Onsemi FAM65HR51DS1:用于 LLC 和移相 DC - DC 轉(zhuǎn)換器的 H 橋模塊深度解析
在電動(dòng)汽車(chē)(EV)和插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)的車(chē)載充電器(OBC)領(lǐng)域,電源模塊的性能至關(guān)重要。Onsemi 的 FAM65HR51DS1 H 橋模塊為 OBC 的 DC - DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)提供了高效、可靠且緊湊的解決方案。以下將對(duì)該模塊進(jìn)行詳細(xì)剖析。
文件下載:FAM65HR51DS1-D.PDF
產(chǎn)品特性
封裝及隔離優(yōu)勢(shì)
FAM65HR51DS1 采用 SIP 或 DIP 的 H 橋功率模塊封裝,適用于 EV 或 PHEV 的 OBC。其具備 5 kV/1 sec 的電隔離基板,方便組裝,同時(shí)滿足 IEC60664 - 1 和 IEC 60950 - 1 的爬電距離和電氣間隙要求。
設(shè)計(jì)與合規(guī)性
該模塊設(shè)計(jì)緊湊,總模塊電阻低,并且支持模塊序列化,便于全程追溯。它符合無(wú)鉛、RoHS 和 UL94V - 0 標(biāo)準(zhǔn),還通過(guò)了 AEC Q101 和 AQG324 汽車(chē)級(jí)認(rèn)證,能在嚴(yán)苛的汽車(chē)環(huán)境中穩(wěn)定工作。
應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)
應(yīng)用場(chǎng)景
主要應(yīng)用于 EV 或 PHEV 車(chē)載充電器的 DC - DC 轉(zhuǎn)換器,為車(chē)輛的電力轉(zhuǎn)換提供關(guān)鍵支持。
帶來(lái)的效益
能夠助力設(shè)計(jì)出小型、高效且可靠的系統(tǒng),降低車(chē)輛的燃油消耗和二氧化碳排放。同時(shí),簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程,優(yōu)化了布局,提高了集成度和熱性能。
產(chǎn)品規(guī)格
訂購(gòu)信息
| 部件編號(hào) | 封裝 | 引腳成型 | 內(nèi)部緩沖電容器 | DBC 材料 | 無(wú)鉛及 RoHS 合規(guī) | 工作溫度 ((T_A)) | 包裝方式 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FAM65HR51DS1 | APM16 - CAA | Y 形 | 是 | (Al_2O_3) | 是 | - 40 °C ~ 125 °C | 管裝 |
引腳配置與描述
| 引腳編號(hào) | 引腳名稱(chēng) | 引腳描述 |
|---|---|---|
| 1, 2 | AC1 | H 橋的第 1 相支路 |
| 3 | Q1 Sense | Q1 的源極檢測(cè) |
| 4 | Q1 Gate | Q1 的柵極端子 |
| 5, 6 | B + | 正電池端子 |
| 7, 8 | B - | 負(fù)電池端子 |
| 9 | Q2 Sense | Q2 的源極檢測(cè) |
| 10 | Q2 Gate | Q2 的柵極端子 |
| 11 | Q4 Sense | Q4 的源極檢測(cè) |
| 12 | Q4 Gate | Q4 的柵極端子 |
| 13 | Q3 Sense | Q3 的源極檢測(cè) |
| 14 | Q3 Gate | Q3 的柵極端子 |
| 15, 16 | AC2 | H 橋的第 2 相支路 |
絕對(duì)最大額定值
| 符號(hào) | 參數(shù) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}(Q1~Q4)) | 漏源電壓 | 650 | V |
| (V_{GS}(Q1~Q4)) | 柵源電壓 | ±20 | V |
| (I_D(Q1~Q4)) | 連續(xù)漏極電流 ((TC = 25°C, V{GS} = 10 V)) | 33 | A |
| (I_D(Q1~Q4)) | 連續(xù)漏極電流 ((TC = 100°C, V{GS} = 10 V)) | 21 | A |
| (E_{AS}(Q1~Q4)) | 單脈沖雪崩能量 | 623 | mJ |
| (P_D) | 功率耗散 | 135 | W |
| (T_J) | 最大結(jié)溫 | - 55 至 + 150 | °C |
| (T_C) | 最大殼溫 | - 40 至 + 125 | °C |
| (T_{STG}) | 儲(chǔ)存溫度 | - 40 至 + 125 | °C |
電氣規(guī)格
電氣規(guī)格涵蓋了多個(gè)參數(shù),如漏源擊穿電壓、柵源閾值電壓、MOSFET 導(dǎo)通電阻等。例如,在 (V_{GS}=10 V, ID = 20 A) 條件下,Q1 - Q4 MOSFET 的導(dǎo)通電阻典型值為 44 mΩ;在 (V{GS}=10 V, I_D = 20 A, T_J = 125°C) 時(shí),導(dǎo)通電阻典型值為 79 mΩ。
動(dòng)態(tài)特性與開(kāi)關(guān)特性
動(dòng)態(tài)特性包括輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等;開(kāi)關(guān)特性涵蓋了導(dǎo)通時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等。這些特性對(duì)于評(píng)估模塊在實(shí)際應(yīng)用中的性能至關(guān)重要。
熱阻與隔離
熱阻方面,Q1 - Q4 的結(jié)到殼熱阻典型值為 0.66 °C/W,結(jié)到散熱器熱阻典型值為 1.2 °C/W。隔離方面,在 (V_{AC}= 5 kV, 60 Hz) 測(cè)試條件下,隔離電阻為 100 MΩ。
典型特性
文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線,如歸一化功率耗散與殼溫的關(guān)系、最大連續(xù) (I_D) 與殼溫的關(guān)系等。這些曲線有助于工程師在不同工況下評(píng)估模塊的性能。
機(jī)械尺寸
APMCA - A16 封裝的模塊給出了詳細(xì)的機(jī)械尺寸,包括最小、標(biāo)稱(chēng)和最大尺寸,這對(duì)于 PCB 布局和機(jī)械設(shè)計(jì)非常重要。
總結(jié)
Onsemi 的 FAM65HR51DS1 H 橋模塊憑借其豐富的特性、良好的電氣性能和可靠的熱性能,為 EV 和 PHEV 車(chē)載充電器的 DC - DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)提供了優(yōu)秀的解決方案。工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中,可根據(jù)具體需求參考上述規(guī)格和特性,充分發(fā)揮該模塊的優(yōu)勢(shì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類(lèi)似模塊的選型難題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
-
車(chē)載充電器
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
277瀏覽量
25014
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)解析
Onsemi FAM65HR51DS1:用于 LLC 和移相 DC - DC 轉(zhuǎn)換器的 H 橋模塊深度解析
評(píng)論