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Onsemi FAM65HR51DS1:用于 LLC 和移相 DC - DC 轉(zhuǎn)換器的 H 橋模塊深度解析

lhl545545 ? 2026-04-24 11:40 ? 次閱讀
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Onsemi FAM65HR51DS1:用于 LLC 和移相 DC - DC 轉(zhuǎn)換器的 H 橋模塊深度解析

在電動(dòng)汽車(chē)(EV)和插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)的車(chē)載充電器(OBC)領(lǐng)域,電源模塊的性能至關(guān)重要。Onsemi 的 FAM65HR51DS1 H 橋模塊為 OBC 的 DC - DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)提供了高效、可靠且緊湊的解決方案。以下將對(duì)該模塊進(jìn)行詳細(xì)剖析。

文件下載:FAM65HR51DS1-D.PDF

產(chǎn)品特性

封裝及隔離優(yōu)勢(shì)

FAM65HR51DS1 采用 SIP 或 DIP 的 H 橋功率模塊封裝,適用于 EV 或 PHEV 的 OBC。其具備 5 kV/1 sec 的電隔離基板,方便組裝,同時(shí)滿足 IEC60664 - 1 和 IEC 60950 - 1 的爬電距離和電氣間隙要求。

設(shè)計(jì)與合規(guī)性

該模塊設(shè)計(jì)緊湊,總模塊電阻低,并且支持模塊序列化,便于全程追溯。它符合無(wú)鉛、RoHS 和 UL94V - 0 標(biāo)準(zhǔn),還通過(guò)了 AEC Q101 和 AQG324 汽車(chē)級(jí)認(rèn)證,能在嚴(yán)苛的汽車(chē)環(huán)境中穩(wěn)定工作。

應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)

應(yīng)用場(chǎng)景

主要應(yīng)用于 EV 或 PHEV 車(chē)載充電器的 DC - DC 轉(zhuǎn)換器,為車(chē)輛的電力轉(zhuǎn)換提供關(guān)鍵支持。

帶來(lái)的效益

能夠助力設(shè)計(jì)出小型、高效且可靠的系統(tǒng),降低車(chē)輛的燃油消耗和二氧化碳排放。同時(shí),簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程,優(yōu)化了布局,提高了集成度和熱性能。

產(chǎn)品規(guī)格

訂購(gòu)信息

部件編號(hào) 封裝 引腳成型 內(nèi)部緩沖電容器 DBC 材料 無(wú)鉛及 RoHS 合規(guī) 工作溫度 ((T_A)) 包裝方式
FAM65HR51DS1 APM16 - CAA Y 形 (Al_2O_3) - 40 °C ~ 125 °C 管裝

引腳配置與描述

引腳編號(hào) 引腳名稱(chēng) 引腳描述
1, 2 AC1 H 橋的第 1 相支路
3 Q1 Sense Q1 的源極檢測(cè)
4 Q1 Gate Q1 的柵極端子
5, 6 B + 正電池端子
7, 8 B - 負(fù)電池端子
9 Q2 Sense Q2 的源極檢測(cè)
10 Q2 Gate Q2 的柵極端子
11 Q4 Sense Q4 的源極檢測(cè)
12 Q4 Gate Q4 的柵極端子
13 Q3 Sense Q3 的源極檢測(cè)
14 Q3 Gate Q3 的柵極端子
15, 16 AC2 H 橋的第 2 相支路

絕對(duì)最大額定值

符號(hào) 參數(shù) 最大值 單位
(V_{DS}(Q1~Q4)) 漏源電壓 650 V
(V_{GS}(Q1~Q4)) 柵源電壓 ±20 V
(I_D(Q1~Q4)) 連續(xù)漏極電流 ((TC = 25°C, V{GS} = 10 V)) 33 A
(I_D(Q1~Q4)) 連續(xù)漏極電流 ((TC = 100°C, V{GS} = 10 V)) 21 A
(E_{AS}(Q1~Q4)) 單脈沖雪崩能量 623 mJ
(P_D) 功率耗散 135 W
(T_J) 最大結(jié)溫 - 55 至 + 150 °C
(T_C) 最大殼溫 - 40 至 + 125 °C
(T_{STG}) 儲(chǔ)存溫度 - 40 至 + 125 °C

電氣規(guī)格

電氣規(guī)格涵蓋了多個(gè)參數(shù),如漏源擊穿電壓、柵源閾值電壓、MOSFET 導(dǎo)通電阻等。例如,在 (V_{GS}=10 V, ID = 20 A) 條件下,Q1 - Q4 MOSFET 的導(dǎo)通電阻典型值為 44 mΩ;在 (V{GS}=10 V, I_D = 20 A, T_J = 125°C) 時(shí),導(dǎo)通電阻典型值為 79 mΩ。

動(dòng)態(tài)特性與開(kāi)關(guān)特性

動(dòng)態(tài)特性包括輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等;開(kāi)關(guān)特性涵蓋了導(dǎo)通時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等。這些特性對(duì)于評(píng)估模塊在實(shí)際應(yīng)用中的性能至關(guān)重要。

熱阻與隔離

熱阻方面,Q1 - Q4 的結(jié)到殼熱阻典型值為 0.66 °C/W,結(jié)到散熱器熱阻典型值為 1.2 °C/W。隔離方面,在 (V_{AC}= 5 kV, 60 Hz) 測(cè)試條件下,隔離電阻為 100 MΩ。

典型特性

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線,如歸一化功率耗散與殼溫的關(guān)系、最大連續(xù) (I_D) 與殼溫的關(guān)系等。這些曲線有助于工程師在不同工況下評(píng)估模塊的性能。

機(jī)械尺寸

APMCA - A16 封裝的模塊給出了詳細(xì)的機(jī)械尺寸,包括最小、標(biāo)稱(chēng)和最大尺寸,這對(duì)于 PCB 布局和機(jī)械設(shè)計(jì)非常重要。

總結(jié)

Onsemi 的 FAM65HR51DS1 H 橋模塊憑借其豐富的特性、良好的電氣性能和可靠的熱性能,為 EV 和 PHEV 車(chē)載充電器的 DC - DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)提供了優(yōu)秀的解決方案。工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中,可根據(jù)具體需求參考上述規(guī)格和特性,充分發(fā)揮該模塊的優(yōu)勢(shì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類(lèi)似模塊的選型難題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

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