīng) |
| 12 | Q4 Gate | Q4 的柵極端子 |
| 13 | Q3 Sense | Q3 的源極感應(yīng) |
| 14 | Q3 Gate | Q3 的柵極端子 |
| 15, 16 | AC2 | H 橋的相位 2 支路 |
絕對最大額定值
| 符號 | 參數(shù) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VDS (Q1~Q4) | 漏源電壓 | 650 | V |
| VGS (Q1~Q4) | 柵源電壓 | ± 20 | V |
| ID (Q1~Q4) | 連續(xù)漏極電流(TC = 25°C, VGS = 10 V) | 64 | A |
| ID (Q1~Q4) | 連續(xù)漏極電流(TC = 100°C, VGS = 10 V) | 40 | A |
| EAS (Q1~Q4) | 單脈沖雪崩能量 | 623(TJ = 25°C, L = 29.5 mH, IAS = 6.5 A, VDD = 145 V) 21(L = 1 mH, IAS = 6.5 A) |
mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 6.5 | A |
| PD | 功率耗散 | 463 | W |
| TJ | 最大結(jié)溫 | -55 至 +150 | °C |
| TC | 最大殼溫 | -40 至 +125 | °C |
| TSTG | 存儲溫度 | -40 至 +125 | °C |
電氣特性
在不同的測試條件下,產(chǎn)品展現(xiàn)出了一系列的電氣特性,如 MOSFET 的導(dǎo)通電阻、輸出電容、總柵極電荷、開關(guān)特性等。這些特性對于工程師在設(shè)計電路時評估模塊的性能至關(guān)重要。例如,在特定條件下,MOSFET 的導(dǎo)通電阻、輸出電容等參數(shù)會直接影響電路的效率和穩(wěn)定性。
熱阻與隔離特性
- 熱阻:Q1 - Q4 的結(jié)到殼熱阻典型值為 0.19°C/W,結(jié)到散熱片熱阻典型值為 0.75°C/W。良好的熱阻特性有助于保證模塊在工作時的溫度控制,提高可靠性。
- 隔離:產(chǎn)品在基極板到控制引腳或電源端子之間具有良好的隔離電阻,確保了電氣安全。
典型特性
文檔中還給出了一系列典型特性曲線,如歸一化功率耗散與殼溫的關(guān)系、最大連續(xù) ID 與殼溫的關(guān)系、傳輸特性、正向二極管特性等。這些曲線可以幫助工程師更直觀地了解模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn),從而更好地進行電路設(shè)計和優(yōu)化。
機械尺寸
產(chǎn)品提供了詳細的機械尺寸信息,包括不同封裝形式下的各種尺寸參數(shù)。這些尺寸信息對于 PCB 設(shè)計和模塊的安裝至關(guān)重要,確保了模塊能夠準確地集成到系統(tǒng)中。
總結(jié)
onsemi 的 FAM65HR51XS1 和 FAM65HR51XS2 H 橋功率模塊,憑借其出色的特性、廣泛的應(yīng)用場景和詳細的規(guī)格參數(shù),為 EV 和 PHEV 的車載充電器 DC - DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計提供了可靠的解決方案。工程師們在進行相關(guān)設(shè)計時,可以充分利用這些特性和參數(shù),優(yōu)化電路設(shè)計,提高系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在實際應(yīng)用中,有沒有遇到過類似模塊在熱管理方面的挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
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