探索NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2:APM16系列H橋模塊的卓越性能
在電動(dòng)汽車(EV)和插電式混合動(dòng)力汽車(PHEV)的車載充電器(OBC)領(lǐng)域,NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2這兩款來(lái)自APM16系列的H橋模塊正嶄露頭角。下面,我們就來(lái)深入了解一下它們的特點(diǎn)、應(yīng)用、電氣特性等方面的內(nèi)容。
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產(chǎn)品特點(diǎn)
封裝與隔離優(yōu)勢(shì)
這兩款模塊采用SIP或DIP封裝,適用于EV或PHEV的OBC。其5 kV/1 sec電氣隔離基板,不僅符合IEC60664 - 1和IEC 60950 - 1標(biāo)準(zhǔn),還能輕松滿足爬電距離和電氣間隙要求,在組裝時(shí)提供了極大的便利。
緊湊設(shè)計(jì)與可追溯性
緊湊的設(shè)計(jì)使得模塊的總電阻較低,有助于提高效率。同時(shí),模塊支持序列化,可實(shí)現(xiàn)全追溯,方便質(zhì)量管控和故障排查。
環(huán)保與資質(zhì)認(rèn)證
產(chǎn)品符合Pb - Free、RoHS和UL94V - 0標(biāo)準(zhǔn),并且通過(guò)了AEC Q101和AQG324汽車級(jí)認(rèn)證,具備高可靠性和安全性,可放心應(yīng)用于汽車環(huán)境。
應(yīng)用領(lǐng)域
NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2主要應(yīng)用于EV或PHEV的車載充電器中的DC - DC轉(zhuǎn)換器。它們能夠助力設(shè)計(jì)出小型、高效且可靠的系統(tǒng),從而降低車輛的燃油消耗和(CO_{2})排放。此外,簡(jiǎn)化的組裝過(guò)程、優(yōu)化的布局、高度集成以及出色的熱性能,也是該模塊在應(yīng)用中的顯著優(yōu)勢(shì)。
訂購(gòu)信息
| 型號(hào) | 封裝 | 引腳成型 | 內(nèi)部緩沖電容 | DBC材料 | 無(wú)鉛和RoHS合規(guī) | 工作溫度范圍 | 包裝方式 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXV65HR51DZ1 | APM16 - CAA | Y形 | 無(wú) | (Al{2}O{3}) | 是 | -40 °C ~ 125 °C | 管裝 |
| NXV65HR51DZ2 | APM16 - CAB | L形 | 無(wú) | (Al{2}O{3}) | 是 | -40 °C ~ 125 °C | 管裝 |
引腳配置與描述
| 該模塊共有16個(gè)引腳,每個(gè)引腳都有其特定的功能: | 引腳編號(hào) | 引腳名稱 | 引腳描述 |
|---|---|---|---|
| 1, 2 | AC1 | H橋的第一相支路 | |
| 3 | Q1 Sense | Q1的源極感應(yīng) | |
| 4 | Q1 Gate | Q1的柵極端子 | |
| 5, 6 | B+ | 正電池端子 | |
| 7, 8 | B? | 負(fù)電池端子 | |
| 9 | Q2 Sense | Q2的源極感應(yīng) | |
| 10 | Q2 Gate | Q2的柵極端子 | |
| 11 | Q4 Sense | Q4的源極感應(yīng) | |
| 12 | Q4 Gate | Q4的柵極端子 | |
| 13 | Q3 Sense | Q3的源極感應(yīng) | |
| 14 | Q3 Gate | Q3的柵極端子 | |
| 15, 16 | AC2 | H橋的第二相支路 |
電氣特性
絕對(duì)最大額定值
| 在(T_{J}=25^{circ}C)(除非另有說(shuō)明)的條件下,模塊的各項(xiàng)絕對(duì)最大額定值如下: | 符號(hào) | 參數(shù) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (V_{DS}(Q1~Q4)) | 漏源電壓 | 650 | V | |
| (V_{GS}(Q1~Q4)) | 柵源電壓 | ± 20 | V | |
| (I_{D}(Q1~Q4)) | 連續(xù)漏極電流((T{C}=25^{circ}C),(V{GS}=10V)) | 33 | A | |
| (I_{D}(Q1~Q4)) | 連續(xù)漏極電流((T{C}=100^{circ}C),(V{GS}=10V)) | 21 | A | |
| (E_{AS}(Q1~Q4)) | 單脈沖雪崩能量 | 623 | mJ | |
| (P_{D}) | 功率耗散 | 135 | W | |
| (T_{J}) | 最大結(jié)溫 | -55 to +150 | °C | |
| (T_{C}) | 最大殼溫 | -40 to +125 | °C | |
| (T_{STG}) | 存儲(chǔ)溫度 | -40 to +125 | °C |
電氣規(guī)格
| 在(T_{J}=25^{circ}C)(除非另有說(shuō)明)的條件下,模塊的電氣規(guī)格如下: | 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (BVDSS) | 漏源擊穿電壓 | (I{D}=1 mA),(V{GS}=0 V) | 650 | V | |||
