解析FAM65HR51DS2:APM16系列H橋模塊在LLC和移相DC - DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用
在電動(dòng)汽車(EV)和插電式混合動(dòng)力汽車(PHEV)的車載充電器(OBC)設(shè)計(jì)中,DC - DC轉(zhuǎn)換器是關(guān)鍵組件之一。而FAM65HR51DS2這款SIP或DIP H橋功率模塊,為OBC的DC - DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì)。下面我們就來(lái)詳細(xì)解析這款模塊。
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1. 產(chǎn)品特性
1.1 電氣隔離與安全設(shè)計(jì)
- 具備5 kV/1 sec的電氣隔離基板,這使得模塊在組裝時(shí)更加容易,同時(shí)其爬電距離和電氣間隙符合IEC60664 - 1和IEC 60950 - 1標(biāo)準(zhǔn),為產(chǎn)品的安全性提供了保障。
- 所有材料都滿足UL可燃性等級(jí)94V - 0,且模塊100%無(wú)鉛并符合RoHS指令2000/53/C,使用的焊料是無(wú)鉛的SnAgCu合金,體現(xiàn)了環(huán)保和安全的設(shè)計(jì)理念。
1.2 緊湊設(shè)計(jì)與可追溯性
- 采用緊湊設(shè)計(jì),降低了模塊的總電阻。這種設(shè)計(jì)不僅節(jié)省了空間,還能減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率。
- 支持模塊序列化,實(shí)現(xiàn)了全追溯性,方便在生產(chǎn)和使用過(guò)程中對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行管理和質(zhì)量控制。
1.3 汽車級(jí)認(rèn)證
該模塊通過(guò)了AEC Q101和AQG324指南的汽車級(jí)認(rèn)證,這意味著它能夠在汽車復(fù)雜的工作環(huán)境中穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。
2. 產(chǎn)品應(yīng)用
FAM65HR51DS2主要應(yīng)用于EV或PHEV的車載充電器中的DC - DC轉(zhuǎn)換器。它能夠助力設(shè)計(jì)出小型、高效且可靠的系統(tǒng),從而降低車輛的燃油消耗和二氧化碳排放。同時(shí),其簡(jiǎn)化的組裝過(guò)程、優(yōu)化的布局、高度的集成性以及良好的熱性能,為工程師的設(shè)計(jì)工作帶來(lái)了便利。
3. 產(chǎn)品規(guī)格
3.1 訂購(gòu)信息
| 部件編號(hào) | 封裝 | 引腳成型 | 內(nèi)部緩沖電容器 | DBC材料 | 無(wú)鉛和符合RoHS | 工作溫度(TA) | 包裝方法 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FAM65HR51DS2 | APM16 - CAB | L - 形 | 是 | Al?O? | 是 | - 40 °C ~ 125 °C | 管裝 |
3.2 引腳配置與描述
| 引腳編號(hào) | 引腳名稱 | 引腳描述 |
|---|---|---|
| 1, 2 | AC1 | H橋的第1相支路 |
| 3 | Q1 Sense | Q1的源極檢測(cè) |
| 4 | Q1 Gate | Q1的柵極端子 |
| 5, 6 | B + | 正電池端子 |
| 7, 8 | B - | 負(fù)電池端子 |
| 9 | Q2 Sense | Q2的源極檢測(cè) |
| 10 | Q2 Gate | Q2的柵極端子 |
| 11 | Q4 Sense | Q4的源極檢測(cè) |
| 12 | Q4 Gate | Q4的柵極端子 |
| 13 | Q3 Sense | Q3的源極檢測(cè) |
| 14 | Q3 Gate | Q3的柵極端子 |
| 15, 16 | AC2 | H橋的第2相支路 |
3.3 絕對(duì)最大額定值
| 符號(hào) | 參數(shù) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VDS (Q1~Q4) | 漏源電壓 | 650 | V |
| VGS (Q1~Q4) | 柵源電壓 | ± 20 | V |
| ID (Q1~Q4) | 連續(xù)漏極電流(TC = 25 °C, VGS = 10 V) | 33 | A |
| ID (Q1~Q4) | 連續(xù)漏極電流(TC = 100 °C, VGS = 10 V) | 21 | A |
| EAS (Q1~Q4) | 單脈沖雪崩能量 | 623 | mJ |
| PD | 功率耗散 | 135 | W |
| TJ | 最大結(jié)溫 | - 55 to + 150 | °C |
| TC | 最大殼溫 | - 40 to + 125 | °C |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | - 40 to + 125 | °C |
3.4 電氣規(guī)格
這里包含了如漏源擊穿電壓(BVDSS)、柵源閾值電壓(VGS(th))、MOSFET導(dǎo)通電阻(RDS(ON))等多項(xiàng)參數(shù),不同的參數(shù)在不同的測(cè)試條件下有相應(yīng)的數(shù)值范圍。例如,在VGS = 10 V, ID = 20 A的條件下,Q1 - Q4 MOSFET導(dǎo)通電阻典型值為44 mΩ,最大值為51 mΩ;在VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 125 °C時(shí),典型值為79 mΩ。
3.5 動(dòng)態(tài)特性與開(kāi)關(guān)特性
動(dòng)態(tài)特性包括輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)、反向傳輸電容(Crss)等參數(shù);開(kāi)關(guān)特性則涉及到導(dǎo)通時(shí)間(ton)、導(dǎo)通延遲時(shí)間(td(on))、上升時(shí)間(tr)、關(guān)斷時(shí)間(toff)、關(guān)斷延遲時(shí)間(td(off))和下降時(shí)間(tf)等。這些特性對(duì)于評(píng)估模塊在實(shí)際工作中的性能至關(guān)重要。
3.6 熱阻與隔離特性
熱阻方面,Q1 - Q4的結(jié)到殼熱阻(RθJC)典型值為0.66 °C/W,最大值為0.92 °C/W;結(jié)到散熱器熱阻(RθJS)典型值為1.2 °C/W。隔離特性方面,在VAC = 5 kV, 60 Hz的測(cè)試條件下,隔離電阻為100 MΩ。
4. 典型特性
文檔中給出了一系列典型特性曲線,如歸一化功率耗散與殼溫的關(guān)系、最大連續(xù)ID與殼溫的關(guān)系、轉(zhuǎn)移特性、正向二極管特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行更合理的設(shè)計(jì)。
5. 機(jī)械尺寸
模塊的機(jī)械尺寸有詳細(xì)的標(biāo)注,包括最小、標(biāo)稱和最大尺寸等信息,這對(duì)于工程師在進(jìn)行PCB布局和外殼設(shè)計(jì)時(shí)非常重要。
在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,綜合考慮上述各項(xiàng)特性和規(guī)格,合理選擇和使用FAM65HR51DS2模塊。大家在使用這款模塊的過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的設(shè)計(jì)思路呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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