| (VGS(th)) | 柵源閾值電壓 | (VGS = VDS),(I_{D}=3.3 mA) | 3.0 | 5.0 | V | ||
| (RDS(ON)) | Q1 - Q4 MOSFET導(dǎo)通電阻 | (V{GS}=10 V),(I{D}=20 A) | 44 | 51 | mΩ | ||
| (RDS(ON)) | Q1 - Q4 MOSFET導(dǎo)通電阻 | (V{GS}=10 V),(I{D}=20 A),(T_{J}=125^{circ}C) | 79 | mΩ | |||
| 正向跨導(dǎo) | (V{DS}=20 V),(I{D}=20 A) | 30 | S | ||||
| (IGSS) | 柵源泄漏電流 | (V{GS}= pm 20 V),(V{DS}=0 V) | -100 | +100 | nA | ||
| (loss) | 漏源泄漏電流 | (V{DS}=650 V),(V{GS}=0 V) | 10 | μA |
動(dòng)態(tài)特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (Ciss) | 輸入電容 | (V{DS}=400 V),(V{GS}=0V),(f = 1 MHz) | 4864 | pF |
| (Coss) | 輸出電容 | pF | ||
| (Crss) | 反饋電容 | 16 | pF | |
| (Coss(eff)) | 有效輸出電容 | (V_{GS}=0V) | ||
| (Rg) | 柵極電阻 | (f = 1 MHz) | 2 | Ω |
| (Qg(tot)) | 總柵極電荷 | (V_{DS}=380 V) | 123 | nC |
| (Qgs) | 柵源柵極電荷 | (I{D}=20 A),(V{GS}=0 to 10V) | 37.5 | nC |
| (Qgd) | 柵漏“米勒”電荷 | 49 | nC |
開(kāi)關(guān)特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (ton) | 導(dǎo)通時(shí)間 | (V_{DS}=400 V) | 87 | ns |
| (td(on)) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | (I_{D}=20 A) | 47 | ns |
| (tr) | 導(dǎo)通上升時(shí)間 | 43 | ns | |
| (toff) | 關(guān)斷時(shí)間 | ns | ||
| (td(off)) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 118 | ns | |
| (tf) | 關(guān)斷下降時(shí)間 | ns |
體二極管特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (VSD) | 源漏二極管電壓 | (delta{SD}=20 A),(delta{GS}=0 V) | 0.95 | V |
| (T) | 反向恢復(fù)時(shí)間 | (V{DS}=520 V),(I{D}=20 A) | 133 | ns |
| (Qm) | 反向恢復(fù)電荷 | (d{1} / d{t}=100 A / μs) | 669 | nC |
熱阻與隔離特性
熱阻
| 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (R_{theta JC})(每芯片) | - | 0.66 | 0.92 | °C/W |
| (R_{theta JS})(每芯片) | - | 1.2 | - | °C/W |
隔離特性
在(V_{AC}=5 kV),60 Hz的測(cè)試條件下,模塊的隔離電阻大于100MΩ。
典型特性
文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括歸一化功率耗散與殼溫的關(guān)系、最大連續(xù)(I_{D})與殼溫的關(guān)系、傳輸特性、正向二極管特性等。這些曲線有助于工程師更好地了解模塊在不同條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行更合理的設(shè)計(jì)。
總結(jié)
NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2模塊憑借其出色的特點(diǎn)、廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域以及優(yōu)秀的電氣和熱性能,為EV和PHEV的車載充電器設(shè)計(jì)提供了可靠的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們可以根據(jù)具體需求,參考這些特性和參數(shù),進(jìn)行合理的選型和設(shè)計(jì)。大家在使用過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)類似模塊的其他問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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